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在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辩率扫描透射电子显微镜(HR—STEM)测量样品的纳米结构.并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件进行精细结构模拟.并测量出样品横断面锗纳米团簇和纳米层的PL谱。在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的几个纳米厚的盖帽膜结构.首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时问和氧化温度匹配公式的理论模型与实验结果拟合得很好. 相似文献
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建立微芯片电泳-电化学检测技术分析细胞内还原型(GSH)和氧化型(GSSG)谷胱甘肽的新方法. 分别考察缓冲液pH值、缓冲液浓度、SDS浓度、分离电压、进样时间、检测电位等因素对GSH、GSSG分离检测的影响. 在最优实验条件下,在3 min内实现GSH和GSSG的有效分离和检测. GSH和GSSG的线性范围分别为5.0~200.0 μmol/L和2.0~100.0 μmol/L(R2>0.99),最低检测限(S/N≥3)分别为4.87 μmol/L和1.98 μmol/L. 最终将所建立的方法应用于细胞样品中2种物质含量的测定,结果令人满意. 相似文献
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TiO2/(Ni-Mo)纳米薄膜电极的制备及其在中性介质中的光电催化性能 总被引:1,自引:0,他引:1
在Cu基体上电沉积Ni-Mo合金后,通过溶胶-凝胶法制备了纳米TiO2修饰Ni-Mo合金电极.利用阳极极化曲线测试了TiO2/(Ni-Mo)薄膜电极在0.5mol/L Na2SO4溶液中的光电催化性能,考察了烧结温度、TiO2膜层厚度对电极性能的影响.结果表明:在400℃下烧结1h、拉膜9次制备的TiO2/(Ni-Mo)电极,光电流变化最大,光响应最明显.最后利用交流阻抗法测定了最佳条件下制备的电极的阻抗性能,光照后的TiO2/(Ni-Mo)薄膜电极的法拉第阻抗变小,说明该电极表现出良好的光电催化性能. 相似文献
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