我国合成世界首例单晶碲化物纳米带

在国家自然科学基金委、科技部、中国科学院的大力支持下，中国科学院长春应化所稀土化学与物理院重点实验室，在一维碲化锑纳米材料合成方法的开发方面取得了重大突破，有关研究成果发表在近期的美国化学会杂志上。[第一段]     

我国自主研发的新型硅单晶炉“出炉”

日前，由西安理工大学和北京有色金属研究总院承担的国家“863”计划项目“TDR-150型单晶炉（12英寸MC2综合系统）”在北京通过了验收，这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用硅单晶生长设备在我国研制成功。验收专家组评价TDR-150型单晶炉性能稳定可靠，运行平稳，填补了国内12英寸无位错硅单晶生长设备的空白。     

GaAs晶体缺陷与外延层缺陷显示研究

GaAs衬底与外延层质量,尤其是晶体的完整性严重影响着以其为材料的半导体器件的性能,而超声AB的腐蚀法是一种能准确快速的显示GaAs体缺陷与器件外延层缺陷的检测法,本文提供了超声AB的腐蚀法显示GaAs体缺陷与外延层缺陷的实例照片与工艺条件。并对其进行了分类,充分显示了它良好的可靠性。     

硅基氧化锌单晶材料及光电子器件研发获重要进展

物理所／北京凝聚态物理国家实验室杜小龙研究组,与微加工实验室的顾长志研究组合作,设计并制备了一种新型n-ZnO／i—MgO／p—Si双异质结p—i-n可见肓紫外探测器原理型器件。该器件具有良好的pn结整流特性,在±2V时的整流比达到10^4以上。研究发现ZnO／Si中间插入的MgO势垒层有效地抑制了硅对可见光的响应,器件只对高于ZnO带隙（380nm）的紫外光响应,因而具有可见肓紫外光探测功能。与市售的硅紫外光电探测器相比,该器件充分利用了宽带隙ZnO卓越的光电性能,紫外光响应强。并可直接在可见光背景下工作,不需要滤光系统来屏蔽可见光的响应,因而具有结构简单、性能优越等优点。     

应用研究型研究所的横向联合

生产企业是社会经济的细胞,社会生产力的主要承担者。促进研究所科研与企业生产密切结合,疏通科研成果向企业流动、扩散的渠道,提高企业的技术开发能力,推动企业的技术进步以发展生产、繁荣经济,应是研究所——特别是应用研究型研究所——发展横向联合的主要宗旨。     

浅谈晶胞与金属晶体堆积方式

一、晶胞晶体分为单晶和混晶,晶胞是从单晶中定义的,即晶体中的最小重复单位。那么,晶胞是如何被勾画出来的呢?这就要从晶系说起。在空间点阵中,我们总可以划出一个一个的平行六面体。     

化合物[(C36H36H24O12)ErNa(NO3)Cl(H2O)4]·(NO3)2·5H2O的合成和晶体结构

本文合成了化合物[(C36H36N24O12)ErNa(NO3)Cl(H2O)4]·(NO3)2·5H2O,利用X射线衍射法测定了单晶结构。晶体属正交晶系,空间群为Pna2(1),a=31.969(5),b=14.828(2),c=11.768(2),V=5578.5(2)3,Z=3,F(000)=2352,R1=0.0600,wR2=0.1719。     

化合物[（C36H36N24O12）ErNa（NO3）Cl（H2O）4]·（NO3）2·5H2O的合成和晶体结构

本文合成了化合物[（C36H36N24O12）ErNa（NO3）Cl（H2O）4]·（NO3）2·5H2O利用X射线衍射法测定了单晶结构。晶体属正交晶系,空间群为Pna2（1）,a=31．969（5）A,b=14．828（2）A,c=11．768（2）A,V=5578．5（2）A^3Z=3,F（000）=2352,R1=0．0600,WR2=0．1719。     

配合物[CoIm6]·SO4·2H2O的合成和晶体结构

在水-乙醇混合溶液中合成了标题配合物[CoIm6]·SO4·2H2O(Im=C3H4N2,咪唑)并且培养出了配合物单晶,利用X-射线单晶衍射手段分析了配合物的结构.结构分析结果表明:该配合物为六方晶系,P-1空间群,晶胞参数α=0.89999(15)nm,b=0.89999(15)nm,c=2.3080(8)nm,α=90℃,β=90℃,γ=120℃.V=1.619(7)nm3,Z=2,最终的偏离因子R=0.0862,wR=0.2505,GOOF=1.040.六个咪唑分子的氮原子与钴离子配位,形成了八面体几何构型,在配合物的晶格中,还存在着硫酸根和两个游离的水分子.     

单品培养的方法和注意事项

近年来,随着X-光晶体结构解析技术的日益成熟,以及同步幅射光源的使用逐渐普遍,解析X-光晶体结构所需的时间已大幅缩短,加上此技术一般说来没有分子量的上限,因此研究物质的晶体结构越来越便利。所以单晶的培养越来越受到人们的关注。