AlTiCCeP对Al-30%Si合金初晶硅相的变质效果研究

借助SEM与XRD分析手段,对自制的AlTiCCeP(含2%P)中间合金进行物相分析,并以Al-30%Si合金为变质对象,探讨其对初晶硅的变质效果与变质机理。结果发现:AlTiCCeP中间合金组织中含有TiC、AlP、TiAl3和Ti2Al20Ce等物相,当AlTiCCeP的添加量(以磷的实际添加量计算)为Al-30%Si合金质量的0.15%时,对初晶硅变质效果显著,平均尺寸约为28μm,优于商用Cu-P中间合金。     

膨胀石墨负载氮掺杂二氧化钛降解甲基橙的光催化性能

采用溶胶-凝胶法制备了膨胀石墨负载TiO2和负载氮掺杂TiO2（N-TiO2）光催化剂,用XRD和SEM对样品进行表征,并以甲基橙溶液为目标降解物进行光催化性能的评价。结果表明：纳米TiO2可牢固地负载在膨胀石墨表面和层间,当达到吸附平衡后,煅烧温度为500℃条件下制备的膨胀石墨负载N-TiO2光催化剂在加入量为10 g/L、反应时间60 min的条件下,对初始浓度为15 mg/L的甲基橙溶液的降解率达到95.2%。     

薄膜太阳能电池的分类、发展与研究

太阳能电池是当今世界发展最迅速,最有潜力的新兴能源之一,为缓解能源危机提供了一种切实可行的方法。本文首先介绍了目前国际上研究较多的几种太阳能电池,然后分析并总结了不同薄膜太阳能电池在制造成本、生产工艺、转换效率、耐用性、产品厚度等方面的优缺点及发展趋势。可以预见,随着新技术、新结构的不断创新,太阳电池的成本、转换效率和稳定性将不断提高。     

Effective and inexpensive gas chromatography method for detection of trace level SO2 in H2 fuel

Gas chromatography （GC） analysis of sulfer dioxide is challenging because SO2 is a highly mobile and chemically active molecule. For the conventional GC method with flame photometric detector （FPD） and direct-injection, it is often ineffective particularly when the SO2 level is as low as on the trace level. In this paper, a modified GC system integrated with an adsorption-desorption device was developed to detect the trace SO2 impurity in H2 fuel. Adsorbent GDX-502 is used in the adsorber to adsorb/collect SO2 from the sample gas and desorb/release it in a concentrated flow so that the conventional GC at downstream could detect it with an acceptable accuracy.     

脉冲激光沉积法在多孔硅衬底上制备ZnS薄膜

用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅样品,然后用脉冲激光沉积法以PS为衬底生长一层ZnS薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计分别表征了ZnS薄膜的结构、形貌和ZnS/PS复合膜的光致发光性质.XRD结果表明,制备的ZnS薄膜沿β-ZnS(111)方向择优生长,结晶质量良好,但衍射峰的半峰全宽较大;SEM图像显示,ZnS薄膜表面出现一些凹坑,这是衬底PS的表面粗糙所致.室温下的光致发光谱表明,沉积ZnS薄膜后,PS的发光峰蓝移.把ZnS的蓝绿光与PS的橙红光叠加,在可见光区450~700 nm形成了一个较宽的光致发光谱带,ZnS/PS复合膜呈现较强的白光发射.     

用气相色谱法测定工业用乙烯丙烯中痕量一氧化碳二氧化碳

采用带转化炉的氢火焰气相色谱与色谱工作站,通过选择合适的操作条件及标准气体样品,对工业用乙烯、丙烯中痕量的一氧化碳、二氧化碳进行检测,方法的检出限达到μL/m3级水平。对方法的回收率及精密度作试验,测定回收率为97.1%—103.9%,相对标准偏差（n=6）为2.67%~7.40%。     

Band structures of TiO2 doped with N, C and B

This study on the band structures and charge densities of nitrogen （N）-, carbon （C）- and boron （B）-doped titanium dioxide （TiO2） by first-principles simulation with the CASTEP code （Segall et al., 2002） showed that the three 2p bands of impurity atom are located above the valence-band maximum and below the Ti 3d bands, and that along with the decreasing of impurity atomic number, the fluctuations become more intensive. We cannot observe obvious band-gap narrowing in our result. Therefore, the cause of absorption in visible light might be the isolated impurity atom 2p states in band-gap rather than the band-gap narrowing.     

一元固体二氧化氯的制备及其特性研究

采取微囊化技术,对自制高活性固体二氧化氯母料进行了一元化处理,发现包膜剂浓度和用量对固体二氧化氯母料的稳定性有很大的影响.包膜剂浓度在20%~30%之间为宜,包膜剂用量越多,产品的稳定性越好,但过多的包膜剂会阻碍母体成分的溶解.     

硅集成电路研究

本文介绍了硅集成电路的主要发展方向和趋势,重点阐述了硅集成电路制造过程中的关键技术和技术突破点。     

把二氧化碳制成有用的工业产品

介绍了近年来国外对二氧化碳在制备工业产品方面的新应用。将二氧化碳制成有利的工业产品，可变害为利，保护自然环境，且来源丰富、价格便宜。