配合物[CoIm6]·SO4·2H2O的合成和晶体结构

在水-乙醇混合溶液中合成了标题配合物[CoIm6]·SO4·2H2O（Im=C3H4N2,咪唑）并且培养出了配合物单晶,利用X-射线单晶衍射手段分析了配合物的结构。结构分析结果表明：该配合物为六方晶系,P-1空间群,晶胞参数a=0.89999（15）nm,b=0.89999（15）nm,c=2.3080（8）nm,α=90℃,β=90℃,γ=120℃。V=1.6190（7）nm^3,Z=2,最终的偏离因子R=0.0862,wR=0.2505,GOOF=1.040。六个咪唑分子的氮原子与钴离子配位,形成了八面体几何构型,在配合物的晶格中,还存在着硫酸根和两个游离的水分子。     

两个含Zn的金属有机配位聚合物的合成及其晶体结构

将Zn(CH3COO)2.2H2O与3,5-二羧酸-吡啶(3,5-H2pydc)以1:1的比例混合溶于无水C2H5OH和NH3.H2O(10:1)的混合溶液中,在室温下搅拌反应即可得二维聚合物[Zn(3,5-pydc)(H2O)2]n(1)。将Zn(CH3COO)2.2H2O与反式-1,2-双-(4-吡啶基)乙烯(bpe)以1:1的比例混合溶于无水CH3OH和NH3.H2O(10:1)的混合溶液中,搅拌反应即可得一维聚合物[Zn(CH3COO)2(bpe)]n(2)。     

高T_c氧化物超导体的研究现状与前景

超导体的两大宏观特征1908年荷兰莱登实验室的K．Onnes将最后一种“永久气体“——氦气液化成功,从而达到了4.2K的低温。在这个新的温度范围内,人们首先感兴趣的就是观察纯金属的电阻,当时能获得的最纯金属是汞。1911年在测定低温下汞的电阻时,K.Onnes发现,它在4.2K附近突然跳跃式下降。     

A new GaAs-based Long Wavelength Laser Diode Developed

Researchers at the CAS In stitute of Semiconductors (ISCAS) have made significant progress in their work on a new generation of the GaAs based longwavelength laser device. Recently they have developed the world's first 1.586μm GaInNAsSb/GaNAs/ GaAs single quantum well laser diode under continuous-wave operation mode at room temperature.     

一个新颖的叠氮根离子1,3桥连的一维链状的锰的配合物的水热合成与晶体结构

合成了一个锰的水杨醛乙二胺Schiff碱的配合物,并分别用元素分析、红外光谱、X-单晶衍射仪等手段对该配合物进行了表征。配合物化学式为C16H14MnN5O2,式量为363.26。配合物属单斜晶系,Pca2(1)空间点群。晶胞参数:a=10.9590(8),b=12.9699(9),c=11.1316(8)。中心离子呈变形的八面体几何结构,与Schiff碱的N、O原子配位,又与叠氮根离子的N原子形成1,3桥连的一维链状结构。     

单晶变角EPR谱的拟合

通过对本征场方法分析，提出了新的计算方案，根据这一方案编写了程序，对掺 Ｃｒ～（３＋）铝铵矾单晶变角的ＥＰＲ谱作了解析，得到了更加可靠、准确的自旋Ｈａｍｉｌｔｏｎ参数，并对离 子在不同角度下的广义本征场计算与实验结果相比较，得到很好的拟合结果．     

抢占“镓体系”半导体科技制高点 助力实现光电子信息产业的率先突破

“镓体系”半导体材料具有高效光电转换效率和光谱覆盖广的突出优点,是助力实现光电子信息产业突破的关键基础材料。为抢占“镓体系”半导体科技制高点,文章在分析“镓体系”半导体科技的战略意义、重大需求和国内外发展态势基础上,从建制化科研组织、基础研究、自主可控的平台建设等方面对我国发展“镓体系”半导体科技提出了政策建议。     

单晶培养的方法和注意事项

近年来,随着X-光晶体结构解析技术的日益成熟,以及同步幅射光源的使用逐渐普遍,解析X-光晶体结构所需的时间已大幅缩短,加上此技术一般说来没有分子量的上限,因此研究物质的晶体结构越来越便利。所以单晶的培养越来越受到人们的关注。     

硅晶体OSF缺陷与直拉单晶工艺关系的研究

利用Cz法生长的单晶硅是半导体和光伏行业的重要基材,但该常规工艺存在一定缺陷:单晶硅头部容易产生较多OSF缺陷,导致头部无法使用。作者通过计算机模拟技术结合实际试验,对常规工艺进行优化。通过对常规和试验单晶硅头部OSF缺陷检测,得出:提升晶体转速、降低石英坩埚转速、提高晶体头部拉速可有效降低单晶硅头部OSF缺陷。