Windows9X下多线程的同步及其实现

简要地分析了Windows9X环境下多线程的同步的概念，然后重点介绍了如何利用Delphi5．0提供的标准多线程类(Thread)来实现windows9X环境下多线程的同步。     

基于J2EE的企业MIS的设计模型

提出了一个基于J2EE平台的企业MIS的设计模型,阐述了系统基于J2EE平台的架构和各个部分所应用的技术,包括多层体系结构、EJB、JSP及Servlet多项技术,其中重点介绍了EJB的设计,并结合作者开发此系统的实践,总结了其中的经验和教训.     

构建高等职业院校全程化就业指导体系的思考

以就业为导向，构建高职院校全程化就业指导体系是当前教育改革和社会发展的必然要求。作者从全体教师参与就业指导工作、以就业为导向的高等职业教育课程体系的设计和实施，注重职业生涯规划指导、破“短期促销式”的高职教育就业指导服务工作现状；作好毕业生跟踪调查和回访等五个方面探讨了构建全程化就业指导体系的思路。     

略论休克尔(4n 2)规则与有机物芳香性判别

本文就如何应用休克尔(4n 2)规则,方便、快速、准确地判别稠环、离子和富瓦烯等复杂体系的芳香性、进行了一些探讨,拓宽了休克尔(4n 2)规则的应用范围.     

温室CO2施肥技术及研究进展

本文就CO2施肥的历史和现状、CO2施肥的增产效应及机理、CO2施肥的主要方法等作了综述，在此基础上，提出了我国温室CO2施肥的科研和开发方向．     

Sol-Gel Synthesis and Luminescence of Green Light Emitting Phosphors Zn2SiO4/Mn^2＋

MN2 DOPED ZN2SIO4 PHOSPHORS WERE SYNTHESIZED BY SOL-GEL METHOD, AND THE INFLUENCE OF ZINC SOURCE. MN2 DOPANT CONCENTRATION AND ANNEALING TEMPERATURE WERE INVESTIGATED. RESULTS SHOW THAT ZINC NITRATE BASED PRECURSOR WITH STRONG GREEN EMISSION INTENSITIES IS BETTER THAN ZINC ACETATE BASED PRECURSOR. THE INTENSITY OF GREEN LIGHT EMISSION REACHES A PEAK AT 254 NM WHEN THE MN2 DOPANT CONCENTRATION IS ABOUT 5%( MOLAR PERCENTAGE). STRUCTURAL DETAILS OF THE PHOSPHORS WERE EXAMINED THROUGH X-RAY DIFFRACTOMETRY. THERMOGRAVIMETRIC AND DIFFERENTIAL THERMAL ANALYSIS. THE RESULT INDICATES THAT THEY ARE BOTH RHOMBOHEDRAL STRUCTURES, WHICH REMAIN AMORPHOUS BELOW 700 ℃ AND CRYSTALLIZE COMPLETELY AROUND 1 000 ℃. THE LUMINESCENT PROPERTIES OF ZN:SIO4/MN2 PHOSPHORS WERE CHARACTERIZED BY EXCITATION AND EMISSION SPECTRA.     

带强迫项对流系统的空间混沌定义

主要研究了一类二维离散动力系统(2-D),即带强迫项对流系统的空间混沌行为,介绍了连续对流系统在Li-Yorkc和Marotto意义下的空间混沌定义以及非连续对流系统(分段连续对流系统)在转数区间意义下的空间混沌定义,并且分析了它的空间混沌的存在性.     

Hg_2Br_2声光器件换能器的频率特性

提出用环氧树脂聚合物作为换能器与Hg2Br2声光介质的缓冲层(粘接层),设计Hg2Br2声光器件的换能器三层和五层结构.根据换能器等效电路网络分析法,就x切LN/Hg2Br2声光器件三层结构和五层结构的损耗TL随规一化频率f/f0的变化关系及相应结构下输入阻抗与规一化频率f/f0的变化关系进行了计算并给出了结果.     

L-fuzzy相对T-1,相对T0与相对次T0分离性

定义了L-fuzzy拓扑空间中的相对T-1，相对T0与相对次T0分离性，讨论了相对T-1，相对T0与相对次T0分离性的一系列性质．证明了相对T-1，相对T0与相对次T0分离性是遗传的、传递的、弱同胚不变的及可乘性等性质，并给出了一些例子。     

Research on Gelcasting Formation of SiC-Al_2O_3-Y_2O_3-La_2O_3 Systems

Siliconcarbide (SiC)ceramicmaterialsareusefulad vancedmaterialsinmanyfields,suchasmedicalbiomateri als ,hightemperaturesemiconductors ,synchrotronopticalel ementsandhighstrength /lightweightstructuralmaterials[1] .However,theactualapplicationisstilllimitedduetoitslowreliability ,highmachiningcosts[2 ] .Gelcastingprovidesane conomicalandfeasiblenet shape forminghomogeneousandflawlessgreenbodieswithcomplexgreenshapes.　　Gelcastingconsistsofin situpolymerizationthroughwhichamacromolecularnetwor…