Modeling and Simulation of Photoelectronic Lambda Bipolar Transistor

Based on the region model of lambda bipolar transistor （ LBT）, a dividing region theory model of PLBT is set up.simulated and verified. Firstly, the principal operations of different kinds of photoelectronic lambda bipolar transistor ,（ PLBT） are characterized by a simple circuit model. Through mathematical analysis of the equivalent circuit, the typical characteristics curve is divided into positive resistance, peak, negative resistance and cutoff regions. Secondly. by analyzing and simulating this model, the ratio of MOSFET width to channel length, threshold voltage and common emitter gain are discovered as the main structure parameters that determine the characteristic curves of PLBT. And peak region width, peak current value, negative resistance value and valley voltage value of PLBT can be changed conveniently according to the actual demands by modifying these parameters. Finally comparisons of the characteristics of the fabricated devices and the simulation results are made, which show that the analytical results are in agreement with the observed devices characteristics.     

中英思维差异对初学者习英语句法的影响

由于汉英民族的思维定势、思维模式、思维价值取向不同，导致中英两个民族之间的思维差异不可避免地要体现在语言上，经过中英双语比较及个例分析，说明这种语言上的差异对初学英语者来说影响是不可忽视的，我们必须引起重视，设法加以克服。     

Design and Fabrication of Novel Dual-Base Negative-Differential- Resistance Heterojunction Bipolar Transistor

Based on planar Si dual-base transistor conception, a novel mesa dual-base heterojunction bipolar transistor （ HBT） is designed and fabricated. Molecule beam extension, selective wet chemical etching, common contact photolithography and metal lift-off technique are adopted in the process. The device has particular and distinct voltage-controlled negative differential resistance （NDR） and photo-controlled NDR. The highest peak-to-vally current rate of the voltage-controlled NDR is larger than 148 and the peak current varies with the increase of collector voltage. The device features high speed and high frequency characteristics derived from HBT and intrinsic bistability and self-latching characteristics due to NDR. A single dual-base HBT can be seen as an integration of NDR device, HBT and photoconductive device. Compared with common HBT,the groove is the key factor producing NDR.     

文化负迁移与写作文化教学——一项英文写作实验报告

本文作了一次英文写作教学实验。受试者是四川师范学院外国语学院专业英语二年级的80名同学。其中40名同学被采用的是传统的写作教学法，而另40名同学被采用的是传统写作教学与写作文化教学相结合的方法。实验数据表明，写作文化教学有利于提高学生的英文写作水平，在一定程度上能帮助学生降低作文中文化负迁移出现的频率。     

《绝对值》教学设计

理解教材 绝对值是有理数的重要概念之一,在学习绝对值之前,学生已经学习了负数、数轴和相反数,学生在小学学习了非负有理数,了解了非负有理数的概念、性质及运算,为学习有理数奠定了基础．绝对值与初等数学的许多知识和方法相联系,有着广泛和重要的应用．（1）有理数的大小比较．有了绝对值的概念后,有理数之间的大小比较就方便多了,特别是两个负数的大小比较,只比较绝对值即可,不必在数轴上表示负数后再进行比较．     

负单轴晶体中e光折射规律研究

引言 当光入射到两种介质的分界面上时将产生折射或双折射现象。对于折射光波面法线将满足折射定律,即“折射波法线、入射波法线以及界面法线三者共面,波面法线与界面法线间夹角和折射率的乘积在界面两侧是相等的”。因为此定律是由界面两侧的光波的相位在界面上相等而导出的,因此从本质上来说它也只是针对波法而言的,对于负单轴晶体中的e光波必然遵从这条定律。然而许多光学教程中,并没有对折射定律给予深入分析,也没有阐明光线与波法线的含义,甚致导出e光波仅在某种特殊的情况下遵从折射定律的不正确结论,本文从Maxwell方程组出发,给予详细地论证。     

浅析英语学习中的母语负迁移现象

母语负迁移是英语学习过程中常见的现象。在语音上,中国学生在读英语时常会在辅音之间或后面添加元音。教师在教学中应讲清这些音素的发音部位并有针对性地设计辨音练习。在词汇上,中国学生经常把汉语的搭配习惯错误地迁移到英语短语的搭配上。教师应当用示例法来诠释各种词汇的具体用法。英汉这两种语言在句法上的差异比较大,在进行教学时,应对这两者的语法进行适当的对比分析,让学习者了解它们之间的异同。在语篇上,西方人往往是开门见山,而东方人的语篇则是迂回式的。在教学上,可以结合具体语篇,分析作者布局谋篇的特点,使学习者了解两种语言语篇模式之间的区别。语用负迁移就是英语学习者在使用英语进行交际时误用了汉语的语用规则,教师应把英语教学置于跨文化交际环境中。     

硕士研究生跨文化交际障碍成因的实证研究——析隐喻机制对文化负迁移的阐释力

通过问卷调查,对非英语专业硕士研究生跨文化交际中的文化负迁移现象做了实证研究,并借助隐喻机制的阐释力探讨研究生跨文化交际障碍的成因.研究发现:研究生文化负迁移现象源于汉语语言及文化价值观即汉语隐喻性思维的负面影响.因此,研究生英语教学应注重将母语文化负迁移转变为正迁移.     

语用负迁移及其对大学英语教学的启示

中国大学生的英语语用能力明显落后于语言能力,他们在跨文化交际中常因为母语语用负迁移导致语用失误,不能顺畅地交流。本文分析了跨文化交际中语用语言负迁移和社交语用负迁移的产生原因、表现,并就此提出了关于大学英语教学的建议,以全面提高学生的外语综合应用能力。