非晶态半导体的光吸收

光与非晶态半导体作用所产生的光吸收包括本征吸收、激子吸收、自由载流子吸收、声子吸收及杂质吸收等,由于吸收方式不同,它们分别发生在不同的光谱波段。     

关于安培力的起因

据洛仓兹力和安培力之间的关系，得到了安培力的起因是运动的载流子通过霍尔电场对晶格中正离子间接作用的结果，而不是运动的载流子对晶格的横向碰撞所产生的宏观效果。     

玻璃热极化过程的数字模拟

本文主要介绍了运用载流子运动的连续性方程及高斯方程对玻璃的热极化过程进行模拟,模拟的物理量为材料内的截流子浓度和电场,通过对模拟结果的分析可以证明现有的玻璃热极化的相关理论.     

激光作用GaAs非平衡载流子瞬态特性研究

根据GaAs材料的能带模型和能带特点,对激光脉冲作用下GaAs中非平衡载流子浓度及其微观驰豫过程进行研究.相位驰豫的主要散射机制为载流子—载流子散射,散射时间为几十个fs;准热平衡驰豫主要为载流子—声子散射,散射时间大约为ps量级,非平衡载流子浓度及其光电特性主要决定于复合过程.     

Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备

采用PLD方法制备了5at.%Co掺杂的ZnO0.95 Co0.05O薄膜,以及Co,Al共掺杂的样品,并对其进行了电学及磁学性质测量,发现ZnO:Co薄膜具有室温铁磁性,同时有着优异的透光特性及良好的导电性,有着集成磁光电特性与一体的潜质。Co,Al共掺杂的样品饱和磁矩有较为明显的增强,说明样品的铁磁性可能来源于载流子浓度的增加。     

例说霍尔效应的五类应用

霍尔效应是美国物理学家霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的,属磁电效应的一种.如图1所示:当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差U_H,这一现象称为霍尔效应,其中     

例说霍尔效应的五类应用

霍尔效应是美国物理学家霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的,属磁电效应的一种.如图1所示:当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差UH,这一现象称为霍尔效应,其中     

封面说明

在半导体中注入自旋形成兼具电荷属性和自旋特性的稀磁半导体可以制成自旋阀、自旋二极管、高密度非易失性存储器以及磁感应器等新型的功能器件,具有诱人的应用前景.但是向传统的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中掺杂存在两点不足.首先,传统的稀磁半导体在引入自旋的同时也引入了载流子,这种自旋和电荷的捆绑效应严重制约了电性和磁性的调控维度.其次,基于掺杂中的不等价代     

伫立在计算材料科学的前沿——记北京大学物理学院吕劲教授

专家简介:吕劲,1992年毕业于北京大学信息管理系,获学士学位,1997年毕业于北京大学物理系,获博士学位,现为北京大学物理学院凝聚态与材料物理研究所和人工微结构与介观物理实验室副教授、博士生导师。长期从事低维碳基功能纳米材料及其类似物的第一性原理计算研究。在纳米碳管的选择性吸附理论和石墨烯能隙的无损打开等领域做出了突出的贡献。2008年入选教育部     

关于三极管集电极电源反接的讨论

本在实验的基础上，通过三极管内部载流子的运动分析三极管集电极电源反接时．其各极电流和极间电压相对于反接前的变化情况．