听杨向奎先生聊天

杨向老离开我们已经有几年了,每当我路过东城干面胡同时,便会情不自禁地想起他老人家,回忆起听他聊天的快乐时光,真是恍如昨日。现根据记录将杨向老谈到的一些人和事披露出来,可以作为学坛掌故,并借以表达我对他老人家的深深的怀念。     

对我国体育院校运动训练专业培养目标的定位思考

培养目标的定位是专业教育的核心，也是教学计划的出发点和归宿。通过对我国13所体育院校运动训练专业培养目标的比较、调查与咨询，分析了影响运动训练专业培养目标定位的因素，提出了运动训练专业培养目标应拓展；由“单一目标”方向向“多目标”方向转变；人才培养规格应由定向培养“专才”型向多向培养“通才”型人才方向发展，也为进一步深化运动系教学改革，加强专业建设，提供理论依据。     

回顾与展望——写在《书品》创刊五周年之际

《书品》创刊于1986年,是由中华书局编辑出版的,以评论和介绍本版图书为主要内容的学术书评刊物。五年来,我们先后发表了各类文章294篇,其中,专门评介图书的文章为210篇。在这些文章中,突出强调的是一个“品”字。我们以为“品”和“评”不一样,“品”应该比“评”更深一些、更丰富一些。为此,我们先后约请了一些专家、学者,结合自己的研究成果,撰文介绍研究、著述当中的心得、体会和甘苦,以引导读者去品味其中的治学方法和门径。例如杨伯峻先生的《我和<左传>》(86·1)、陆宗达先生的《我与<说文>》(87·2)、周祖谟先生的《我和<广韵>》     

从香港《公开资料守则》看政务信息公开与已公开现行文件利用工作

由香港政府颁布的《公开资料守则》以下简称《守则》是政府各局及部门提供资料以及市民获取政府信息所遵循的正式法律依据。香港特别行政区的一个政府职能部门———香港资讯科技署负责《守则》的贯彻实施。1.《公开资料守则》的立法宗旨和适用范围。1995年制定、2003年9月修订的《公开资料守则》的立法宗旨是:政府应该运用可供使用的资源,尽量为市民提供最佳服务。为实现这一目的,市民需要充分了解和认识政府及其提供的服务,以及对个人和整个社会均有影响的政策和决定的依据。资料公开的适用范围包括政府各部门,如香港警务处、房屋及规划地…     

错题还是错解

1 问题已知椭圆的中心在坐标原点,焦点在x轴上,它的一个焦点为F,M是椭圆上的任意点,|MF|的最大值和最小值的几何平均数为2,椭圓上存在着以直     

一道高三调考题的繁解、错解、简解

【问题】(武汉市2007年高三二月调考理科数学第21题)巳知函数f(x)=x~2 2x alnx.(1)若函数f(x)在区间(0,1]上恒为单调函数,求实数a的取值范围;(2)当t≥1时,不等式f(2_t—1)≥2f(t)—3恒成立,求实数a的取值范围.此题主要考查利用导数知识作工具,研究函数的单调性,处理不等式恒成立问题,综合性强,思想方法深刻,能力要求较高.其中第(2)小题难度较大,考生的答题情况并不理想.现就此小题的解法分析如下.     

cos_θ=cosθ_1·cosθ_2的一个妙用

在立体几何中 ,有一个常见的模型 :图 1　　　　　　　　图 2如图 1,已知直线a、b、l与平面α满足a α ,b α ,a∩b =P ,P∈l ,l与a、b成相等的角θ ,在l上任取异于点P的Q点 ,过Q作QK⊥α于K ,那么K点到直线a、b的距离相等 ,即K点落在∠APB(或其补角 )的平分线所在的直线上 ,记∠QPK =θ1 ,∠KPB =θ2 ,不难得到cosθ =cosθ1 ·cosθ2 .运用上述结论 ,可解决过空间一点P且与两直线 (包括二异面直线 )成等角的直线的条数问题 .2 0 0 4年高考数学 (湖北卷 )第 11题 :已知平面α与 β所成的二面角为 80° ,P为α、β外一定点 ,过点P…     

Modeling and Simulation of Photoelectronic Lambda Bipolar Transistor

Based on the region model of lambda bipolar transistor （ LBT）, a dividing region theory model of PLBT is set up.simulated and verified. Firstly, the principal operations of different kinds of photoelectronic lambda bipolar transistor ,（ PLBT） are characterized by a simple circuit model. Through mathematical analysis of the equivalent circuit, the typical characteristics curve is divided into positive resistance, peak, negative resistance and cutoff regions. Secondly. by analyzing and simulating this model, the ratio of MOSFET width to channel length, threshold voltage and common emitter gain are discovered as the main structure parameters that determine the characteristic curves of PLBT. And peak region width, peak current value, negative resistance value and valley voltage value of PLBT can be changed conveniently according to the actual demands by modifying these parameters. Finally comparisons of the characteristics of the fabricated devices and the simulation results are made, which show that the analytical results are in agreement with the observed devices characteristics.     

Design and Fabrication of Novel Dual-Base Negative-Differential- Resistance Heterojunction Bipolar Transistor

Based on planar Si dual-base transistor conception, a novel mesa dual-base heterojunction bipolar transistor （ HBT） is designed and fabricated. Molecule beam extension, selective wet chemical etching, common contact photolithography and metal lift-off technique are adopted in the process. The device has particular and distinct voltage-controlled negative differential resistance （NDR） and photo-controlled NDR. The highest peak-to-vally current rate of the voltage-controlled NDR is larger than 148 and the peak current varies with the increase of collector voltage. The device features high speed and high frequency characteristics derived from HBT and intrinsic bistability and self-latching characteristics due to NDR. A single dual-base HBT can be seen as an integration of NDR device, HBT and photoconductive device. Compared with common HBT,the groove is the key factor producing NDR.