多晶硅还原炉的雾化现象控制

针对在多晶硅还原炉的生产运行中,常有大量细硅粉生成,即雾化现象,进而影响产品品质的问题,进行了简要分析,并从硅棒温度、物料流量等6个主要方面介绍了控制措施,对还原炉的雾化控制、多晶硅产品品质的提升提供参考。     

光伏产业链中多晶硅产业SCP范式分析

光伏产业链中的关键组成部分是多晶硅产业,我国多晶硅产业经过近几年的飞速发展,市场集中度进一步提高,但是中小规模、技术落后的企业数量较多,给产业发展和环境保护带来压力。通过技术创新、政策引导以及产业链整合,促进多晶硅产业发展,并使我国的光伏产业,以及新能源的利用进一步发展。     

Science Letters： A robust polysilicon-assisted SCR in ESD protection application

A novel polysilicon-assisted silicon-controlled rectifier (SCR) is presented and analyzed in this paper, which is fabricated in HHNEC's 0.18 μm EEPROM process. The polysilicon-assisted SCRs take advantage of polysilicon layer to help bypass electro-static discharge (ESD) current without occupying extra layout area. TLP current-voltage (I-V) measurement results show that given the same layout areas, robustness performance of polysilicon-assisted SCRs can be improved to 3 times of con- ventional MLSCR's. Moreover, one-finger such polysilicon-assisted SCRs, which occupy only 947 μm2 layout area, can undergo 7-kV HBM ESD stress. Results further demonstrate that the S-type I-V characteristics of polysilicon-assisted SCRs are adjustable to different operating conditions by changing the device dimensions. Compared with traditional SCRs, this new SCR can bypass more ESD currents and consumes smaller IC area.     

试论改良西门子法生产多晶硅的工艺

多晶硅是硅产品产业链中的一个非常重要的中间产品,是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料,是信息产业和新能源产业最基础的原材料.改良西门子法生产多晶硅是目前最为成熟、应用最广泛、扩展速度最快的技术.本文对改良西门子法生产多晶硅的工艺流程作了介绍,并阐述了工程设计中需注意的问题.     

基于TCAD技术的碳化硅槽栅MOSFET器件设计

针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题，设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构，通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管，在不使器件的其他电学特性退化的基础上，改善器件的反向恢复特性。基于TCAD工具——ATLAS二维的半导体工艺与器件仿真软件，对碳化硅槽栅MOSFET器件的I-V特性、击穿特性以及反向恢复特性进行了研究。研究结果表明，与常规的碳化硅槽栅MOSFET器件相比，新结构的反向恢复特性明显改善，反向恢复时间减小了48.8%，反向恢复电荷减小了94.1%，反向峰值电流减小了82.4%。