新世纪普通高校体育教师管理对策研究

采用文献资料、专家咨询、典型调查、数理统计和比较法对新世纪我国普通高校体育教师的管理对策进行了探讨及研究。对高校体育教师的个性心理特征、职业特点、学历及职称结构、体育系部团结、政务公开程度等方面进行剖析,认为对新世纪我国普通高校体育教师的管理应从引导、激励、民主、阳光政务、以人为本等方面着手。做到“决策民主化、办事公开化、工作制度化、教学规范化”,减少内耗、齐心协力、众志成城,为繁荣我国体育事业而努力．     

惠州市社会经济跨越式发展与人才配置问题研究

社会经济跨越式发展与人才配置问题是整个社会共同关注的热点。本文就惠州市社会经济跨越式发展与人才配置问题的必要性以及现状与制约因素进行分析, 重点提出了九点思路与对策。     

关于酉完全数

证明了酉完全数都不是幂数.     

人工智能赋能基础教育的路径与实践

人工智能赋能基础教育的重要路径就是以智能教学系统的形式为学习者提供个性化支撑和辅导。在正式的学校教育中,教师以混合式教学的方式将智能教学系统整合到常规教学中,可以对学生的学习效果起到显著而正面的促进作用;对于非正式的在线教育,智能教学系统对学习者的适应和帮助不仅体现在知识和能力上,更重要的是在情感和态度、方法与过程方面。本文以参与一个教育信息技术研究重点课题的三所学校的数学混合式教学实践为例,详细阐述人工智能赋能教育的路径及其影响效果,指出其未来发展方向。     

基于电荷补偿的槽栅IGBT设计和工艺研究

大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法.     

关于k次方根之和的整数部分

给出了有关k次方根之和的整数部分的一个恒等式,这一结果解决了M.Bencze提出的一个问题.     

Diophantine方程xn+yn=zφ(n)的本原解

设n是正整数,φ(n)是Euler函数.证明了方程xn yn=zφ(n)当且仅当n≤3时有正整数解(x,y,z)适合gcd(x,y)=1.     

浅析高职院校校企合作误区与对策

校企合作是高职教育培养高技能人才的重要途径,也是高职教育不断改革与发展的方向.当前,我国高职教育虽然在校企合作方面取得了初步成绩,但从整体上讲还没有建立起更有效的运行体系和长效机制.针对目前校企合作中存在的主要误区进行分析,并提出了相应的整改对策.     

谈谈人文环境与高职教育的关系

长期以来,高职院校的教师以及学校领导者对应用型人才的认识仅仅停留在技术的应用上,注重专业技能的训练,忽视了人文素质的培养。高等职业技术教育领域在扩大办学规模、加强技能教育的同时,必须加强其人文环境建设。良好的校园人文环境,是高职专业性人才全面发展的前提。强调人性的提升、人的全面发展以及物质、管理、文化等层面的体现,是高职教育人文环境的基本内涵,高职教育人文环境重在建设。