Co-Pi和Cu2O共修饰TiO2薄膜及其光电化学性质研究

用阳极氧化法在Ti基片上制备出TiO2薄膜,然后通过电化学沉积法将Co-Pi和Cu2O沉积在TiO2薄膜表面.通过扫描电镜、X-射线衍射和光电化学性质测试,发现TiO2薄膜表面先沉积Co-Pi能够有效阻止Cu2O颗粒堆积,光电流显著提高.而先沉积Cu2O后沉积Co-Pi,则会使Cu2O还原为Cu,同时形貌发生改变.特别地,沉积300秒Co-Pi后再沉积Cu2O颗粒,能得到200 mA/cm2的最大光电流.     

AlSb（110）基外延生长Bi薄膜的第一性原理研究

用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了在A lS b （110）衬底表面外延生长1～6层Bi薄膜的能带结构,计算了它们的带隙。研究发现,不同厚度的Bi薄膜显示出传导性质的奇偶振荡,1层和3层显示出非金属性质,2层和4层及更高的层数转变为金属性质。     

Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2铁电薄膜的制备和性能研究

运用脉冲激光沉积方法,在Pt(111)基片上沉积制备Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜。通过对X射线衍射(XRD)分析表明,薄膜的正交相随衬底温度升高而增强,随薄膜厚度增加而减小。P-E电滞回线实验表明,提高衬底温度有助于增强薄膜铁电性能。400℃氧气中原位退火后薄膜剩余极化(2Pr)达到8μC/cm2。5V以下薄膜漏电流密度为3.2×10-6A/cm2。Hf0.5Zr0.5O2薄膜的疲劳特性测试表明,在经过2×109次反转后可参与翻转总极化值有一定下降。     

从增透膜理论再认识光的本性

薄膜干涉在光学中的地位是举足轻重的，是波动光学中产生相干光的两种典型方法之一——分振幅法，它与双缝干涉、单缝衍射等经典实验一起奠定了波动光学的历史地位。中学物理教材中，强调的是“光是一种波”这个结论，但是，对于缺乏量子理论基础的学生来说，在接受光是一种波的同时，将立即产生了一个新的问题：“在增透膜问题上，既然光已经从薄膜的前、后表面反射回来并发生了相消干涉，那么，它又是怎么再进去，     

基于专利地图的薄膜太阳能领域专利引证分析

利用Aureka分析软件的专利引证树和专利地图对国外薄膜太阳能领域的专利进行分析,并对日本半导体能源实验室的高被引证专利进行专利引证树分析,得到了被引专利的技术总体分布、技术发展历程、目标公司及竞争对手布局分析。该研究结果可为我国薄膜太阳能领域相关企业制定研发策略、寻求技术发展方向和规避专利侵权风险提供帮助。     

工艺参数对Ti、NdFeB薄膜厚度的影响

本文采用磁控溅射法制备Ti、NdFeB薄膜,并研究分析了工艺参数对Ti薄膜及NdFeB磁性薄膜厚度的影响,这些工艺参数是溅射类型、溅射时间、基靶距。     

美开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜

美国麻省理工学院的研究人员利用电子束光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。这是一种很有前途的新材料,可广泛应用并开辟潜在的重点研究领域。相关报告发表在近期出版的《纳米快报》杂志网络版上。半导体纳米晶体的大小决定了它们的电子和光学性质。但想通过控制纳米晶体在表面上的布     

胡志高:材料物理科研绽光辉

专家简介:胡志高,华东师范大学信息科学技术学院电子工程系副系主任,博士生导师。研究领域近年来主要集中在铁电薄膜材料、导电金属氧化物薄膜以及氧化物半导体材料的光电特性研究方面。在PRB、APL以及JAP等著名期刊上发表SCI收录国际学术刊物论文100多篇(其中影响因子3.0以上有35篇)他引200多次。出版国际英文学术专著章节3章。2007年入选上海市"浦江人才计划",2008年入选教育部