首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   220篇
  免费   14篇
  国内免费   5篇
教育   115篇
科学研究   103篇
体育   3篇
综合类   3篇
信息传播   15篇
  2024年   1篇
  2023年   4篇
  2022年   1篇
  2021年   3篇
  2020年   3篇
  2019年   1篇
  2018年   2篇
  2017年   4篇
  2016年   1篇
  2015年   9篇
  2014年   21篇
  2013年   11篇
  2012年   11篇
  2011年   16篇
  2010年   12篇
  2009年   23篇
  2008年   16篇
  2007年   5篇
  2006年   13篇
  2005年   6篇
  2004年   14篇
  2003年   15篇
  2002年   8篇
  2001年   13篇
  2000年   9篇
  1999年   1篇
  1998年   2篇
  1997年   1篇
  1996年   3篇
  1995年   2篇
  1994年   1篇
  1993年   3篇
  1992年   1篇
  1991年   1篇
  1989年   1篇
  1987年   1篇
排序方式: 共有239条查询结果,搜索用时 15 毫秒
231.
齐普光电亮相迪拜展2012年1月31日至2月2日,深圳市齐普光电子有限公司应邀参加了为期三天的中东(迪拜)国际广告及影像展。中东(迪拜)国际广告及影像展,是中东及非洲地区规模最大的广告技术设备展览会,也是同行业中最大的B2B展会之一。  相似文献   
232.
光电子晶体材料与器件在科技、军事、先进制造等领域发挥日益重要的作用。本文分析了我国光电子晶体材料和器件的研发优势和存在问题,提出了我国发展光电子晶体材料和器件的建议。  相似文献   
233.
在当今Si基光电子研究中,SiGe材料系自组织Ge量子点是最有希望对Si材料运用能带工程实现人工改性的途径之一。Ge在Si上 4.2 %的晶格失配可以制造大小尺寸不同的纳米结构,还可适应其他多种器件需要。对自组织Ge量子点的形成过程、形貌演化、光学和电学性质,以及提高量子点平面排布有序性的方法进行了系统的分析和研究,并着重介绍了实验中发现的新现象、新模型和新方法,其中包括量子点的反常形状跃迁、自覆盖效应、Ge/Si量子点的II型能带结构、Ge/Si量子点的载流子热弛豫模型和纳米尺寸的周期性图形衬底的全息制备方法  相似文献   
234.
《黑龙江科技信息》2013,(33):I0007-I0007
[导读]如何在纳米尺寸的集成芯片上实现像操纵电子一样来操控光子是光电子技术未来发展的关键。在其启发下,光子电路研发会有更多样化的探索。  相似文献   
235.
以当前新时期信息技术对光电子技术领域创新性人才的实际要求为背景,针对光电类课程在教学方式、主体、评价体系等方面的实际问题,提出了以多维协同教学模式改进光电类课程教学方法、构建高效课堂。分析了通过教师、学生、教学资源等方面的协同合作来提高课堂教学效果,提升学生自主学习的积极性,为实现光电类高效课堂、培养具有创新意识人才提供有益参考。  相似文献   
236.
光电子实验室构建思路及其实践   总被引:1,自引:0,他引:1  
阐述了光电子实验室建设思路,将专业实验教学分解成为基础、提高、综合和研究等层次,选用复合组合实验平台构建实验室基础设备,用可提供130余项实验项目的4种实验平台覆盖光电子专业的7门专业课程实验内容,总受益课程达到12门。实验组合灵活,为学生就业知识准备、实践性技能的培养提供了可能性,并为全校共享新上的专业实验室提供了硬件基础。  相似文献   
237.
《深圳特区科技》2004,(10):174-175
激光内雕机,HGL-YLP10光纤激光打标机,HGL-SHD系列二极管泵浦激光打标机,  相似文献   
238.
面对低频率的光为什么不能产生光电效应的难题,爱因斯坦认为:频率高的光线中单个光子的能量要比频率低的光线中单个光子所含的能量高,因此有足够的能力打出电子来。爱因斯坦也正是由此创造  相似文献   
239.
对目前国内外对光电子技术的研究现状进行了一个详细的介绍,并对光电子科技领域的使用情况进行了一个数据统计和分析,从一个数字化的方面来研究光电子技术在检测方面的应用情况,并对光电子技术的前景进行了一个合理的展望。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号