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干法刻蚀中高能量等离子体轰击将不可避免地在氮化镓材料表面引起损伤,这些表面损伤可能会严重影响氮化镓(GaN)材料质量和器件的性能。本文研究了干法刻蚀对GaN晶体表面粗糙度、光学特性和电学性能影响,同时分析了刻蚀损伤的回复方法,并给出了相应机理解释。 相似文献
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在有效质量和有限高势垒近似下,变分研究了在双电子柱形GaN/Al0.2Ga0.8N量子点中掺入不同类型杂质时,杂质电子体系的基态能随杂质电荷、量子点的高度及杂质位置的变化规律。结果表明,随量子点高度增加,杂质电子体系的基态能单调递减;杂质带负电时,体系的基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。随着杂质由量子点下界面沿z轴上移至上界面,对于类氢施主杂质,体系的基态能先减小后增大,在z0=1.0 nm处取得极小值;而受主杂质,变化趋势相反:体系的基态能先增大后减小,在z0=1.0 nm处取得极大值;若掺入中性杂质,杂质电子体系的基态能不变。 相似文献