影响燃烧法合成金刚石薄膜的参数

制备金刚石薄膜的方法很多。本文主要介绍了影响燃烧法合成过程的主要因素及其对膜的质量的影响。研究表明，基板温度、氧／乙炔配比、基板至内焰距离等对合成的影响很大。     

薄膜的增透、增反作用与其厚度、折射率之间的关系

以单层薄膜为例 ,首先应用多光束干涉原理 ,推导出光强反射率公式 ,然后讨论薄膜的增透、增反作用与其厚度、折射率之间的关系。     

ZnO薄膜的反应蒸发法制备及其光电特性

分析热蒸发时锌液滴在舟内跳动的原因,给出解决问题的方法．用反应蒸发法制备成功ZnO导电薄膜,并给出薄膜的形貌显微照片、XRD图谱、光电效应的测量结果以及其结果与电阻率、薄膜光电子迁移率的关系．     

光化学传感器、光电功能薄膜的研究应用

顾铮[一先]作为教育部“科学技术研究重点项目”项目负责人,承担了国家自然科学基金（2007—2010）、教育部科学技术研究重点项目（2008-2010）、上海市跨世纪优秀人才培养基金“曙光计划”项目（2002-2005）等研究课题;作为核心成员,参加了中国科学院九五重点科技攻关项目（1999-2001）、上海市科委光科技重点项目（2004—2007）等研究课题。多次应国际光学工程学会邀请赴美国、俄罗斯、法国、澳大利亚、日本等国参加国际学术交流。     

脉冲激光引发过渡金属与硅及锗硅薄膜固相反应研究

本项目《脉冲激光引发过渡金属与硅及锗硅薄膜固相反应研究》涉及的学科领域是微电子薄膜材料,主要内容是脉冲激光制备用于集成电路（IC）纳米超浅的源、漏结接触材料的硅／锗硅的过渡金属化合物及其特性。     

含蛋挞状结构的超疏水二氧化硅薄膜的研究

采用St?ber法合成碱性二氧化硅(SiO2)溶胶,利用溶胶-凝胶法制备酸性SiO2溶胶,共混两种溶胶,在玻璃基板上制备含“蛋挞状”结构SiO2复合薄膜。通过扫描电镜(SEM)、红外测试(FTIR)和接触角(CA)对复合膜进行结构表征。结果表明,含“蛋挞状”结构的SiO2 复合膜,不仅是一种粗糙层次结构,表现超疏水性,而且蛋挞中的220 nm SiO2“ 蛋黄”是相对平整区,能够减缓摩擦对结构的影响,具有较好的耐磨性。     

溅射电流对钛薄膜光电性能的影响

为了研究溅射电流对磁控溅射沉积钛薄膜光、电学性能的影响,在其它工艺参数相同的情况下改变溅射电流(0.3 A～0.8 A)制备了6组薄膜样品,采用四探针电阻测试仪测量样品的电阻率,用紫外可见分光光度计测量样品的透射率.同时,利用磁控溅射技术成功制取钛薄膜光栅,采用读数显微镜测量光栅常量.研究表明:钛薄膜电阻率随溅射电流的增大而减小,最小电阻率为3.034 3Ω·cm;透射率随溅射电流的增大先减小后增大,最大透射率约为99%(对应溅射电流0.3 A),最小透射率约为0.03%(对应溅射电流0.7 A);测得钛薄膜光栅的光栅常量为(0.170 1±0.000 7)mm.     

硼碳氮纳米管薄膜的制备及场致电子发射性能研究

采用高温热解法,以硼氢化纳/乙二胺(NaBH4/C2H8N2)饱和溶液为前驱液在沉积有铁催化剂的硅基底上生长硼碳氮(BCN)纳米管.利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜、扫描俄歇微探针和拉曼光谱对BCN纳米管进行形貌观察和表征.BCN纳米管的高度在20μm左右,直径在50～100nm之间,具有明显的"竹节状"结构,结晶有序度较差.对BCN纳米管薄膜进行低场致电子发射性能测试,开启电场1.8V/μm,外电场升至2.48V/μm时发射电流170μA/cm2,当外加电场大于5.5V/μm时,可以观察到发射点均匀分布的场致电子发射图像.     

多功能蛋白质真菌疏水蛋白的界面自组装

疏水蛋白是由丝状真菌分泌的具有特殊性质的蛋白质,在真菌的生长和繁殖中起着非常重要的作用.其最显著的物理特性即能够在亲水-疏水界面通过自组装形成具有两亲性的薄膜使其拥有非常广阔的应用前景.因此有关疏水蛋白自组装方面的研究受到科技工作者的广泛关注.