关于S集的倒数和

设a是大于1的正整数，d（H）表示S集H=H（a）的倒数和．本文证明了：d（H）≤eγ（loga）（1＋（2（logx）^2）^-1），其中γ是Euler常数．     

自主学习模式下的网络环境设计

网络发展促进了新的教学模式的出现,网络环境下的自主学习随之成为一种主导性的教学改革模式。在该模式下,教师与教学环境设计者在角色定位上是相同的,因而教师对环境设计的理解和把握直接关系到教学成败,理解网络自主学习和网络环境设计的意义,掌握设计原则和方法成为亟需。     

回顾与展望:2006年成人教育理论研究概况——基于对2006年人大复印报刊资料《成人教育学刊》的统计分析

文章通过对2006年人大复印资料《成人教育学刊》所转载论文进行了统计分析,回顾了这一年来我国成人教育理论研究所取得的成绩和呈现的一些特点,并对2007年我国成人教育理论研究的走向进行了宏观展望。     

Diophantine方程xn+yn=zφ(n)的本原解

设n是正整数,φ(n)是Euler函数.证明了方程xn yn=zφ(n)当且仅当n≤3时有正整数解(x,y,z)适合gcd(x,y)=1.     

论加强师范生的师德培养

从国家教育改革和发展的需要,全面实施素质教育,教师教育一体化,教师专业化发展,现实师德现状等五个方面分析,表明了加强师范生师德培养的现实必要性,探讨了加强师德培养的途径及策略。     

致力于更加公平的教育——来自发达国家的经验

教育公平是世界各国实现国家发展战略的重要组成部分和基础.发达国家长期以来努力实施教育公平.本文从个体、学校和社会三个层面对发达国家当前面临的教育公平问题及其解决策略进行分析阐述,并总结概括了发达国家实现教育公平的启示,以期为我国解决教育公平问题提供经验借鉴.     

基于电荷补偿的槽栅IGBT设计和工艺研究

大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法.     

研究生思想政治教育亲和力的培育与提升研究

思想政治教育亲和力是由复杂要素构成的动态系统,运行过程中这些要素紧密关联、高度契合、相互作用.研究生思想政治教育亲和力的培育必须在科学把握思想政治教育构成要素及相互关系的基础上,做到要素亲和力和整体亲和力兼顾、内在亲和力与外显亲和力协调、过程亲和力与结果亲和力并重.研究生思想政治教育亲和力的提升,需要在遵循思想政治教育发展客观规律的基础上,关注社会现实问题和研究生的心理世界,并着力于满足研究生成长发展需求和期待,促进各个环节、各个方面相互衔接、交叉渗透、高度融合.     

全球化背景下PISA在美国基础教育质量评估体系中的贡献——基于美国PISA与NEAP的比较

上世纪末期以来,伴随各国对本国教育质量的关注,以及各国间教育交流和竞争的加强,不少发达国家都开展并实施国内范围和国际性的基础教育质量评估.本文通过比较美国的"国家教育进展评估"(NEAP)和国际学生评估项目(PISA)的异同,重点总结PISA在美国基础教育质量评估体系中的贡献,并指出PISA是全球化背景下基础教育质量多元评价体系中的一种重要实践,对我国建立多元化的基础教育质量监测体系有着重要的启示.     

试论实践哲学对“休谟法则”的超越

休谟法则认为,善与恶既然是一个价值判断,它就不可能从事实判断中合乎逻辑地被推导出来。“是”与“应该”之间存在着的这个不可跨越的鸿沟,给传统的理性哲学以致命的打击。然而在理性哲学所不能企及的地方,也就是在马克思的实践哲学领域,“人”的出现为两者架起了天然的桥梁。