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31.
椭圆偏光法测量薄膜折射率和厚度的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
傅晓东 《广东教育学院学报》1997,(2)
本文介绍用椭圆偏光法测量薄膜折射率和薄膜厚度的方法,包括测量单层薄膜和多层薄膜的情况 相似文献
33.
本文采用磁控溅射法制备了HfOxNy高介电薄膜,结合XRD、XPS等手段研究了退火温度对薄膜的结构和化学键态的影响,发现N的掺入使Hf4f峰位向低能方向移动.而随着退火温度的升高,Hf4f的双峰峰位向着高结合能的方向移动,这表明N的含量随着退火温度的升高而降低.XRD结果显示N的掺人能提高薄膜的晶化温度. 相似文献
34.
35.
以六水合硝酸锌为原料,乙酰丙酮为配体剂,无水乙醇为溶剂,氨水为添加剂,制备了乙酰丙酮锌络合物前驱体溶液。以掺氟氧化锡导电玻璃为基底,将前驱体溶液旋涂到基底,在干燥的氮气气氛中,经波长为172 nm的真空紫外光照射5分钟后,可以对前驱体薄膜中的金属有机前躯体进行光化学分解,形成氧化锌薄膜。采用紫外吸收光谱、傅里叶变换红外光谱、X射线光电子能谱、X射线衍射、以及扫描电镜对薄膜进行表征和分析。结果表明,有机配体在真空紫外光光照5分钟内迅速分解和缩聚,生成无针孔、高致密的ZnO薄膜。 相似文献
36.
以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3/PbTiO3铁电多层薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量.研究发现,原位生长的薄膜已经具备了较好的铁电性,这为(1-x)Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-x0.1PbTiO3薄膜的低温制备提供了可能性.经过退火后,薄膜的铁电性略有下降,高温下铅的损失可以很好的解释这一现象. 相似文献
37.
介绍了Lambert W函数的代数及图像性质,如该函数的级数展开式、微分及函数在复平面的图像等。总结了其在数学、物理、化学和生物等领域的应用情况。 相似文献
38.
39.
40.
王婕 《中学物理教学参考》2023,(21):48-49
结合高中物理中常见的薄膜干涉实例,讨论了需要考虑半波损失的情形,以半波损失对明暗条纹形成位置的影响,给出了相应教学策略,以期为这一问题的深入分析提供新的视角。 相似文献