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采用磁控溅射技术,通过改变制样工艺条件在SiO2/Si基片上沉积MoS2薄膜,以形成异质薄膜器件,并对其微观结构、形貌特征和NH3探测性能进行表征和分析。研究结果表明,在室温条件下MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH3响应性能,并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联,最高可达230%,远超过单一薄膜。同时,器件的响应速度较快,响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图,对器件的气敏机理作了深入阐释。 相似文献
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多读书、读好书,不仅能丰富儿童的知识视野,更能全面提升儿童的精神气质。但是,由于应试教育以及"快餐"读物的影响,当前的课外阅读存在"功利性"与"娱乐化"两种不良倾向。笔者认为,儿童课外阅读应重在情趣培养和习惯养成,而"散步哲学"思想、"生长性文学圈",无疑是培养儿童阅读兴趣的新场域。 相似文献
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