中国近代史上最辉煌的画卷--纪念辛亥革命九十周年

辛亥革命是中国历史上的一次习跃，为后来的历史性巨变扫清了道路。辛亥革命开户了国民政治意识现代化的闸门；辛亥革命的化革新奠定 了“五四”新化运动的基础；辛亥革命促成了民族工业的第一辉煌期，武昌起义的成功标志着孙中山武装革命学说和辛亥革命的胜利。     

肝门区胆管癌的多层螺旋CT术前评估价值

目的探讨肝门区胆管癌的多层螺旋CT（multislice spiral CT,MSCT）表现及术前评估价值。方法对31例肝门区胆管癌MSCT平扫及增强表现进行分析研究,术前评估肿瘤手术切除的可能性．并与手术病理对照。结果31例肝门区胆管癌均显示肝内胆管不同程度扩张,胆管狭窄、中断．其中可见肝门区肿块24例。MSCT增强扫描以延迟强化为主。术前可切除性评估与手术病理对照．其差异性无统计学意义（P〉0．05）。结论MSCT平扫结合三期增强对显示肝门区胆管癌的直接和间接征象有较大帮助．大大提高了术前评估的准确性。     

线性与或门在高速进位级联电路中的应用

本文介绍了线性与或门具有的超高速及可多级级联等二个工作特点，并考察了它在多级进位级联电路中的应用．     

手机面板注塑模拟与浇口位置优化

提出应用MPI进行浇口位置优化分析流程,优化分析前处理主要包括项目创建及模型导入、模型的网格划分及修改、分析类型及顺序的设置和材料选择、工艺过程参数的设定及最佳浇口分析.通过在最佳浇口区域内设定3个方案,以气穴、熔接痕和翘曲变形量的MPI模拟结果为分析依据,决定手机面板的外观质量.结论是翘曲变形量最小,熔接痕最少的方案2为最佳浇口位置.     

平面栅功率MOS场效应晶体管结构研究进展

随着新能源应用的需求,直流变换器不断向小型化、高功率密度、低压大电流方向发展,作为直流变换器关键器件的功率金属氧化物半导体场效应晶体管,不断创新优化结构,获得更低导通电阻、更高开关速度,从而推动了与互补金属氧化物半导体制造工艺兼容的平面栅技术功率器件的发展。文章探讨了平面栅功率器件的研究进展,包括屏蔽沟道、肖特基势垒结等结构。     

基于总和增量调制的比特流人工神经元和感知器的FPGA实现(英文)

为了解决传统的多比特数字方法在实现人工神经网络时所存在的硬件规模过于庞大的问题,提出了一种基于总和增量(ΣΔ)调制的比特流人工神经网络硬件实现方法.在FPGA中实现了比特流加法器、乘法器、阈值函数单元和全数字ΣΔ调制器,并采用这些比特流运算单元构建了比特流人工神经元.用实现逻辑函数功能和线性分类器的方法验证了比特流人工神经元的功能.基于比特流人工神经元的带预处理结构的比特流感知器被证明具有非线性分类的能力.比特流人工神经元实现所使用的FPGA资源表明比特流人工神经网络硬件实现技术可以显著地减少人工神经网络对硬件资源的需求.     

基于一个离子阱一步产生控制相位门的方案

我们提出利用一个离子阱的两个振动模作为两比特,一步产生控制相位门的方案。该方案外加一个合适的可调激光激发,通过离子态耦合两个振动自由度。我们的方案消除了使用两个离子阱作为两比特的复杂性。     

Incremental min-period retiming algorithm for FPGA synthesis based on influence of fan-outs

An improved linear-time retiming algorithm is proposed to incrementally optimize the clock period,especially considering the influence of the in-out degree of the critical combinational elements.Firstly,the critical elements are selected from all the critical combinational elements to retime.Secondly,for the nodes that cannot be performed with such retiming,register sharing is implemented while the path delay is kept unchanged.The incremental algorithm can be applied with the technology mapping to minimize the critical path delay and obtain fewer registers in the retimed circuit with the near-optimal clock period.Compared with Singh’s incremental algorithm,experiments show that the proposed algorithm can reduce the flip-flop count by 11% and look-up table(LUT) count by 5% while improving the minimum clock period by 6%.The runtime is also reduced by 9% of the design flow.     

用于电容传感器的任意信号发生器研究

通过对特定函数波的研究,设计了用数字电路控制TG门,通过传输一定函数值分布的电压,就可得到任意函数信号和任意函数暂态过程的信号.这在电容传感器测量中得到较好的应用.     

带绝缘槽的SOI RESURF LDMOS的栅电荷分析

栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息,是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-So Son等人提出的SOI基绝缘槽结构LDMOS(TR-LDMOS)的RESURF条件[1],建立器件的栅电荷分析模型,发现TR-LDMOS所需Qgd比普通RESURF LDMOS(LR-LDMOS)少13.85%,所需Qg比LR-LD-MOS少17.65%;完成对密勒电容充电的时间TR-LDMOS要比LR-LDMOS少用50ns。在TR-LDMOS模型基础上,结合仿真对沟道区不同时刻载流子分布的描述,更细致地阐述了功率器件在开启过程中的状态变化;并且应用比较分析的方法,解释无源器件对TR-LDMOS开启的时间和功耗所产生的影响。在降低功率器件开启功耗的原则下,得到有助于器件设计的应用性结论。