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郑少锋 《福建工程学院学报》2003,1(3):29-32
通过对多输出的CMOS跨导器传输特性的研究,给出了实现二阶OTA—C滤波器的电路结构和电流传递函数。该电路通过三个CMOS模拟开关的通、断,不用改变电路的拓扑结构就能实现较高频段又易于集成的低通、高通、带通、带阻、全通等多种滤波功能。用PSPICE进行MOS管级的模拟,结果表明电路可获得多种滤波功能并实现滤波参数的片外电调节。 相似文献
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利用CMOS模拟电路理论,详细分析了CMOS反相器的大信号传输特性和小信号传输特性,并且给出了相应的MatLab和Pspice仿真结果. 相似文献
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采用新型CMOS电流反馈运算放大器以及电阻和电容元件模拟无源LC梯型高通滤波器电路,得到了一种高频特性优良的容易全集成的连续时间有源全极点高通滤波器。以三阶高通滤波器的实际电路为例用OrCAD软件进行了MOS管级的计算机仿真,结果表明本文所出的电路方案是正确可行的。这种技术在高频高速模拟集成电路的设计中有较大的实用价值。 相似文献
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20世纪60年代,汤庭鳌曾从事“量子统计和多体问题”方面的数学和科研工作。其授课课程有《量子力学》、《量子统计和多体问题》、《数学物理方程》等。他曾参与我国第一本《量子力学》教科书的编写工作。从70年代开始,他又进入到半导体工艺、半导体器件和集成电路方面的研究工作中,参与了晶体管大电流特性,EDMOS基准电压源,BI-CMOS工艺, 相似文献
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随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。 相似文献