新型电子器件及应用

电子器件是现代电子技术的主要组成部分，随着集成电路特别是大规模和超大规模集成电路不断更新换代，致使电子设备在微型化，可靠性和电子系统设计的灵活性等方面有了重大的进步，因而电子技术成为当代高新技术的龙头。     

柔性配体庚二酸与镨的二元配位高聚物的合成与晶体结构

首次用水热方法合成了配合物[Pr(C7H10O4)(OH)(H2O)]·H2O(C7H10O4为庚二酸二价负离子),用红外光谱进行了表征,并做了单晶X-射线衍射分析。配合物[Pr(C7H10O4)(OH)(H2O)]·H2O的结晶属正交晶系,空间群为3,Z=4。二维配位高聚物层之间通过Cmc2(1),晶胞参数a=22.934(9) A,b=6.795(3) A,c=8.219(3) A,v=1280.7(8) AO-H···O氢键组装成三维超分子结构。     

钼及钼合金单晶的制备

说明了钼及钼合金单晶的制备原理 ,详细介绍了钼单晶的制备工艺 (包括原料选择、制取籽晶、引晶、电子束区域熔炼实验及性能测试等 ) ,同时还简要介绍了钼合金单晶的制备。     

一个含有逆硫氰根离子的镍配合物的合成和晶体结构

制备了一个结构新颖的镍的二价配合物,并过元素分析,红外光谱和X-射线衍射对其进行表征.结果表明该配合物属三斜晶系,空间群为P-3c1,晶胞晶胞参数为:a=11.9404(8),b=11.9404(8),c=17.087(2),V=2109.8(3)3,Z=4,Dc=1.389 Mg/m3,F(000)=924,化学式C7H26N7N i O1S1,化学式量为317.7.中心镍离子与3个乙二胺的六个氮原子配位成一个变形八面体结构.同时,晶体中含有没有配位的逆硫氰根离子和水分子.配合物结构单元的分子之间是通过氢键相连接,从而形成了比较稳定的一维链状结构.     

层状过渡金属化合物CaMn_2Bi_2的物理性质研究

利用Bi作为助熔剂制备出了层状过渡金属化合物CaMn_2Bi_2单晶样品,通过X射线衍射、能谱分析系统、综合物性测量系统等测试设备对该单晶样品的晶体结构、化学成分、电学和磁学性质进行了测量和表征.结果表明:CaMn_2Bi_2是一个层状过渡金属化合物,具有三角晶系Ca Al_2Si_2型的晶体结构,Mn2+排列成三角格子层.磁化率在150 K表现出反铁磁行为,但是在反铁磁转变温度以上磁化率不满足Curie-Weiss行为表现出鼓包行为,说明在反铁磁转变温度以上系统中存在着很强的反铁磁关联.电阻率从300 K开始随温度降低而降低,表现出金属线性行为;在150 K附近随温度降低而急剧地降低,这与发生反铁磁转变是相关的;直到70 K附近电阻率降到最低,随后在低温下随温度降低而升高,表现出半导体行为.     

X-射线单晶衍射仪应用于本科实验教学的探索

将X-射线单晶衍射仪应用于本科综合实验教学,使学生熟悉仪器的使用方法,提高了学生综合实验能力,培养了学生的科研意识和创新精神。通过实践不仅促进了大型精密仪器与本科实验教学的有机结合,而且推动了研究型学习和创新性教学方式的改革。     

发明创业永不言败——记浙江省开化县模具厂总经理胡林宝

在电子信息产业链中，硅材料是半导体产业赖以生存的基础材料。在单晶硅材料的切磨加工领域，有一位民间发明人被这个行业的人士所熟知。他成功发明了加工研磨硅片的专用模具和制作工艺，大大降低了生产成本和劳动强度，结束了普通钢带制作的载体（游星轮）强度、翅曲度、平整度都达不到使用要求的历史，打破了日本和韩国企业在国内的市场垄断地位。他就是浙江省开化具模具厂总经理胡林宝。     

PMN——PT铁电单晶的时域介电谱

测量了PMN-PT单晶0℃至120℃范围内的时域介电谱.分出了晶体中晶格极化,铁电畴运动和屏蔽电荷激发三种极化机构的作用.各极化机构的响应时间对样品的极化状态非常敏感.