石墨烯吸附甲烷的第一性原理研究

本文采用第一性原理研究了无电场存在时石墨烯吸附甲烷（CH4）的电子结构。结构表明：随着甲烷（CH4）与石墨烯距离的不同,所需的结合能也会不同。由电子态（DOS）密度分布图可知,所呈现的电子态密度（DOS）峰位向导带会发生微小的移动。     

走出“结合能、比结合能”认识的误区

“结合能、比结合能”是高中物理的一个难点.在教学实践中笔者注意到,学生在学习完本节内容后往往对本节内容存在种种认识误区,本文列举了一些常见的认识误区,并对其进行分析、讲解.     

GaAs量子环中类氢施主杂质结合能

选用含有两个变分参数的尝试波函数,利用有效质量方法和变分原理,研究了无限深圆柱形GaAs量子环中类氢施主杂质结合能随量子环的外径、内径以及径向约束势变化规律。结果表明：随着量子环外径逐渐增大,施主杂质结合能随着外径的逐渐增大而不断减小,并趋于体材料能量1Ry;随着量子环的内径逐渐增大,施主杂质结合能先迅速增大,然后几乎保持不变;随着量子环径向约束势（R）减小,施主杂质结合能逐渐增大。     

裂变和聚变释放原子能的教学研究

1问题的提出众所周知,原子能的利用通常采用裂变和聚变两种方式来实现.然而在教学中,学生常常提出这样的问题:既然裂变是一个重核分裂成两个中等核(简称一变二),聚变是两个轻核合成为一个中等核(简称二变一),这相当于是两个相反的过程.于是就存在着一个逻辑上的佯谬:怎么两个相     

非对称量子点中杂质束缚极化子的基态结合能

采用线性组合算符和么正变换方法研究了非对称量子点中弱耦合杂质束缚极化子的性质.导出了极化子基态结合能随横向和纵向有效受限长度、电子-声子耦合强度和库仑束缚势的变化关系以及声子平均数随耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:基态结合能随横向和纵向有效受限长度的增加而减少,随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而增大.声子平均数随耦合强度的增加而增大.     

外光电效应的种类、条件和涵义

外光电效应分为两类。第一类是波长较长的光 (如可见光、紫外线 )照射金属 ,使其导带中的“自由”电子逸出金属表面 ;第二类是波长较短的光 (如 X射线 )照射金属 ,使其原子内层的束缚电子逸出金属表面。据此讨论逸出功的实质及外光电效应的条件和涵义     

声发射方法研究Co-40Cr合金高温氧化过程的膜/基界面缺陷

用热重分析(TGA)研究了Co-40Cr合金及其离子注钇样品在1 000℃空气中的恒温氧化动力学规律.用扫描电镜(SEM)对不同样品表面Cr2O3氧化膜的形貌进行了观测.用声发射(AE)方法对合金表面氧化膜在恒温生长阶段和空冷阶段的开裂与剥落进行了实时监测,根据相应的氧化膜开裂模型,对声发射信号在时域和数域上的分布情况进行了分析.结果表明离子注钇降低了Co-40Cr合金的恒温氧化速率,并提高了合金表面Cr2O3氧化膜的抗开裂和抗剥落性能.离子注钇提高合金抗氧化性能的主要原因在于钇细化了合金表面Cr2O3氧化膜的晶粒,提高了氧化膜的高温塑性和蠕变能力,并且显著降低了Cr2O3/Co-40Cr界面缺陷的数量和大小.     

金属离子水解常数与价电子平均结合能的关系

本文试用金属原子价电子平均结合能和电价数为参数，建立一个简单的公式用以计算金属离子的水解常数。     

氧等离子体处理聚硅烷涂层制备二氧化硅薄膜

用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜，红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为1075cm^-1，并随处理时间的延长峰位向高波数移动，可至1088cm^-1,光电子能谱测得薄膜中的Ols和Si2p的电子结合能分别为533．0ev和103．8ev，硅氧原子接近化学计量比,拉曼光谱分析也表明薄膜中含有一个极大的拉曼特征峰。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物CdS和CdSe的两体相互作用势研究

利用基于第一性原理的Hartree-Fork(HF)方法和密度泛函理论(density functional theory,DFT)研究了Ⅱ-Ⅵ族化合物CdS和CdSe的两体相互作用势.运用Gaussian 03程序,分别选择了HF方法和基于DFT的BLYP方法进行计算,均得到了良好的两体相互作用势曲线.并通过对两种计算得到的CdS和CdSe结合能与标准的键离解能进行比较,发现利用基于DFT的BLYP方法进行计算得到的结果较为理想,而采用HF方法则存在一定误差,对造成这种误差的原因也进行了详细分析.