Magnetic field effect on the fluorescence properties of two metal(Ⅱ) complexes based on 1,3,5-triazine-2,4,6-triyltrithio-tri-acetate

Two metal (Ⅱ) complexes based on 1,3,5-triazine-2,4,6-triyltrithio-tri-acetate exhibit similar (6,3)-connected 2D layer with kgd topology. Negative and positive magnetic field effects (MFEs) on the fluorescence properties of the Mn(Ⅱ) and Zn(Ⅱ) complexes are observed, respectively.     

高透明性超支化聚酰亚胺液晶取向膜

用4种二酐与1种四胺单体聚合制备了4种超支化聚酰胺酸,特性粘度在0.15-0.95dl/g之间,具有良好的成膜性.酰亚胺化后得到4种超支化聚酰亚胺（HBPI）,被用作液晶取向膜,具有良好的液晶取向性能,预倾角均在2.以上.紫外-可见光光谱表明HBPI薄膜具有良好的透光性,在400nm处透光率最低仍达90％以上.热重分析表明4种HBPI均具有良的热稳定性,T5最高可达362℃,T1o都在390℃以上.玻璃化转变温度（Tg）均在175℃以上.     

光折变晶体三维存储的几种编码方式之比较

本文讨论了当今较为前沿的三维存储光折变晶体材料写入全息图的几种编码方式的基本原理，详细分析了它们的特点。     

晶体三级管输入输出特性曲线测试方法探讨

晶体三极管的输入、输出特性曲线测试是模拟电子技术最基本的实验之一.掌握正确的测试方法,才能得到正确的结果.本文分析了不同测试电路可能得到的不同结果,给出了合理的测试电路及符合理论要求的测试结果.     

光子晶体光纤中色散波产生及特性分析

基于光子晶体光纤中脉冲演变遵循的非线性演化方程,用数值方法研究了三阶色散为负的情况下色散波的产生及其特性．当三阶色散为负的情况,孤子在长波长方向不断地辐射出色散波,由于色散波处于正常色散区而被展宽,在时域上表现为很宽的基底．     

以Ag作为构筑单元的二维配位聚合物的合成与表征

配住聚合物[Ag(L)2ClO4]是以N,N-(2-吡啶)-(4-吡啶甲基)胺和AgClO4为原料,通过水(溶剂)热法合成.X单晶结构解析显示N,N-(2-吡啶)-(4-吡啶甲基)胺通过2-吡啶和4-吡啶甲基的N原子桥联Ag,形成菱形网格,配体N,N-(2-吡啶)-(4-吡啶甲基)胺的两个苯环互相垂直,并以Ag和分子间氢键为中心.化合物晶体数据单斜晶系,C2/c空间群,晶胞参数a=0.848 31(6)nm,b=1.725 4(1)nm,c=1.669 9(1)nm,β=99.677(6)°.V=2.559 4(1)nm3.     

一维双折射型光子晶体的透射特性

利用传输矩阵,计算了一维双折射型光子晶体的透射谱。得出了双折射型光子晶体的禁带同入射光的     

The madelung constant of the sodium chloride crystal lattice

An analysis of the Madelung constant of the sodium chloride crystal lattice has been made, in an effort to supplement information available in undergraduate textbooks. A method of approximation of the constant using the personal computer is presented. An erratum to this article is available at .     

Er^3＋：Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和缺陷研究

采用液相法合成了多晶材料,用高温提拉法（CZ法）生长出Er^3＋：Y0.5Gd0.5VO4晶体。用ICP光谱法测定晶体中Er^3＋离子含量为1．25at％,分凝系数为1．06。采用热磷酸腐蚀晶片,在偏光显微镜下对晶体的（010）、（001）面上的缺陷进行了观察,可明显观察到位错线、生长层和包裹物。南此得出,Er^3＋：Y0.5Gd0.5VO4晶体的主要缺陷是位锚、生长层和包裹物等。     

自旋极化电子源装置研究

自旋极化电子在许多研究领域有着广泛用途，目前国际上普遍采用光电离GaAs晶体产生自旋极化电子。本文介绍自旋极化电子产生的原理及一种设计简洁、结构简单的极化电子源装置。该十字型四通道装置内有一非常简单的900静电偏转器，新型的用于固定晶片的弹簧夹子可保证晶片加热均匀。用波长780nm圆偏振激光激活GaAs光电阴极可以产生极化电子，然后通过900静电偏转器及一组静电透镜将极化电子引、到反应区。