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851.
仿真电子书     
电脑的本领可真是太大了,同学们课后想查找个资料,看本课外书什么的,上网搜索搜索就行了。但如果在电脑前长时间看文字资料的话,那可就不是什么享受了。最近美国麻省理工学院的一个科研小组正在研制一种  相似文献   
852.
用非线性热力学方法,研究了外加应力及组分对外延单畴Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)薄膜的相图及物理性质的影响。通过数值计算,得到了PZT薄膜在不同组分下的“外加应力-失配应变”相图。由相图可知,外加应力可以使薄膜发生铁电相变。在室温下,外加压应力能使薄膜的铁电相转变到顺电相。薄膜的压电系数对相变非常的敏感,施加一个适当的外加应力,可以大幅度提高压电系数。本文的计算结果,可以解释压痕仪和扫描力电镜研究铁电薄膜时所观察到的实验现象。  相似文献   
853.
采用射频磁控溅射沉积方法,结合氢气氛退火工艺制备了热红外探测VO2薄膜,通过优化工艺,制备出化学计量比接近理论值、高质量的VO2薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的相结构、组分进行了分析.测试结果显示,V2O5薄膜在退火温度450℃、退火2h条件下,制备得到的薄膜成分主要是VO2相.  相似文献   
854.
多晶硅薄膜材料与器件研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,综述了多晶硅薄膜材料及其器件的特点、制备方法及研究进展.  相似文献   
855.
用非线性热力学方法,研究了外加应力及组分对外延单畴Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)薄膜的相图及物理性质的影响.通过数值计算,得到了PZT薄膜在不同组分下的"外加应力-失配应变"相图.由相图可知,外加应力可以使薄膜发生铁电相变.在室温下,外加压应力能使薄膜的铁电相转变到顺电相.薄膜的压电系数对相变非常的敏感,施加一个适当的外加应力,可以大幅度提高压电系数.本文的计算结果,可以解释压痕仪和扫描力电镜研究铁电薄膜时所观察到的实验现象.  相似文献   
856.
《云南科技管理》2014,(2):112-113
<正>玉溪市旭日塑料有限责任公司,始建于1976年。主营"旭日"牌农用薄膜,包括棚膜、农膜、地膜、微膜4大系列100多个规格品种。公司现有资产19 100万元,其中固定资产8120万元,年生产能力4万吨,是云南省及西南地区目前规模最大的农  相似文献   
857.
采用反应磁控溅射法在镁锂合金衬底上沉积了CrN薄膜。并通过XRD、SEM、M263A电化学系统等技术分析了薄膜的组成、表面形貌,并着重研究氮化铬CrN薄膜在0.35%的NaCl溶液中对镁锂合金的防护性。结果表明:说明沉积的CrN薄膜提供了合金的抗腐性。  相似文献   
858.
《黑龙江科技信息》2011,(31):I0006-I0007
美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室及加州大学伯克利分校的研究人员揭开了铁电材料在光照条件下产生高压电的秘密。该研究发表在《物理评论快报》上。铁电材料是指具有铁电效应的一类材料,它是热释电材料的一个分支。铁电材料及其应用研究已成为凝聚态物理、固体电子学领域最热门的研究课题之一。  相似文献   
859.
阅读提示:这次美国科学家一反常规,创造条件让电池板向外放射荧光,看似损失了能量,实则提高了效率,向理论极限迈进一大步。自上世纪60年代以来,砷化镓太阳电池技术一路改进,但单结砷化镓薄膜电池的转化率一直没有突破27%。过去由于成本原因,优质光电材料砷化镓没有像硅那样大规  相似文献   
860.
中温固体氧化物燃料电池(SOFCs)的工作温度应低子800℃.本文重点对ZrO2基、CeO2基、Bi2O3基和ABO3型电解质材料的最新进展和发展趋势作了综述.以8%氧化钇稳定氧化锆(8YSZ)作为电解质的SOFCs,工作温度在1000℃左右.经较低价的碱土和稀土离子(SP2+,Ca2+,Sc3+和Y3+)掺杂稳定ZrO2,在800℃,氧化钪掺杂氧化锆(Zr0.9Sc0.1O1.95,scandia doped zirconi-a,SSz)的电导率(0.1S/cm)比Zr0.9Sc0.1O1.95的(0.03S/cm)高得多.薄膜化是改进氧化锆基电解质的电导性能的另一个途径.厚度小于10μm的YSZ基SOFCs,在800℃时功率密度最大可达2W/cm2.研究新的稳定的双掺杂电解质材料将会是CeO2基材料研究的重点.Y2O3和Sm2O3共掺杂(Y0.1Sm0.1Ce0.8O1.9YSCO)在800℃时电导率可达到0.0549S/cm,电导活化能为0.77eV.sr和Mg共掺杂LaGaO3(LsGM)阳离子导体已成为中低温SOFCs的重要候选电解质材料.钙钛矿型氧化物是除了Bi2O3以外氧离子电导率最高的陶瓷材料.寻求新的、优良的中温SOFCs电解质材料仍是目前推动中温SOFCs实用化的关键因素之一,薄膜化技术是研究的另一个重点.  相似文献   
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