硫增感AgBrI T颗粒乳剂光电子行为研究

利用微波相敏技术,获得了硫增感AgBrI T颗粒乳剂中自由光电子和束缚光电子时间衰减信号,分析了光电子衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度及束缚电子转移时间与增感时间的关系,获得了最佳的增感时间、衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度和转移时间数值.     

有机光电材料载流子迁移率的研究方法与技术

测量有机光电材料的载流子迁移率,有助于了解载流子在有机光电器件中的传递机制。通过对几种有机光电材料载流子迁移率的测试方法详细的阐述与对比分析,深入理解各种测试技术的原理,有助于学生掌握各种测试技术的实验方法,总结出各种测试技术的优劣及适用性,对研究载流子在有机光电材料中的传输特性及有机光电器件的性能具有重要意义。     

基于半导体光放大器(SOA)全光逻辑门的研究概述

一、引言未来高速光网络,实现全光信号处理,全光逻辑门是其中的关键器件,同时,光逻辑门是实现电计算向光计算跨越的桥梁,光子计算机是以光作为主要信息载体,其速度可望达到电子计算机的百倍,能耗只有地电子计算机的百分之一。因此,光逻辑门在未来的全光高     

西安交大研究人员在热电材料方面取得进展

近日,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室肖钰特聘研究员与北航赵立东教授合作,通过能带锐化、动态掺杂以及半共格界面设计,实现了n型PbSe基热电材料中电子和声子的解耦传输,大幅提升其热电性能。首先,SnS固溶使PbSe的导带形状锐化,降低载流子有效质量,有利于在低温区获得高的电传输性能;其次,通过Cu间隙原子掺杂,在全温区动态优化载流子浓度,获得高的功率因子;最后,大量的SnS第二相固溶在PbSe基体中形成半共格界面,在保持高的载流子迁移率的同时增强声子散射,降低晶格热导率。     

退相干对量子自旋霍尔效应的影响研究取得新进展

物理所凝聚态理论与材料计算实验室研究员谢心澄、孙庆丰和博士生江华、成淑光在前期的工作基础上,进一步研究了退相干对量子自旋霍尔效应的影响。他们把退相干分成两类来考虑：一类是普通退相干,即载流子仅仅丢失位相记忆,但保留自旋记忆：另一类是自旋退相干,即载流子既丢失位相记忆也丢失自旋记忆：     

有机电致发光器件的载流子调控

有机电致发光载流子调控主要是指通过改善载流子的注入和传输来获得高亮度、高效率、高稳定性的器件.目前有机电致发光器件的载流子调控主要通过修饰有机电致发光器件的电极及其界面、引入具有高载流子迁移率的材料、采用新型载流子注入和传输层结构等方法来实现.     

PNP型三极管内部载流子的传输过程及电流放大原理

半导体三极管按其结构可分为NPN型和PNP型两种,但现有各类书籍都只讨论了NPN型三极管的工作原理。本文针对PNP型三极管的结构讨论它的内部载流子的伟输过程及电流放大原理。     

固体电介质空间电荷分布实验与仿真系统

空间电荷会畸变固体电介质内的电场分布,进而加速绝缘材料的老化与击穿过程。由于空间电荷输运涉及电荷注入、迁移、入陷与脱陷等复杂微观过程,相关知识比较抽象,学生难以理解。为此开展相关课程的实践教学,建立固体电介质空间电荷分布实验与仿真平台。该平台基于电声脉冲法搭建,由高压直流电源、高压脉冲电源、空间电荷测量模块与数据采集系统组成;仿真平台基于双极性载流子输运模型,考虑了电荷的注入、传输、入陷、脱陷、复合与抽出等微观物理过程。通过实验与仿真的结合,能直观展示空间电荷分布特征;可针对电荷注入与输运等微观过程进行分析,强化学生对高电压技术相关知识的理解,提高学生自主创新和工程实践的能力。     

电子型传输材料酞菁锡的能带结构分析

酞菁锡由于在无机/有机二极管中表现出的诸多显著的特点而受到关注。为了更好的理解其内部的载流子传输的微观机制,我们利用密度泛函理论,采用广义梯度近似,关联函数选择Becke exchange plus Lee-Yang-Parr（BLYP）计算了其能带结构。首先分析了与载流子传输相关的由于分子相互作用而劈裂成带点的分子轨道函数,找到了由同一分子轨道劈裂成的对应的能带。从同一条能带的色散数据,我们能看到电传输的能力要比空穴大两倍还要多。进而我们考虑了费米能级附近的能带的带间距数据,我们发现在未占有带的带间距总的来说要比占有带的带间距要小,这表明电子在考虑了电子-声子耦合的情况下要比空穴容易传输得多。从这些事实上可以说明在酞菁锡中电子的迁移率要比空穴大得多,即相比起其他很多的有机材料,酞菁锡是电子的传输是占主导的有机材料。