L拓扑空间的局部超F1紧性

本文通过选择一种特殊的超F1紧性,给出了L-拓扑空间的局部超F1紧的定义,得出了局部超F1紧是闭、开遗传的,在开的连续的L-值Zadeh型函数下是保持的等.把分明拓扑空间中局部紧性的一些好的性质推广到L-拓扑空间中.     

关于惰性电子对效应的探讨

本文用能量效应和结构因素剖析惰性电子对效应产生的原因。这将对教学带来助益．     

静电场能量与价电子在晶格势场中电势能的改变

利用凝聚态物理学方法研究了处于静电平衡状态的带电体周围空间静电场能量的来源问题,讨论了改变导体内价电子在晶格势场中电势能的方式,得出了改变价电子密度、加热和使导体载流等三种方式均可以改变价电子在晶格势场中电势能的结论。进一步分析了处于静电平衡状态的导体周围空间的静电场能量来源的问题,得出了静电场能量来源于导体内载流子在晶格势场中电势能变化量的结论。     

格的弱半合同

引入了格的弱半合同的概念并讨论了与之相关的一些概念和性质。     

CdSe和CdSe／ZnS半导体量子点光谱特性的研究

利用X射线衍射谱（XRD）、紫外-可见（UV—Vis）吸收光谱、荧光光谱（PL）系统地研究了不同表面、多种尺寸的CdSe半导体量子点（QDs）的光学性质、结果显示表面修饰完善的样品的荧光光谱只有一个窄而强的带边发射;所有样品的荧光峰相对于1S-1S吸收峰有较大的红移,并且移动量随尺寸的减小而增加,利用激子的精细结构模型很好地解释了红移量和尺寸的关系;核／壳结构的样品的吸收峰和荧光峰相对于同尺寸的单量子点也有红移现象,这是由于CdSe和ZnS的晶格失配在界面上产生压力造成的。     

格论中的对偶

推广了对偶的概念与对偶原理的思想,在格论中引入了对偶律,并讨论了与之相关的一些概念和性质。     

特殊钻石型等级晶格上BEG模型的临界行为

利用重整化群方法,讨论了一种特殊钻石型等级晶格上BEG(Blume-Emery-Grif-fith)模型的相变和临界行为。结果表明,在哈密顿量中有无晶体场强度时的结果是有差别的,而且与一般钻石型等级晶格的结果不同,所计算临界指数的值也不一样,它们并不属于同一个普适类。     

正规代数对象的半单闭包之构造

最近,E.R.Puczylowski用公理化方法建立了外延广泛的代数系统--代数对象类的概念,它包含了大多数已知的代数范畴.并且,在特殊的代数对象类--正规代数类中,他给出了半单类的一个特征.本文的目的是在正规代数类中给出半单闭包的构造.     

对称拓扑分子格的半正则化

设(L,η)是对称拓扑分子格,η是由(L,η)中正则闭元作为闭基所生成的余拓扑,则称(L,η)为(L,η)的半正则化。主要结果有:1°(L,η)是可数(弱)S-闭的当且仅当(L,η)是可数(弱)S-闭的;2°(L,η)是(弱)仿S-闭的当且仅当(L,η)是(弱)仿S-闭的;3°若(L,η)是可数强S-闭的,则(L,η)是可数强S-闭的。     

偏蕴涵代数

通过对效应代数和差分偏序集的研究,从蕴涵的角度出发引入偏蕴涵代数,证明了偏蕴涵代数与效应代数是两种不同形式的等价代数结构,并讨论了它与其他代数之间的关系.