GaAs PHEMT开关电路研究

概述了微波毫米波结构高电子迁移率晶体管的结构特性,在相同条件下,PHMET器件的功率特性和线性性能均要好于MESFET器件。利用GaAsPHEMT集成电路的设计和工艺技术,研制开发移动通信用的GaAsMMIC大功率高线性单刀双掷开关集成电路,产品具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0．7dB,隔离度大于26dB,在2GHz,插损为0．8dB,隔离度大于22dB,并且具有较高的功率处理能力,其P-0．1≥10W。产品由GaAs圆片标准PHEMT工艺线加工,成本低,并且采用低费塑料封装,产品各项性能指标均达到了国外同类产品水平。     

氘气分子在Ag(111)上的吸附-脱附

气体分子在金属表面上的解离吸附能垒值是一个非常重要的动力学参数．通过研究脱附分子的角分布和动能分布来了解吸附能垒的信息,是获得解离吸附能垒的一种有效的方法．遗过用一个计算脱附分子角分布和动能分布的新模型．研究实验测量的从银单晶表面Ag（111）脱附的氘分子（D2）的动能分布．     

5-氯-3-甲基-1-苯基-4-吡唑甲醛的合成和晶体结构

合成了吡唑类化合物5-氯-3-甲基-1-苯基-4-吡唑甲醛,用X-单晶衍射测定了晶体结构。结果表明,晶体属单斜晶系,P2（1）／C空间群,晶胞参数a=0．6345（7）nm,b=0．68432（7）nm,c=2．2331（2）nm,α=90°,β=93．816（2）°,γ=90°;晶胞体积V=1．02685（19）nm^3;晶体密度Dm=1．427Mg／m^3,Z=4,吸收系数μ=0．344mm^-1,F（000）=456．分子间依靠C（8）-H（8B）…0（1）和C（2）-H（2）…0（1）#1氢键形成晶体结构堆积。     

十字交叉型并五苯衍生物的合成及晶体结构

以2-正己基噻吩为起始原料,成功地合成出一系列新型寡聚噻吩修饰的并五苯衍生物（1a～1c）,通过1H NMR1,3C NMR,MSI,R和元素分析确证了其结构.并利用单晶X射线衍射测定了化合物1a的晶体结构.结果表明,该晶体属于三斜晶系,P-1空间群,其晶胞参数为：a=7.7299,b=9.2123,c=12.4220,α=69.112°,β=81.845°,γ=85.655°.化合物1a形成独特的十字交叉形状和面对面的晶体堆积结构.     

乾照光电:或提供天宫一号太阳能电池片

传闻:乾照光电(300102)提供天宫一号上的太阳能电池片,是隐形的"天宫一号"概念股。记者连线:乾照光电证券部工作人员称,公司的太阳能电池外延片全都是供给上海811所,至于其具体将产品用于哪些航天航空装备上,是不会告知我们的,这是属于国家机密。     

低温相偏硼酸钡(BBO)晶体的发现和意义

即将形成的高技术产业——光电子工业自六十年代激光问世以来,由于激光束在方向性,相干性,单色性和高储能性等方面具有突出的优点,以及能对激光束进行调频,调幅,调相,调偏作用的非线性光学晶体(包括电-光晶体)和光折变晶体的相应发展,已使激光技术在工业,农业,军事,医学等领域中得到了广泛的应用。近些年来更趋活跃,往往在实验室取得成果后的一二年内就能迅速形成产业,转化周     

我国自主研发的新型硅单晶炉“出炉”

日前，由西安理工大学和北京有色金属研究总院承担的国家“863”计划项目“TDR-150型单晶炉（12英寸MC2综合系统）”在北京通过了验收，这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用硅单晶生长设备在我国研制成功。验收专家组评价TDR-150型单晶炉性能稳定可靠，运行平稳，填补了国内12英寸无位错硅单晶生长设备的空白。     

双(苯并咪唑-2-叶立德)金属汞(Ⅱ)配合物的合成

N-乙基苯并咪唑与溴乙烷在加热条件下反应生成溴化双(苯并咪唑-2-叶立德)盐,探讨这种配体直接和氧化汞在多种通常的条件下反应,实验表明,都生成双(苯并咪唑-2-叶立德)金属汞(II)配合物.并通过乙醚缓慢渗透培养出单晶,利用X-衍射来测定其分子结构.     

硅单晶生长炉谐波治理技术方案分析

单晶炉在硅料熔化过程中谐波含量很大,产生大量的高次谐波电流,污染电网,危害用电设备。本文阐述了采用晶闸管投切集中滤波补偿系统及单晶炉就地5次谐波滤波柜对单晶炉供电系统进行动态谐波治理及无功补偿的技术方案,改变了大多数厂家采取传统的L—C滤波器进行治理谐波的思路,避免了发生滤波器谐波过载及各单晶炉间电气设备产生串、并联谐振现象,从而对公司产生了良好的经济与社会效益。     

Maxi-160型UPS电源在单晶硅片生产设备中的应用

本文介绍了单晶硅片生产车间中瑞士DS262／C型多线切割机上配置的Maxi-160型UPS不间断电源的作用、工作原理、选型、安装与接线,并简单说明了UPS电源在日常运行与维护过程中应注意的问题。