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在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响。结果表明:量子点中心引入类氢杂质,量子点的结构参数(半径、高度)和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中激子的基态能减小,结合能增大,激子态的稳定性增强。杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定。随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小。 相似文献
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本文对MP2-R12方法运用于研究分子间相互作用进行了初步的理论探讨,通过对一些有代表性的体系的计算,得到的结合能与用CCSD(T)方法得到的结合能相差大都是在2 kJ/mol左右,最大的也不超过4J/mol. 相似文献
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一、知识脉络根据原子物理学发展史,以原子结构的三个认识(汤姆孙模型、核式结构模型、玻尔理论模型),天然放射的三种射线(α射线、β射线、γ射线),原子核的四个基本变化(衰变、人工转变、裂变、聚变)为节点,形成原子物理学的知识链如图1所示。 相似文献
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王金华 《天津工程师范学院学报》2013,(4):25-27
采用密度泛函理论(Drr)的B3LYP函数,选取6-311++G**、6-311G**基组,对锂-苯体系的结构、结合能和电荷转移等性质进行了研究.理论计算表明:锂-苯体系存在束缚态和无束缚态两种稳定结构.通过自然键轨道(NBO)分析发现,束缚态结构中锂的2s价电子部分地转移到苯上,碳环发生姜-泰勒扭曲,不再是平面结构. 相似文献
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周期表中ⅦA族元素的氢化物HX,在水溶液中可以给出质子,因而呈酸性。为了揭示酸强度的递变规律,分别用热力学法、键参数法、电荷稠度法以及价电子平均结合能法进行了定性和定量说明。 相似文献
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在相对论有效原子实势(RECP)近似下,用Gausslan98程序研究了AunZn(n=1~8)团簇的各种几何构型,得到它们的基态结构、平均结合能、平均键长,计算了团簇的垂直电离势、电子亲和能及基态能级分布,讨论了团簇的稳定性。 相似文献
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InxGa1-xN/GaN量子点中类氢杂质态结合能 总被引:1,自引:0,他引:1
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的InxGa1-xN/GaN柱形量子点中类氢杂质态结合能随量子点的结构参数(高度、半径)、In组分和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质态结合能随量子点高度的增加先增大后减小,存在最大值;随量子点半径增大而减小;而随着In组分的增加,杂质态结合能增大;杂质从量子点下界面沿。轴移至上界面过程中,杂质态结合能增大;量子点内外材料的电子有效质量的失配使杂质态结合能减小。 相似文献