我金刚石薄膜技术达世界先进水平

由中国航天机电集团三院、湖北国威公司和中人投资公司组成的中威高科技有限公司研制开发的金刚石薄膜装置及产品，日前通过了国防科工委组织的鉴定。     

真空退火对非晶硅薄膜的暗电导和光电导的影响

本文报道对用ＳｉＨ４辉光放电方法和溅射法制备的本征ａ－Ｓｉ薄膜样品，进行高真空退电导变化效应。     

聚吡咯的制备及其电化学行为分析

建立了聚吡咯（ppy)的电化学制备方法，研究了阳离子对薄膜性质的影响，介绍了电极电位对薄膜中Li^ 含量的影响，在0.8V(vs.SCE)时电解各的乙腈溶液，可在Pt片电极表面获得聚吡咯薄膜，金属离子在薄膜上可以发生嵌入和脱嵌现象，在电极电位为－0.8V时，Li^ 的嵌入量最大，探讨了阴离子对薄膜的电化学行为的影响。     

薄膜太阳电池器件电学性能测试系统设计

为了实现变温环境下薄膜太阳电池电学性能的自动测试,提出了基于方形四探针法测试原理,采用由工业计算机(IPC)和Keithley 2401数字源表、智能温控仪(SRS13A,SRS14A)组成的主从式控制系统,实现薄膜太阳电池器件的电学性能测试。通过RS-485总线完成智能温控仪与上位机间数据通信,达到对测试环境和样品温度的智能控制。采用GPIB总线实现上位机与Keithly 2401数字源表间的信息交换,获取待测样品的电压、电流、电阻等参数值。基于Lab VIEW开发环境编写的上位机软件被用于完成数据处理,T—R,T—I—U特征曲线的绘制和显示。为了验证该测试系统的性能,对化合物半导体(Zn Te:Cu)薄膜和Cd Te薄膜太阳电池器件的电学性能进行了测试。结果表明,该系统能够完成变温环境下薄膜太阳电池器件电学性能的测试,并且该系统运行可靠、操作简便,能够满足实验室教学和科研的需要。     

关于提高血清蛋白醋酸纤维薄膜电泳效果的探讨

根据血清蛋白醋酸纤维薄膜电泳的实验原理,结合实验操作的各个环节,分析了学生在实验过程中容易出现的问题及原因,从样品、滤纸桥、点样、电泳、染色与透明等操作环节提出了相应的改进措施,并就这六个环节展开了讨论.     

真空退火对非晶硅薄膜的暗电导和光电导的影响

本文报道对用SiH_4辉光放电方法和溅射法制备的本征a—Si(非晶硅)薄膜样品,进行高真空退火的电导变化效应。     

无机溶胶—凝胶途径制备V2O5薄膜的实验研究

在分析纯V2O5粉末为原料，H2O2为溶剂，采用溶胶－凝胶（Sol-Gel)工艺，以无机途径成功制备了V2O3薄膜。研究了在不同衬底上制备薄膜的可行性及工艺过程，不同温度热处理及不同厚度V2O5薄膜的透射光谱及300℃热处理薄膜的温阻特性。实验发现在石英玻璃及普通载玻片上可制备均匀透明度的薄膜，100℃热处理的V2O5薄膜透光性能最好，而300℃热处理V2O5薄膜在紫外及近紫外线区（350nm-450nm)的吸收率最高。该工作对于V2O5光电薄膜的面积，低成本制备具有一定的参考价值。     

半导体薄膜发光谱的修正

讨论了半导体发光薄膜的光致发光谱修正要点。光致发光结果受到氙灯的光强、温度及薄膜表面的平整度等因素的限制,使得结果可比性差。采用了标准偏差的方法修正了数据,使其具有可比性。     

改进薄膜干涉演示实验

现行教材高中《物理》(试验修订本·必修加选修 )第三册第 2 7页 ,一开始就通过演示实验来阐述薄膜干涉现象 :“用酒精灯的黄光照射液膜 ,液膜反射的光使我们看到灯焰的像 .像上有亮暗相间的条纹 ,这是光的干涉产生的 .”即薄膜干涉现象 .由于该实验中肥皂液膜不能做大 ,酒精灯火焰亮度低且不利于改变颜色等原因 ,致使演示实验的可视性较差 ,效果不理想 .笔者借助平行光源和凸透镜等 ,克服上述弊端 ,对实验进行了改进和拓展 .介绍如下 .1　制取肥皂液膜(1 )配制肥皂液[1]在蒸馏水中加入高泡沫洗衣粉达到饱和状态 ,加入蒸馏水分量的 1 / 2 0…     

Preparation of Nano-Particles （ Pb, La）TiO3 Thin Films by Liquid Source Misted Chemical Deposition

Nano-particles lanthanum-modified lead titanate (PLT) thin films are grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by liquid source misted chemical deposition (LSMCD). PLT films are deposited for 4-8 times, and thenannealed at various temperature. XRD and SEM show that the prepared films have good crystallization behavior and perovskite structure. The crystallite is about 60nm. The deposition speed is 3nm/min. This deposition method can exactly control stoichiometry ratios, doping concentration ratio and thickness of PLT thin films. The best annealing process is to bake at 300℃ for 10min and anneal at 600℃ for 1h.