JA750型等离子体光谱仪测控系统的改造及应用

JA750型等离子体光谱仪测控系统的计算机换型、从PDP-8A-IBMPc286-通用微机，解决了专用计算机维修换件难的问题，保证了仪器正常运转，延长了该仪器使用寿命；操作系统升级，从PDP-8A机器语言→DOS操作系统→windows操作系统，解决了原机器语言操作系统功能落后的问题。该文对仪器改造前后的功能及技术指标进行了对比，并利用改造后的等离子体光谱仪进行了矿产勘查样品测试方法的研究，经国家一级标准物质（GBW）分析验证，该方法测量相对误差和相对标准偏差均在标准要求范围内，为矿产勘查样品系统，快速、大批量样品分析提供一种有效手段。     

拉曼光谱在考古研究中的应用

拉曼光谱技术是一种非弹性光散射分析技术,由于它与物质的分子振动、转动能级有关。可以鉴别各种物质的种类和特性,适用于考古文物的分析．目前拉曼光谱作为无损的分析方法,已经广泛应用于考古研究中．本文综述了近几年拉曼光谱在青铜器、颜料、古玉、古陶器等考古研究中的应用,并对其在该领域的发展前景作了进一步的展望．     

国产LaBr3：Ce晶体性能表征

作为近年来发展起来的新晶体,LaBr3：Ce有着很高的发光产额（~60000p/MeV）和较快的发光衰减时间常数（~16ns）,因而成为研究热点。国内对LaBr3：Ce晶体的研究还不多,仅少数几家单位具备研究生产条件。本工作采用北京华凯龙电子有限公司生产的LaBr3：Ce晶体（晶体尺寸为椎30mm×20mm）,配合XP20D0光电倍增管,采用单光电子方法测量得到其光电子产额为16800p.e/MeV;并测量了其发光衰减曲线,计算得到上升时间为5.6ns,发光衰减时间常数为21ns;其对137Cs的能量分辨率为3.3%。采用两块椎30mm×20mm的LaBr3：Ce晶体与两只XP20D0光电倍增管,测量得到对2 Na的符合时间分辨率为191ps;这些表征为国产LaBr3：Ce晶体的酌谱仪研究工作提供了重要参考。     

在分光计中实现水薄膜的等倾干涉

本文介绍利用分光计来观察光的等倾干涉的方法 ,该实验所用的器材普及 ,易于操作 ,现象明显 ,并能反映出某些动态过程     

利用图表法分析分光计各半调节原理

利用图表分析法,给出了光学实验中分光计的各半调节方法,该方法有助于对分光调节原理的理解.     

双暗态原子系统动力学行为的量子相干控制研究（英文）

量子相干控制前沿问题及应用研究是本世纪物理学前沿领域的重要研究内容。而基于暗态的量子相干控制技术已经导致了在相干布居捕获、绝热跟随、量子信息等多方面的应用。本论文主要进行双暗态原子系统动力学行为的若干量子相干控制研究,包括：双暗态四能级原子系统的绝热跟随特性研究;双暗态作用提高克尔非线性的新方案提出;自发辐射诱导相干实现非线性极化率的提高以及双通道高效四波混频过程的实现等。     

五彩圣旨材质及字迹颜料研究

圣旨是封建时期官方文书的最高形式,在制式上有着极为严格的规定并被冠以"祖制"沿袭。在一定意义上圣旨本身就是一种记录历史信息的档案。本文通过X荧光能谱仪对清晚期光绪年间的圣旨书写字迹的元素进行测定,并结合共焦显微拉曼光谱对颜料进行了无损定性研究。同时运用生物显微镜鉴定了圣旨的纤维材质,在了解历史信息的同时也为下一步圣旨的修复提供了参考资料。     

不同标号天然橡胶的拉曼光谱鉴定

用拉曼光谱仪在532 nm的激发光照射下,分别对海南产的5#、10#、20#天然橡胶进行了鉴定。结果表明,从其拉曼光谱的不同峰值,可得出不同标号天然橡胶所含杂质的信息,从而鉴定出相应标号的天然橡胶。     

双暗态原子系统动力学行为的量子相干控制研究（英文）

量子相干控制前沿问题及应用研究是本世纪物理学前沿领域的重要研究内容。而基于暗态的量子相干控制技术已经导致了在相干布居捕获、绝热跟随、量子信息等多方面的应用。本论文主要进行双暗态原子系统动力学行为的若干量子相干控制研究，包括：双暗态四能级原子系统的绝热跟随特性研究；双暗态作用提高克尔非线性的新方案提出；自发辐射诱导相干实现非线性极化率的提高以及双通道高效四波混频过程的实现等。     

Bi_（5-x）Nd_xTiNbWO_（15）共生铁电陶瓷的微观结构和介电特性研究

利用传统的固相烧结工艺制备了Bi5-xNdxTiNbWO15（x=0.00～0.75）共生铁电陶瓷样品.通过X射线衍射、Raman散射光谱以及介电损耗测量研究了样品的微观结构和介电特性.X射线衍射谱表明,所有样品都是单一的Bi系层状钙钛矿共生结构,没有出现杂相.Raman散射光谱分析表明,在掺杂量为0.00～0.75范围内,Nd离子只取代了A位的Bi离子,并没有进入Bi2O2层.从介电损耗随温度变化谱上（f=100kHz）可以看到：Nd掺杂能有效降低材料的损耗值.这可能是由于掺杂元素Nd的稳定性较好,降低了材料中缺陷的浓度,从而减小了介电损耗.