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81.
《电子竞技》2012,(7):38-39
上次皮杰为大家介绍了一款开学组装机器的豪华主板,今天就为同学们介绍一款可以说是专门针对中国学生、白领推出的CHERRY键盘,理由非常简单:CHERRY的原厂机械键盘:CHERRYMX-BOARD2.0才卖399元!你敢信吗?  相似文献   
82.
韩璐  曹栋  王松  张锐 《华章》2010,(26)
本文简要介绍了染料敏化太阳能电池的重要性、基本结构和工作原理,并论述了TiO2薄膜电极和染料敏化剂的研究现状、进展以及发展趋势和存在的问题.  相似文献   
83.
简述了X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD)的基本原理,计算了硅晶体的消光特性,从理论上研究了Si基薄膜XRD表征的特征.研究结果表明:由于薄膜的择优生长,Si基薄膜XRD谱与粉晶XRD谱存在差异;并可能观测到Si基片的二级衍射峰.研究结果在实际应用中对分析硅基薄膜的晶体结构具有重要意义.  相似文献   
84.
对Ag金属颗粒镶嵌在SiOx陶瓷基体中形成的金属陶瓷薄膜光学常数的尺度效应进行了研究。用修正的M-G(Maxwell-Gannett)理论对Ag-SiOx金属陶瓷薄膜,在金属微粒体积百分比不同情况下光学常数的尺度效应进行了理论计算,并将理论计算结果与Evans的实验数据进行了比较。结果表明:金属微粒在低体积百分比(f1 25%)情况下,所用修正M-G理论计算金属陶瓷薄膜所得的光学常数更符合Evans的实验数据。从而得到金属陶瓷薄膜光学常数微尺度效应的最佳修正因子,为实际研制开发新型薄膜材料提供科学的分析方法。  相似文献   
85.
Dislocation dynamics simulations are performed to investigate the effect of template shape on the nanoimprinting of metal layers. To this end, metal thin films are imprinted by a rigid template made of an array of equispaced indenters of various shapes, i.e., rectangular, wedge, and circular. The geometry of the indenters is chosen such that the contact area is approximately the same at the final imprinting depth. Results show that, for all template shapes, the final patterns strongly depend on the dislocation activity, and that each imprint differs from the neighboring ones. Large material pile ups appear between the imprints, such that polishing of the metal layer is suggested for application of the patterns in electronics. Rectangular indenters require the lowest imprinting force and achieve the deepest retained imprints.  相似文献   
86.
硬质薄膜研究综述   总被引:1,自引:0,他引:1  
论述了硬质薄膜的发展历史,分析了近年来硬质薄膜的发展现状;叙述了合成硬质薄膜的几种方法,并对各种方法的优缺点进行了对比分析。指出类金刚石薄膜、纳米复合硬质薄膜等依然是今后一段时期的研究热点。  相似文献   
87.
L10结构的CoPt合金薄膜具有高磁晶各向异性能,能够满足超高磁记录的要求,极有可能成为下一代超高密度磁存储介质。详细介绍了CoPt薄膜近年来的研究成果,分析了降低CoPt退火温度和减弱晶粒间交换耦合作用的方法,并对其应用前景作了分析。  相似文献   
88.
书标粘结新法介绍对封面为塑料、漆布的图书粘贴书标容易脱落问题,笔者曾走访专家,查阅技术资料,对各种粘剂在不同气温条件下作了几百次实验,观察其实际效果。通过比较筛选出“102—ABS聚乙烯塑料多用胶”和“塑料薄膜胶粘剂”,它们具有无毒、耐老化,粘合强度...  相似文献   
89.
采用脉冲激光沉积方法,以烧结的Fe3O4为靶材,在STO(100)基底上制备了Fe3O4(100)薄膜。XRD和AFM显示薄膜为纯相外延单晶薄膜、表面较平整。对薄膜的磁电阻进行测量,薄膜为负磁电阻,且在Verwey转变温度(约120K)时磁电阻最大。霍尔效应测量得到薄膜中栽流子浓度随着温度的降低而减小,In(n)与I/T基本呈线性关系,符合半导体热激活模型,迁移率随着温度的降低而减小,说明在薄膜内存在大量电离杂质中心。薄膜磁滞回线中较高的饱和磁化场。说明薄膜中APBs密度较低。  相似文献   
90.
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,与GaN相比,具有宽禁带、激子结合能大等优点,是一种极具开发潜力的新型半导体材料.该文对目前国内外经常采用的ZnO薄膜的主要物理制备方法和化学制备方法进行了详细的介绍,包括磁控溅射法、脉冲激光沉积法、金属有机物化学气相沉积法、溶胶凝胶法等,并对几种方法各自的优缺点做出综合研究和归纳总结.  相似文献   
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