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851.
Based on planar Si dual-base transistor conception, a novel mesa dual-base heterojunction bipolar transistor ( HBT) is designed and fabricated. Molecule beam extension, selective wet chemical etching, common contact photolithography and metal lift-off technique are adopted in the process. The device has particular and distinct voltage-controlled negative differential resistance (NDR) and photo-controlled NDR. The highest peak-to-vally current rate of the voltage-controlled NDR is larger than 148 and the peak current varies with the increase of collector voltage. The device features high speed and high frequency characteristics derived from HBT and intrinsic bistability and self-latching characteristics due to NDR. A single dual-base HBT can be seen as an integration of NDR device, HBT and photoconductive device. Compared with common HBT,the groove is the key factor producing NDR. 相似文献
852.
题1 一段均匀导体接在一恒压电源上时,通过的电流为I,现将该段导体均匀拉长为原来的两倍,仍接该电源,则通过导体的电流为 相似文献
853.
854.
华庆付 《初中生学习(中考新概念)》2008,(11)
在变化的电路中寻找电学规律是电学中相对较难的部分。在具体的解题过程中,如能根据具体情况抓住某一不变的条件来分析题意、列方程,思路就会比较清晰,而且理解起来也没有障碍。本栏目在前两期中已经介绍了电路中电流不变和电压不变的情况,本期着重介绍在电阻不变的情况下,如何求解所需的物理量。 相似文献
855.
伏安法测电阻是高中物理实验中的一个重要内容.在利用伏安法测电阻的两种电路中,由于电流表和电压表接入电路时不可视为理想情形(RA=0,RV=∞),因而不能同时准确测出Rx两端的电压及流过的电流,不可避免的出现系统误差. 相似文献
856.
秦建国 《初中生学习(中考新概念)》2008,(6)
二、电学部分电学部分的计算在中考中的比重与力学部分相当,只要能够充分理解并熟练运用相关公式及其原理就可以解决.不过,对于电学中的基本计算,同学们还应该认真对待、仔细体会,因为它不仅是中考直接考 相似文献
857.
华庆富 《初中生学习(中考新概念)》2008,(12)
对于欧姆定律这部分知识来说,对欧姆定律公式的理解和应用、对I-U图像以及相关探究实验的掌握,是我们必须逐项过关的考查细节,现以具体试题为例一一详述。 相似文献
858.
陈宏 《中学生数理化(高中版)》2008,(11):34-35
在学习稳恒电流这一章时,经常遇到设未知数解方程的问题.不少同学总习惯设电阻为自变量,将电流强度J或电压U用电阻R表达出来,然后利用数学方程先求电阻R,然后再求出相关的物理量.但这种方法在某些情况下非常烦琐,如果设电流强度为自变量,先求出电流强度I,再求解相关问题就简便得多.下面举例说明这一点. 相似文献
859.
何小卫 《中学生数理化(高中版)》2008,(12)
在《恒定电流》这一章中理清电压、电流、功率的关系是重点,也是难点,但在高考命题上,不仅仅考查这几个物理量的关系,更多的是考查与各物理量相关的知识拓展和各图象的应用,下面通过一些具体的例子来 相似文献
860.
2008年高考物理全国Ⅱ卷第24题是一道电学、力学综合题,题目中的情景和内容是常见和平时训练过的,但又不落俗套,推陈出新,在不变中蕴含着变化,利用负载电阻的变化改变棒产生的感应电动势,从而使棒中的电流强度Ⅰ保持恒定.该题综合考查了洛伦兹力、匀减速运动、动能定理、动量定理、电功及电功率计算等知识点.主要考查学生的分析能力和应用物理知识解决问题的能力,难度适中, 相似文献