小班讲讲做做活动：穿袜了

幼儿入园已近一个月。在这一段时间里，他们学会了穿脱衣服，随着气候的逐渐转凉，需要穿袜子了。但观察发现，看似简单的穿袜子对小班幼儿来说确是个难点。比如，袜子拉不上去，不会将袜跟穿在正确的位置。针对这些情况，我设计了这个活动。     

贵州省穿青人大学生与相邻民族大学生体质健康对比研究

通过穿青人大学生与相邻七个民族大学生(汉族、苗族、彝族、布依族、白族、土家族和仡佬族)体质健康对比,发现不同性别不同民族大学生在身体形态、身体机能和身体素质之间均存在一定差异。在身高、体重、肺活量和立定跳远四个指标上,穿青人大学生较相邻的大多民族低,尤其是男子。但是引体向上却是穿青人大学生的强项,超过汉族和土家族。此方面研究为进一步了解穿青人的体质健康现状,有针对性地提高少数民族大学生体质健康水平提供科学依据,同时也对促进民族和谐稳步发展具有重要意义。     

原子间相互作用对囚禁原子玻色爱因斯坦凝聚隧穿动力学的影响(英文)

本文研究原子间的线性和非线性相互作用对两个原子玻色爱因斯坦凝聚(BEC)系统中的隧穿动力学的影响.这两个BEC初始处于相干态.我们详细研究了这类隧穿动力学的短时间(在凝聚的相干时间内)行为.发现由原子隧穿导致的两个凝聚间的布居差表现出周期性的拉比振荡,其振荡周期不仅依赖于原子间的相互作用,还取决于系统的初态.我们表明在一定条件下此系统可达到一个自囚禁的稳态.我们还研究了两个凝系间的隧穿原子流,发现在一定条件下可获得一个只含纯直流的原子流.     

穿棉布裙的哆啦A梦

如果 如果说，假如有一天，我们奔跑的速度可以超过光，那么，我们是不是就可以让时光倒流，回到过去？如同泻出于两峰之间的泉水自行向上流，花朵迅速返回成种子的最初形态，雨从地上升腾变回云朵，黑暗迅速恢复成光明……     

谁穿了我们遗弃的校服

在一个小花园里，碰到一位散步的老人，他的脸上，没有过多的悲喜，表情有些忧伤，有穿着时尚的人经过，他总会略带着艳羡，悄无声息地看上一眼。他的皮肤，因为长年的劳作，已经锈迹斑斑，     

新媒体艺术与现代生活

新媒体、高科技成为现代生活中的常用词汇,了解他们的含义并分析其间微妙的关系,对于生活在当今网络信息时代的人们有着极为重要的启发性意义.同时对于我们怎样看待不断高速发展的现今社会,并及时调整自身适应现代社会的能力,以及为提高我们适应高科技为主导的社会形态下,所应建立和修正的新型思维方式和判断能力的需要,充分展现人类自身生存质量和意义的探讨,是当下最为重要的社会话题.     

显微根管治疗技术处理复杂根管病例的临床疗效分析

目的评价牙科手术显微镜（Dentaloperatingmicroscope,DOM）联合超声器械处理复杂根管病例的临床效果,为推广应用显微根管治疗技术提供指导。方法收集2009年1月至2012年10月期间收治的375例显微根管治疗病例,共586个根管的数据信息,按根管钙化、根管变异遗漏、根管治疗不完善、器械分离、根管侧穿等原因分类进行统计分析,总结各种治疗类型的临床效果。结果323颗患牙成功完成治疗,成功率86．13％;521个根管成功完成治疗,成功率88．91％。疏通钙化根管、探查遗漏根管、根管再治疗、取分离器械、修补侧穿的成功率分别为85．71％、96．03％、88．52％、82．22％、90．32％。结论显微根管治疗技术处理复杂根管的成功率高,可使许多不同类型的复杂根管病例得到理想的治疗效果。     

襄阳“穿天节”习俗探源

"穿天节"是南北方文化汇合在襄阳产生的独有的地方特色的产物。"穿天节"的习俗源远流长,最初的传说可以追溯到公元前十世纪的周朝,到唐宋时期,襄阳人已形成了自己仪式独特和"道具"特有(穿天石)的民俗节日———穿天节。"穿天节"的起源和流传大致经历了远古神女传说、神话传说发源地确定、节令的形成和兴起三个阶段。每一个阶段都烙下了社会与时代的深刻印迹。     

善“抓”活鱼精“捡”芝麻细“穿”金线——探析县市级广播电视媒体的创优路径

广播电视媒体创优工作,关键在于优选素材、深入采访、精细制作。结合县市级台的工作实践,就是要善于撒“网”抓“活鱼”,要沉下身子“捡”芝麻,要拼足力气“穿”金线,在素材的精选上、采访的精细上、制作的精致上下工夫,精益求精创优各类稿件。     

InP-based RTD/HEMT monolithic integration

Monolithic integration of resonant tunneling diodes (RTDs) and high electron mobility transistors (HEMTs) is an important development direction of ultra-high speed integrated circuit. A kind of top-RTD and bottom-HEMT material structure is epitaxied on InP substrate through molecular beam epitaxy. Based on wet chemical etching, metal lift-off and air bridge interconnection technology, RTD and HEMT are fabricated simultaneously. The peak-to-valley current ratio of RTD is 7.7 and the peak voltage is 0.33 V at room temperature. The pinch-off voltage is -0.5 V and the current gain cut-frequency is 30 GHz for a 1.0 μm gate length depletion mode HEMT. The two devices are conformable in current magnitude, which is suitable for the construction of various RTD/HEMT monolithic integration logic circuits.