HDPE/纳米BaSO4复合材料的性能研究

通过熔融共混的方法制备了高密度聚乙烯(HDPE)/纳米硫酸钡(nano-BaSO4)复合材料,用差示扫描量热法(DSC)研究了复合材料的结晶特性,并对该复合材料的力学性能进行了测试。研究结果表明,纳米BaSO4的添加对HDPE的结晶有一定的促进作用,并且可在一定程度上提高HDPE的力学性能。     

二氧化硅微球气相硅烷化表面改性

本文以自制的二氧化硅微球为对象,以带氨基官能团的APTES硅烷为硅烷化试剂,对比研究了气相蒸发法和液相浸渍法两种不同方法对二氧化硅微球进行硅烷化修饰的差异,为二氧化硅微球表面硅烷化的反应控制提供了实验基础和理论依据。     

制备MnO纳米颗粒的新方法

以碳酸锰在氩气中的热重分析为理论依据,利用X射线衍射、扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜对碳酸锰在氩气中热分解最终产物进行分析。研究结果表明:碳酸锰在氩气中的热分解过程可以分为:(1)在300℃前,碳酸锰的质量损率失约7.5%,此过程是碳酸锰因受热而失去吸附水或者结晶水;(2)在300~500℃之间,失去吸附水或者结晶水的样品质量损失率最大,其质量损失率约为30%,其热分解产物为粒径约为50 nm左右的Mn O球形颗粒。     

纳米科技国际合作创新网络结构与演化特征研究

本文基于国际合作论文数据检索与挖掘,对纳米科技国际合作创新网络进行了系统分析,描绘了合作网络的总体特征,并利用基尼系数、核心边缘分布、中心性、聚类、数据可视化等方法分析了合作网络的结构和演进特征。研究发现,中国在纳米国际科技合作网络中的地位愈加重要,正成为美国之外的另一极;法国和南非在网络中发挥了桥梁和中介作用;越来越多国家意识到纳米科技的重要性,着力通过国际合作推进本国纳米科技的发展。     

纳米科技在军事上的应用一瞥

纳米科技猛发展,给社会和人类生活带来很多福祉,创造出巨大的时代奇迹。纳米科技与军事相结合是国防科技发展的必然,纳米技术是未来军事的革命性技术,是新一轮军事变革的主导,将引领真正意义的战争革命,并将推进作战理念、作战方法的根本改变。     

碳纳米梁受电压激励的非线性振动分析

选取电荷、广义位移为电路耦合机电系统的广义坐标,得到系统的动能、势能、电能及耗散函数。根据经典的拉格朗日-麦克斯韦方程建立数学模型,得到的振动方程是弱非线性Duffing方程。应用多尺度法求得系统的主共振的幅频响应方程,并进行了数值计算,分析了不同的参数对共振的影响。随着碳纳米梁长度和交流电压幅值的增大,振幅和共振区增大;随着碳纳米梁与固定极板间距和阻尼系数的增大,振幅和共振区减小。     

一种新型二氧化硅消泡剂的研制

实验中首先使白炭黑与有机硅进行反应,然后再与硅油复配成消泡剂.经过修饰的白炭黑结合红外光谱、zeta电位等进行了表征,随后对该种新型二氧化硅消泡剂的性能进行了评价及量化.     

电沉积法制备TNTs/CdSxSey异质结及其光电性能研究

以TiO2纳米管阵列（TNTs）为基底,采用电化学沉积法制备TNTs/CdSxSey异质结,在单一变量的基础上结合正交实验,探讨了络合剂的选择、沉积时间、沉积温度、 Na2S2O3浓度、柠檬酸浓度、沉积电压等条件对TNTs/CdSxSey异质结光电压的影响。结果表明,当Na2S2O3浓度为0.009 mol·L-1、柠檬酸的浓度为0.025 mol·L-1时,在20℃、2.4 V沉积电压下电化学沉积5 min,获得的TNTs/CdSxSey异质结光电压值达0.2672 V,优于同等条件下空白TNTs的0.0917 V。XRD结果显示, CdSxSey的主要衍射峰位于2θ为26.276°、27.992°、51.285°、52.842°的位置,分别对应于标准卡片CdS0.25Se0.75的[002]、[101]、[112]、[201]晶面,属于六方晶系,在2θ为37.600°、47.565°处出现Se的单质峰,在2θ为62.728°、72.033°处出现六方晶系单质Cd的（110）、（112）晶面。根据EDS的数据分析可知, Cd、 S、 Se的原子个数百分比分别为2.57%,0.63%,4.76%,对Cd进行归一化处理后,可确定所得样品的化学式为TNTs/Cd1.02S0.25Se1.89,其中含0.02的单质Cd和1.14的单质Se,扫描电子显微镜（SEM）显示所制样品为50~100 nm量子点。