IB物理 凸显对学生独立思考能力的重视

2009年IB物理大纲在使用了7年之后,将在2016年5月的第一次考试时进行改革。为了帮助IB物理教师在一线教学中对此进行针对性的调整,本文对2009年IB物理大纲（以下简称＂旧大纲＂）和2016年IB物理大纲（以下简称＂新大纲＂）进行三个方面的比较。     

非晶硅薄膜电池充电器的制作

利用廉价的普通开关电源型电动车充电器,制作了一个满足使用要求的非晶硅薄膜充电器,实现了用一块非晶硅薄膜电池板来建立一个小型的离线光伏发电系统。该系统简单可靠,经济实用。     

基于向量式混合质点单元薄壳非线性分析方法的膜材褶皱形变模拟研究（英文）

研究目的:建立一种适用于理想膜结构可进行高精度褶皱形变模拟的稳定可靠的数值分析技术及方法。创新要点:根据薄壳理论,在向量式混合质点单元方法(VFPEM)薄膜计算理论的基础上,引入弯曲内力分析模型并与其进行组合,发展了一种能够描述膜材面外变形的新型非线性薄壳计算理论,同时给出了将其应用于褶皱形变模拟的关键求解技术。研究方法:1.针对薄壳计算模型中的弯曲内力,利用移动基础架构和逆向刚体运动的概念扣除刚体转动,在只含有节点独立转动自由度的单元变形坐标系下根据虚功原理和平衡条件进行计算;2.借助于薄壳非线性屈曲模拟方法,引入合理的初始扰动作为诱发理想平面膜材中形成褶皱的有效机制;3.采用拟动力显式数值积分技术求解质点运动方程,通过追踪质点平衡位置来获得稳态的褶皱构形。重要结论:采用本文模型和方法可以模拟薄膜结构在面内荷载作用下褶皱的分布模式、具体构形信息及应力状态,计算过程不存在收敛性困难,结果准确。     

反应磁控溅射Cu-Al-O薄膜的结构和光电学性质研究

反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。     

《光的颜色 色散》教学设计

正一、设计思路本节内容是在学生学习了"光的折射"、"光的干涉"和"光的衍射"的普遍规律后的一个综合应用,教材把薄膜干涉时发生的色散、衍射时的色散和棱镜折射时发生的色散放在同一节内容中,是因为三者都有色散现象,而形成原理不同,所以,教师在教学中要引导学生重视现象的本质探究.同时,由于生活中的色散现象比比皆是,教师可以训练学生利用已学的知识和     

走路为手机充电不是梦

正一个4厘米见方的薄膜材料,通过导线与LED灯相连;只要用手捏一下这个薄膜材料,LED灯就会亮起。3月18日下午,科技日报记者在中科院北京纳米能源与系统研究所看到,科学家已开发出摩擦电发电机。它的问世,为未来能源发展带来了新的供给模式。这种用高分子透明薄膜材料做成的器件就是一种发电机,或称摩擦电发电机。纳米能源所首席科学家王     

从岭南起飞的国际光伏梦——惠州市易晖太阳能科技有限公司发展纪

<正>惠州,是一座位于北回归线上的城市,素有"岭南名郡"、"粤东门户"之称。半城山色半城湖。惠州之美,在风光,在文化,更在于它让我们知道,即使是在一个悠闲安适的城市里,也充满豪迈的梦想。易晖太阳能科技有限公司,就在这样的惠州。"以万变之创新科技,取永恒之太阳光辉",从成立起,易晖就未想过只是偏安一隅。在光伏产业变幻莫测的未来里,他们相信,能够用高新科技在其中"摸"出一条路来。这条路,以惠州为起点,终将通向广阔的国际市场。     

基于竞争战略的无锡尚德破产重整的案例分析

本文基于竞争战略理论,运用理论驱动型案例研究法,选择进入破产重整的无锡尚德太阳能电力有限公司为研究对象。研究发现:规模过度扩大、与供应商长期交易关系、薄膜电池的开发是导致无锡尚德破产重整的重要原因。最后,为光伏产业的持续发展提供了对策。     

GaN薄膜在自持金刚石衬底上的ECR—PEMOCVD法的生长研究

利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为实验反应源,改变不同的沉积温度,在自支持金刚石衬底上沉积制备了高择优取向的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试方式,研究了沉积温度的变化对GaN薄膜的结晶性和表面形貌的影响。     

本征层为In_xGa_(1-x)N结构柔性太阳能电池研究

本文研究一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本论文研究的太阳能电池具体结构是:Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底;其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极,然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜,最后制备金属Al电极。由于本征层InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜具有可调禁带宽度,对该结构的太阳能电池起着巨大的作用,很大程度上提高了该结构太阳能电池的效率。