首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   623篇
  免费   7篇
  国内免费   8篇
教育   350篇
科学研究   250篇
各国文化   2篇
体育   6篇
综合类   18篇
信息传播   12篇
  2024年   1篇
  2023年   7篇
  2022年   8篇
  2021年   7篇
  2020年   5篇
  2019年   7篇
  2018年   1篇
  2017年   2篇
  2016年   11篇
  2015年   15篇
  2014年   40篇
  2013年   32篇
  2012年   52篇
  2011年   55篇
  2010年   45篇
  2009年   39篇
  2008年   35篇
  2007年   21篇
  2006年   24篇
  2005年   29篇
  2004年   36篇
  2003年   26篇
  2002年   20篇
  2001年   22篇
  2000年   19篇
  1999年   14篇
  1998年   6篇
  1997年   9篇
  1996年   13篇
  1995年   10篇
  1994年   8篇
  1993年   4篇
  1992年   4篇
  1991年   2篇
  1990年   5篇
  1989年   4篇
排序方式: 共有638条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
介绍了电阻应变片的工作原理及应变片的安装,并详细的阐述了旋翼轴扭矩疲劳试验的应力测试系统及载荷的静态标定,对应力应变测试结果进行误差分析。  相似文献   
42.
十二.晶体硅电池在太阳能飞行器上的封装方法 常用的封装方法有以下几种。 1.预先整体封装。 进行预先整体封装时,应先根据太阳能飞行器的布局与结构设计好电池片的敷设方式.  相似文献   
43.
李鹏  潘开林  赵鲁燕 《科技通报》2021,37(10):83-86,94
柔性凸点技术是解决当前晶圆级封装柔性适应性的关键技术之一.对比了传统CWLP柔性凸点技术的基础上给出了新型隐埋空气隙柔性凸点结构,分析了采用隐埋空气隙的柔性凸点结构作用柔性适应性原理及特点.对比分析各类CWLP器件柔性凸点制备技术基础上,结合硅微加工工艺探讨并给出了隐埋空气隙的柔性凸点的完整结构制备工艺流程.结果表明,基于硅微加工技术制备隐埋于重分布铜互连线下方空气隙的柔性凸点结构制备工艺合理,应用所给出的制备工艺制造完成了 CWLP器件隐埋空气隙柔性凸点结构.  相似文献   
44.
研究目的:为了满足低温系统的材料选择和结构设计对于材料热膨胀特征参数的需求,研发低温条件下精确、快速、方便操作、低成本的热膨胀特征参数测量方法和系统装置。创新要点:完成了卡玛合金箔应变片在77-293K低温温区敏感系数的修正,保证了基于应变片技术的低温条件材料热膨胀特征参数测量的精度;所研制装置合理的热设计和等速率式温度控制模式使得材料热膨胀特征参数在77-293K温区的测量可在14小时内快速完成。研究方法:针对77-293K温区,基于应变片测量方法,研制了采用比例-积分-微分(PID)温控系统的固体材料热膨胀特征参数测量装置(见图2和3)。通过将304不锈钢的测量数据与美国国家标准与技术研究院(NIST)公布数据进行比较,完成了卡玛合金箔应变片存77-293K低温温区的敏感系数修正(见图7和8)。采用修正后的敏感系数进行无氧铜线性收缩率测量,并与NIST公布数据比较(见图9和表2),验证了该装置在77-293K低温温区的测量精度。重要结论:获得了77-293K低温温区卡玛合金箔应变片敏感系数的修正结果;基于修正敏感系数的应变片法测量装置,采用0.3K/min的等速率式温度控制模式,可实现77-293K低温温区固体材料热膨胀特征参数的精确、快速测量。  相似文献   
45.
A wideband dual-feedback low noise amplifier(LNA) was analyzed, designed and implemented using SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT) technology. The design analysis in terms of gain, input and output matching, noise and poles for the amplifier was presented in detail. The area of the complete chip die, including bonding pads and seal ring, was 655 μm×495 μm. The on-wafer measurements on the fabricated wideband LNA sample demonstrated good performance: a small-signal power gain of 33 dB with 3-dB bandwidth at 3.3 GHz was achieved;the input and output return losses were better than-10 dB from 100 MHz to 4 GHz and to 6 GHz, respectively; the noise figure was lower than 4.25 dB from 100 MHz to 6 GHz; with a 5 V supply, the values of OP1 dB and OIP3 were1.7 dBm and 11 dBm at 3-dB bandwidth, respectively.  相似文献   
46.
分析了旋转磁场的电磁搅拌作用对共晶铝硅合金微观组织组成、形态及分布的影响,探讨了磁场强度对共晶铝硅合金结晶过程的作用机理及作用规律。  相似文献   
47.
本在分析高炉内硅还原和脱硫条件的基础上,结合马钢三铁厂冶炼含钒制钢生铁的生产实际,确定铁水含硫[S]与含硅[Si]及炉渣碱度R三的定量关系,进而分析探讨80M^3高炉冶炼低硅低硫含矾制钢生铁的操作方针。  相似文献   
48.
49.
50.
硅是无机非金属材料的主角.硅及其化合物在信息技术、材料科学领域,在建筑、通信、光电技术及航空航天等方面有广泛的应用,前景十分广阔,地位非常重要.因此,硅及其化合物的性质成为人们关注的问题.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号