硼锂酸盐Li3B3O6（OH）6的合成及结构分析

利用水热方法合成了硼锂酸盐Li3B3O6（OH）6,单晶x射线衍射分析证明化合物属四方晶系,空间群为P4（3）2（1）2,Z=4。Mr=919,a=6.8388（3）魡, b=6.8388（3）魡,c=14.5336（14）魡, V=679.72（8）魡3,α=90°,β=90°,奕=90°,F （000）=504,Dc=2.456g/cm3,R=2.456,Wr=0.2103,符合I>2σ（I）的独立衍射点483个。     

砷化镓集成电路基础技术研究

砷化镓集成电路(GaAsIC)是微电子发展的重人新领域。本文将介绍其特点、主要方向和用途。重点介绍砷化镓集成技术基础研究对发展我国GaAsIC的重大意义。国家自然科学基金委员会安排“砷化镓集成电路基础技术研究”重大项目,其目的是研究国际上正在发展的第二代砷化镓集成技术——难熔栅全离子注入集成技术,为发展砷化镓超高速集成电路微波单片集成电路打下牢固的基础。     

金刚石研究的历史进展—单晶金刚石薄膜

人类在很早以前就发现了天然金刚石,虽然在自然界可以找到很大的金刚石晶体,但数量很少,很昂贵,只能作装饰品,为皇冠上的明珠,不能大量工业应用。1959年英国的M·P·Bovenkerk等用人造方法在高温高压下合成金刚石颗粒获得成功,为工业上大量应用金刚石颗粒开辟了道路,为制作切削工具,     

国内最大六面体钻石单晶面世

近期,河南理工大学材料学院超硬材料研究中心臧传义博士等人合成出目前国内最大的优质六面体钻石大单晶,晶体直径达到7．3mm,重1．2克拉。据悉,目前该实验室正在研究更大、更快的优质单晶生长工艺。     

Pr_3Co单晶的Czochralski pulling法制备研究

笔者对用Czochralskipulling法制备Pr_3Co单晶的生长条件进行了研究,首次用此法成功地制备了Pr_3Co单晶,为研究其物理特性提供了必要条件。     

x射线衍射研究单晶Si衬底上低温生长的LaNiO3／Pb（Zr0．52Ti0．48）O3／LaNiO3铁电电容器结构

通过脉冲激光沉积,于Si(001)单晶衬底上在550℃的衬底温度下生长了LaNiO3／Pb(Zr0．52Ti0．48)O3／LaNiO3/SrtiO3/TiN/Si异质结构。利用四圆x射线分析了该多层膜结构中各层曲轴向外延关系。     

三氟甲磺酸稀土化合物,络合物的合成与表征

本文用水热法合成了三氟甲磺酸稀土钕化合物,并首次培养出了三氟甲磺酸钕的单晶。于低温-85℃对三氟甲磺酸钕化合物进行了X-射线单晶衍射分析,发现该化合物属六方晶系,九个结晶水与钕原子的空轨道配位;随后合成了三氟甲磺酸钕与溶剂DMSO的络合物,并对该络合物进行了元素分析(ElementalAnalysi)s,根据得到的元素比例,计算得化学式应为Nd(CF3SO3)3·4DMSO。由于尚未培养出Nd(CF3SO3)3·nDMSO配合物,其内部结构还有待进一步研究。     

Model Catalysts from Single Crystals to Nanocrystals/Nano-Composites

Heterogeneous catalysis is a key technology for chemical and materials synthesis, fuel production, power gener- ation and conversion, and environmen- tal remediation. To cope with resources （energy） shortage and environmental pollution, chemical processes should be not only efficient but also clean, and cat- alysts must be active and selective. The innovation of such catalysts requires a fundamental understanding of the struc- ture-activity relation of catalysts that can guide the design of catalyst structures.     

关于掺杂半导体光吸收的研究

掺杂半导体光吸收是半导体材料应用于电子和光电器件的基础。当光场作用在n型掺杂半导体材料砷化镓时,结果表明不同掺杂浓度下光生电子浓度随着弛豫时间的变化而变化,光生电子浓度随着光吸收系数的增加而增加。