高压合成MgB_2超导体单晶的研究现状

简要叙述了MgB2超导体的超导机制、超导特性及其应用,重点介绍了目前MgB2单晶体生长过程中存在的主要问题和高压合成MgB2超导体单晶的研究现状.     

三值GaAs场效应晶体管电路的研究

探讨了具有缓冲功能的三值ＧａＡｓ电路的基本结构,并根据ＰＳＰＩＣＥ程序的模拟结果,提出了逻辑级的电路的结构,建立了对应的开关模型,根据该模型提出了三值ＧａＡｓ在开关元件级的电路设计方法。     

半导体（砷化镓）激光照射对犬创伤愈合及细胞免疫机能的影响

以犬为试验动物研究了半导体（砷化镓）激光照射创面对皮肤缺损创愈合以及血液中酯酶染色阳性淋巴细胞数的影响。结果，用不皮长890nm，平均功率2mW，峰值功率2W的半导体激光照射创面可使边长2cm的正方形犬皮肤全层缺损创平均提前3.51d愈合，并使血液中酯酶染色阳性淋巴细胞数明显提高。     

乾照光电:“三重三轻”的发展模式

在获得一种高效太阳电池制备方法的专利后不久,乾照光电(300102)又于近期获得186万元财政部专项经费,用于带隙匹配的倒置四结太阳电池课题研究项目。财务数据显示,乾照光电2010年共获得政府补助高达2700万元,而补助的背后正是技术的腾飞和业绩的高     

Optical transition and carrier relaxation in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with InAlAs and InGaAs combination cap layer by resonant excitation

The photoluminescence （PL） spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots （QDs） with InAlAs/InGaAs combination cap layer grown by molecular beam epitaxy are studied under different excitation conditions.The intrinsic optical properties of InAs QDs are investigated under resonant excitation condition.A longitudinal optical （LO） phononassisted peak can be well resolved under Eex 〈 E GaAs g,which give evidence that the phonon-related process is dominated for carrier relaxation in InAs QDs with InAlAs/InGaAs combination cap layer when they are under resonant excitation condition.A rate equation model is established to interpret the difference of thermal activation energy （Ea）.The Ea measured under Eex 〈 E GaAs g,can exactly describe the intrinsic physical mechanism of temperature-induced quenching in InAs QDs,because it can be irrespective of the barrier materials.This result will benefit to validating the parameters of quantum dots infrared photodetector （QDIP） in sequent procedure of device fabrication.     

大型仪器使用及管理效益的探讨

化学与环境学院实验中心在大型仪器运行、维护与管理工作中,以单晶衍射仪为例,对如何维护和管理好单晶衍射仪,充分发挥单晶衍射仪设备作用和效益进行了探讨,为管理和维护好其他大型仪器起到以点带面的借鉴作用。提出了一种大型仪器使用效益评价的新方法。     

单晶铜连铸机械维修与保养中的几点体会

本文主要从技术保养和维修注意点两个方面分析单晶铜连铸机的机械使用管理,并就维修过程中产生的一些想法提出探讨学习。     

二维层状磁性半导体材料FePS_3的物理性质研究

利用化学气相输运法制备出了过渡金属-磷-三硫化物FePS_3的高质量单晶样品,并对该单晶样品的晶体结构、电输运性质和磁各向异性进行了系统的研究.粉末X射线衍射结构精修显示FePS_3呈单斜晶体结构,具有典型的层状结构特征.面内电阻率随温度降低而升高,呈半导体行为,激活能大小为273 meV.在高温区,面内磁化率和面间磁化率都随温度降低而升高,呈居里-外斯顺磁行为;但是两个方向上磁化率的外斯温度符号相反,表现出明显的各向异性.随着温度的降低,两个方向上的磁化率在118 K附近都急剧减小,然后保持不变,表现出典型的反铁磁相变行为,但是该反铁磁相变具有明显的一级相变特征.