首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   376篇
  免费   4篇
  国内免费   7篇
教育   268篇
科学研究   80篇
体育   11篇
综合类   22篇
文化理论   1篇
信息传播   5篇
  2024年   4篇
  2023年   8篇
  2022年   6篇
  2021年   2篇
  2020年   9篇
  2019年   4篇
  2018年   3篇
  2017年   3篇
  2016年   8篇
  2015年   18篇
  2014年   24篇
  2013年   17篇
  2012年   22篇
  2011年   18篇
  2010年   23篇
  2009年   24篇
  2008年   15篇
  2007年   23篇
  2006年   14篇
  2005年   17篇
  2004年   15篇
  2003年   10篇
  2002年   16篇
  2001年   18篇
  2000年   23篇
  1999年   10篇
  1998年   7篇
  1997年   2篇
  1996年   5篇
  1995年   3篇
  1994年   2篇
  1993年   2篇
  1992年   2篇
  1991年   3篇
  1990年   4篇
  1989年   2篇
  1988年   1篇
排序方式: 共有387条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
表面活性剂日益广泛的应用源于其内在的分子结构二重性特征,也即,由亲水的极性基团和疏水的非极性基团两个部分组成的化合物。本文将粘弹性表面活性剂溶液的微观结构、作用机理及其在油田中运用现状并对其提出一些展望。  相似文献   
102.
根据21世纪我国环境保护的要求,分析并指出我国主要污染治理产品及设备的现状.技术水平.存在的问题及发展趋势。  相似文献   
103.
张翠英  何学军 《内江科技》2007,28(8):118-118,134
斜拉索因其柔度大、阻尼小等特点,在风雨共同作用下易发生大幅振动,对斜拉桥产生严重的危害.本文总结了拉索振动的特征和目前常用的几种减振方法.  相似文献   
104.
当金属块在磁场中运动时,金属块内的自由电子随金属运动受到洛仑兹力作用,在金属块内将引起涡流,对涡流的磁效应——电磁阻尼,一般的《电磁学》教材用愣次定律的第二种表述加以解释,有的教材还辅以楞次定律第一种表述加以分析。由于分析过于简略,教学过程中学生感到有些困惑和疑难。本文通过两个典型问题的分析,力图对涡流的磁效应给出一种物理概念清楚、物理模型直观的解释,供教学时参考。  相似文献   
105.
通过正则变换并利用试探函数方法,求得了含时阻尼变质量谐振子的严格波函数.波函数的正确性在它的普遍性讨论中得到印证.  相似文献   
106.
高阻尼橡胶支座的核心技术是高阻尼配方的设计和研究,本文分析了橡胶阻尼的原理,探讨了提高阻尼的途径。  相似文献   
107.
控制系统中的时滞现象是影响控制效果的不可忽视的因素。文章采用递归响应法对磁流变阻尼控制系统的算法进行仿真计算,分析在不同情况下递归响应法对磁流变阻尼控制系统的时滞补偿效果,并与主动控制系统进行比较。结果表明,递归响应法对磁流变阻尼控制系统有一定的补偿效果,对主动控制系统效果更加显著。  相似文献   
108.
分析了高聚物材料的阻尼机理,简要介绍了阻尼性能的评价方法,重点阐述了丙烯酸酯橡胶的共混、共聚、IPN、添加小分子及填充改性制备高性能阻尼材料的研究进展,指出对丙烯酸酯橡胶阻尼材料应用于耐高温环境的阻尼性能缺乏研究,还有待深入,研制集绿色和多功能为一体的新型阻尼材料将是未来高聚物阻尼材料又一个重要的发展方向.  相似文献   
109.
采用粉末冶金和热挤压的工艺分别制备了未添加碳纤维的基体金属、含未进行涂层处理短碳纤维的镁基复合材料和含镍涂层短碳纤维的镁基复合材料,并利用TEM-EDS和DMA分别对镁基复合材料的界面及阻尼性能进行了研究。结果表明碳纤维表面含镍涂层的引入在复合材料界面处形成了良好界面层结构;三种材料的阻尼容量都随应变振幅的增大和温度的升高而增大,且在25℃~400℃温度范围内都只存在一个阻尼峰,显现出热激活弛豫过程的特征;利用Arrhenius公式计算出了三种材料的热变形激活能的大小分别为1.287e V、1.129e V和1.725e V。  相似文献   
110.
分析了溢流阀各种故障的机理及规律,为诊断掉压故障提供了一些新的依据。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号