三种饰钴方式对镍电极性能的影响

研究了用物理掺杂、化学镀、包覆等三种方式饰钴后的镍电极的性能.通过比较充放电曲线、循环伏安以及扫描电镜测试结果发现:以包覆钴形式对镍电极进行修饰的效果较好.     

稀土Sm掺杂PLA／TiO2杂化材料的制备及抗凝血性能测定

以乳酸为原料、辛酸亚锡为催化剂制备聚乳酸（PLA）;以PI。A、Sm、钛酸四正丁酯（TBT）为原料,采用溶胶凝胶法制备稀土Sm掺杂PLA／TiO2有机无机杂化材料。XPS分析结果显示了Sm的加入。动态凝血时间测定法测定结果表明。Sm的掺杂提高了PLA／TiO2的抗凝血能力,并且在加入量为wt0．6％时效果最佳。     

无限长掺杂Zn棱柱型硅纳米管的理论研究

运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了无限长四棱柱、五棱柱和六棱柱型掺杂锌的硅纳米管的几何结构、电荷布局、能级和电偶极矩。计算结果表明,无限长四、六棱柱型Zn-Si纳米管的最低能结构均保持着基本的管状结构,五棱柱型的则畸变严重。五棱柱和六棱柱型Zn-Si纳米管的最低能结构的电子自旋多重态都为五重态,而四棱柱的为单重态。五棱柱型Zn-Si纳米管是这三种纳米管中热力学稳定性最强的。四、六棱柱型Zn-Si纳米管中电子从硅原子转向Zn原子,Zn原子充当电荷的受体,出现了电子反转现象。五棱柱型Zn-Si纳米管电子的转移方向比较复杂,Zn原子的位置不同,充当不同的电荷角色。两边的Zn原子是电荷的施体,而中间的则充当了电荷的受体。无限长掺杂Zn的五棱柱型硅纳米管的HOMO-LUMO能隙比较大,它的化学稳定性比较强。这三种纳米管呈半导体型。虽然这三种纳米管是极性的,但是五棱柱型的极性很弱。     

纳米碳掺杂TiO2的制备、表征及可见光光催化性能实验

结合科研成果,开设了一种简便的纳米碳掺杂TiO2的制备、表征和可见光光催化性能的实验。实验内容涵盖材料化学、无机合成、仪器分析、催化等专业知识,涉及材料和环境等领域。可作为大学化学综合型实验,也可以此为基础升格为大学化学综合创新型实验。     

Effect of the amount of zinc-doped on the electrochemical performance of nickel hydroxide

1.IntroductionInrecentyears,theNi-MHbattery,akindofnewtypesecondarybatterydevelopedonthebaseofrechargeableNi-Cdbattery,hasattractedtheattentionofmostcustomersintheworldduetotheirexcellentperformancessuchashighpowerdensity,verygoodcyclability,highspecificcapacityandlessenviron-mentalimpact.Currently,theNi-MHbatteryiswidelyusedasapowerforportableelectricdevices,electricvehicles,portablevideos,andsomeimportantsmallapplications[1-3].Nickelhydroxideiscommonlyusedastheactivematerialfornickelposit…     

ZnO基稀磁半导体材料的研究进展

稀磁半导体（DMS）材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景.ZnO基稀磁半导体材料的研究主要集中在：（1）优化生长参数,获得高质量的薄膜;（2）选择不同的掺杂元素与掺杂量,通过单掺杂或共掺杂技术,提高材料的居里温度,奠定其应用的基础.     

掺杂纳米TiO2光催化研究进展

纳米TiO2因其禁带宽和光生电子与空穴容易复合,而表现出较低的光催化活性,阻止了光催化剂纳米TiO2走向实用化.介绍了利用掺杂与共掺杂、金属与非金属掺杂手段对纳米TiO2进行改性的方法,对进一步扩大纳米TiO2的应用范围,实现纳米TiO2的工业化应用奠定了基础.     

一步批量制备氮掺杂石墨烯量子点

因为其独特的量子局域效应,氮掺杂的石墨烯量子点在光电器件的应用上有着良好的前景。由于传统的制备方法中,石墨烯量子点的产率通常不足百分之一,进行氮掺杂的时候会出现进一步损耗,极大限制了其应用。本文提供了一种一步制备氮掺杂石墨烯量子点的方法,而且产率能达到百分之三十以上,将会对促进它在光电领域的实际应用。     

Sc掺杂Al_2O_3晶体及外场作用下Al_2O_3晶体的第一性原理计算

采用GGA-PW91方法计算了未掺杂时Al_2O_3晶体和不同电场下Al_2O_3晶体的能带结构、态密度,并计算了Sc掺杂Al_2O_3晶体的能带结构和态密度.结果表明:未掺杂时Al_2O_3晶体能隙值为6.639 6 eV;随着Z轴方向的外电场增大,Al_2O_3晶体能隙值逐渐变小;O 2s态和2p态的态密度跨度变大,并向低能带偏移;Al原子的3s、3p态的态密度低能带跨度变大,高能带向费米面偏移;Sc掺杂Al_2O_3晶体后能隙值变小,在高能区产生了新的能带并向费米面偏移.     

高导电H4SiW12O40掺杂聚苯胺的合成

用化学氧化法在聚丙烯酰胺(polyacrytamide,简称PAM)水溶液中制备了H4SiW12O40掺杂的高导电的聚苯胺,通过IR、XRD、光谱对其进行表征,用四探针法进行电导率的测定,系统地研究了杂多酸、氧化剂和单体的比例、反应混合体系温度的改变对最终产物质量的影响,从而找到了产量较高、高导电聚苯胺合成的最佳条件。