多校区环境下分布式资源共享平台

随着高校办公、教学信息化建设的日益深入,国内高校几乎无一例外的从单一的管理系统开始建设,到现今已经拥有大量应用系统网站群。由于应用系统入口多、使用繁琐,信息无法高度共享。为此,中心充分调研国内外非结构化数据管理的应用效果,采用欧美先进的非结构化数据平台TRIP,设计并开发了跨校区、跨系统平台的分布式资源共享平台,实现了将图形、图像等200多种格式的电子文件、邮箱群、网站群一体化管理、检索和共享。平台已经成功申报国家版权局的软件著作权登记。     

广东省体育专业学生就业意向及压力现状调查

对广东省体育专业学生的就业意向及压力进行调查,结果表明:广东省体育专业学生对毕业后第一份工作的工资待遇、地点均有较高的期待;在职业选择上,主要是体育教师、公务员、跟着父母或亲戚自主创业.近九成的学生存在就业压力,其中逾四成学生感到压力很大.学生期望学校给予以下帮助:增加学生的实习、实践机会;多进行就业策略、形势分析;在大学低年级的时候,依据学生的就业意向进行具体分类、定向辅导;设置2个专项,并针对专选学生给予更多的实践机会等.     

磁场对单电子量子双环基态能量E_((0,0))的影响

给出了单电子量子同心环基态能量E(0,0)随磁场和势垒的变化规律,并对变化规律进行分析.结果表明,单电子量子同心环基态能量随磁场增大而增大,由于磁场的存在,原来的基态能级分裂成三个能级.由于量子同心环中势垒的存在,使得单电子量子同心环基态能量增大,基态能量随势垒的增大而增大.     

管状人造血管拉伸夹持件的设计和应用

根据ISO 7198和YY 0500-2004,通过对常规织物强力仪夹持件的改进设计,在保持试样管状形态下,实现对人造血管周向和轴向拉伸性能的测试,并进行了验证性试验。周向与轴向拉伸夹持件可测直径2～45 mm的管状试样,并配置三档精度范围的传感器5.0、0.5、0.1 kN,满足不同管状材料的测试要求。验证结果表明,直径4 mm机织人造血管周向断裂强度(14.31 N/mm)大于轴向断裂强度(13.40 N/mm),这与临床上人造血管在周向需要更强的结构是相吻合的,且实验指标的CV值在一个可接受的范围内;另直径6 mm的3种不同结构的人造血管的周向断裂强度CV值在0.61%～3.51%,说明该测试仪器的精密度较高,重现性较好。该管状拉伸夹持件具有操作简便、功能性强和数据精准的优点。     

高校教室空调集中控制管理方案设计

为改善学习环境,高校安装了大量空调设备,但缺乏科学有效管理,致使能耗居高不下,因此探讨节能降耗方法势在必行。论文针对高校教室空调安装和管理的不同需求,提出了基于电源控制、485总线和以太网的三种空调运行管理方案,设计了控制流程和管理界面,并对比了三种方案的成本和节能效果。测试结果表明,与上年同期相比,三种方案均可使能耗下降,其中,基于以太网的方案节能效果最佳,基于电源控制的方案改造成本最低。另外,通过方案选择或将上述方案进行适应性改造,对其他公共建筑空调系统的控制管理也有重要借鉴意义。     

北京流动儿童区域文化适应及其对城市适应的影响

为了探讨流动儿童区域文化适应的特点及对其城市适应的影响,本研究采用区域文化适应问卷和城市适应问卷,对北京市7所中小学的992名流动儿童进行了问卷调查,结果表明:(1)流动儿童人际观念适应困难显著高于生活方式适应困难;(2)流动儿童文化适应、文化认同和城市适应均在家庭经济状况、年级、来京时间、性别、学校类型等方面存在显著差异;(3)流动儿童城市适应与文化适应有密切的联系,区域文化适应能在一定程度上预测城市适应。     

影响知识型员工区域间流动三类要素关系分析

本文的研究目的是了解知识型员工的区域间流动的三类要素的关系,即人口统计变量、价值观和区域性因素偏好的关系。通过对625名知识型员工的问卷调查,获得人口统计变量、价值观和区域性因素的偏好的相关数据,对其进行独立样本T检验、单因素方差分析和相关分析,得出了人口统计变量、价值观和区域性因素偏好部分相关的结论。     

后危机时期我国中小型企业摆脱危机的路径选择

传统的比较优势理论在实践中得到不断地丰富和发展,为我国中小企业摆脱危机提供理论支撑。本文运用比较优势理论系统分析后危机时期我国中小型企业的状况,探索我国中小型企业面临的关键性问题,发挥其比较优势,旨在后危机时期不断提升我国中小型企业的竞争力,以应对全球金融危机的挑战。     

钼表面（Mo,W）Si2-Si3N4复合涂层的低温氧化行为研究

采用包渗法在钼表面原位制备了（Mo,W）Si2-Si3N4复合涂层,考察了其在大气中于500℃和600℃等温循环的氧化性能,利用XRD和SEM等研究了其组织形貌.结果表明：（Mo,W） Si2-Si3N4涂层具有良好的低温抗氧化性,其在空气中500℃和600℃氧化480 h的氧化速率分别为0.0145 g/（m2·h）和0.0191g/ （m2·h）,归因于涂层氧化表面形成了致密的SiO2膜.     

图的哈密尔顿性及其距离谱半径

本文利用距离谱半径的界给出了连通图包含Hamilton路以及泛圈图的条件。