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采用VHF-PECVD技术制备了两个气压系列不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明:沉积气压Pg=70 Pa时,生长指数β=0.22±0.023,对应有限扩散生长模式;Pg=300 Pa时,β=0.81±0.099,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为,表明:在微晶硅薄膜生长中还要考虑其它粗糙化因素(如阴影作用会增加薄膜表面的粗糙化程度,使生长指数β增大). 相似文献
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赵亚楠 《湖北广播电视大学学报》2011,31(7):156-157
本文采用溶胶—凝胶法先在铸件表面涂覆一层TiO2薄膜,再对铸件进行化学镀Ni—P处理。研究表明,TiO2涂层可以有效减小铸件表面的孔隙率,弥补了Ni—P镀层直接覆盖在铸件表面易产生针孔的缺陷。与现有的铸件表面处理方法相比,本工艺改善了铸件的耐腐蚀性,而且较大地提高了沉积速率。在不增加过多成本的情况下,还节约了能源。 相似文献
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作为一种性能稳定的绝缘体,HfO2在电子、光学以及能量相关的领域中有着重要的应用。在本工作中,我们使用反应溅射方法在不同O2/Ar比例下制备了HfO2薄膜。XRD结果显示,O2/At比例并不能明显的影响样品的结构。通过Debye—Schener公式估计,样品由纳米晶粒组成。在O2/Ar比例为0.06(功率12W)时制备的样品最接近化学配比。在可见光区域,样品具有很好的透光率,T〉85%。明显的吸收发生在波长小于220nm时。通过Tauc公式可以估算出,样品的带隙在5.051到5.547eV范围内变化。 相似文献
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详细介绍了使用椭偏仪测定薄膜的光学常数的原理,采用溶胶一凝胶法在普通载玻片上制备了均匀透明的TiO2薄膜,借助椭偏仪测量了薄膜的光学特性. 相似文献
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