2-μm GaAs HBT工艺的L型网络分布式放大器

首先对分布式放大器中L型和T型网络的频率特性进行了研究.分析表明,L型网络比T型网络在设计中具有更好的频率特性.基于稳懋半导体的2-μm GaAs HBT工艺实现了一种L型网络的分布式放大器.测试结果表明,在3～18GHz频率范围内其增益为5.5dB,增益平坦度为±1dB,体现了很好的带宽性能.此外,在设计的频率范围内反射损耗S11,S22均低于-10dB.在5GHz时的1dB压缩点处输出功率为13.3dBm.芯片面积为0.95mm2,在3.5V电源下功耗为95mW.     

蓝牙射频前端跳频频综的几项关键技术

提出了应用于蓝牙射频前端的跳频频率综合器的设计方案,并介绍了关键模块压控振荡器与双模预分频器的设计技术,采用混合0.18 μm CMOS工艺进行了流片验证.设计的压控振荡器性能稳定,低功耗低相噪,频率在2.4 GHz时测试相位噪声达-114.32 dBc/Hz@2.4 MHz.对双模分频器进行了设计优化,并采用一种集成"或"逻辑的锁存器结构,降低了功耗,提高了电路速度.测试结果显示电路在1.8 V时稳定工作双模分频器核心功耗仅5.76 mW;均方差抖动在输出周期为118.3 MHz时仅为2 ps,约占输出周期的0.02%.     

12 Gbit/s用于光纤传输系统的GaAs HBT限幅放大器

用2μmGaAs HBT工艺实现了12 Gbit/s用于光纤传输系统的限幅放大器.整个系统包括一级输入缓冲、三级放大、一级用于驱动50Ω传输线的输出缓冲和失调电压补偿回路4个部分.采用双电源供电,正电源为2V,负电源为-2V,功耗为280mW.小信号增益大于46dB,输入信号比特率为12 Gbit/s时,在输出电压幅度保持恒定(单端峰峰值400 mV)的条件下,输入动态范围约为40dB。眼图性能良好.芯片面积为1.15mm×0.7 mm.     

5-Gbit/s 0.18-μm CMOS单片集成低功耗时钟恢复电路设计

为了使一个10 Gbit/s 2∶1半速率复接器电路能够在无外部提供时钟的环境中工作,需要一个5 Gbit/s时钟恢复电路从一路输入数据中提取出所需时钟.该时钟恢复电路采用3级环形压控振荡器,以克服2级振荡器存在的起振不可靠和4级振荡器振荡频率低的问题;采用鉴频鉴相器来增加牵引范围,以适应由于工艺、电压及温度偏差等原因...