合金模用硅橡胶硬化及老化性能研究

本研究以德国Wacker公司的合金模用硅橡胶为目标,在原有硅橡胶配方的基础上,采用改变不同乙烯基含量硅橡胶的比例,添加气相法白炭黑、含H硅油等方法,改善混炼硅橡胶硬化及老化性能。测试结果表明,CY-2的撕裂强度、拉伸强度以及硬度和密度与W硅橡胶接近;DSC曲线上200-250℃区间内的两个吸热峰表明两种混炼胶的成分及结构存在差别;CY-2硅橡胶硫化曲线的走势与W硅橡胶配方的曲线走势基本一致,说明CY-2硅橡胶的硫化性能与W硅橡胶非常接近,硬化性能得到明显的改善。本研究旨在改善合金模用硅橡胶的耐热和耐老化性能。     

硅晶棒内圆锯切加工过程的锯切力分析

通过对内圆锯切力进行计算分析,分析了内圆锯片锯切硅晶棒的锯切力特征以及进给速度、主轴转速和工件尺寸等锯切工艺参数对锯切力的影响。由计算分析可知,锯切力是连续变化的,变化特征与接触弧长的变化特征相同,法向锯切力比切向锯切力对锯切加工过程的影响更显著;锯切工艺参数对内圆锯切力的影响明显,对锯切工艺参数进行合理选择和优化改善接触弧长,可有效改善锯切力状态,保证锯切加工过程的平稳性。     

硅微电子技术物理极限对策探讨

根据国际半导体技术蓝图(ITRS)发布的未来半导体工艺技术预测,2016年世界集成电路主流工艺线宽为22纳米,2022年达到10纳米。届时,以硅为基础的微电子技术发展所遵循的摩尔定律将不再适用;为此,必须发展基于全新原理的新技术,以满足人类不断增长的对信息量的需求。本文首先介绍硅材料国内、外的发展现状与趋势,进而讨论后摩尔时代的微电子技术发展可能采取的对策,最后展望基于全新原理的纳米电子、分子电子、光计算和量子信息技术的发展前景。     

电场方向对铝诱导非晶硅薄膜固相晶化影响浅析

通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和喇曼谱仪检测铝诱导非晶硅薄膜的场致固相晶化的情况,分析了电场方向对铝诱导非晶硅薄膜固相晶化的影响.     

硅基光电子材料的研究

综述了硅基发光材料的研究新进展,分别以发光多孔硅、多孔碳化硅、纳米硅薄膜和发光硅基超晶格为例,分析讨论了其制备、物理特性及发光机理.     

电解电容器自动分选机中高压直流稳压电源的研究

介绍了一种将可控硅调整与晶体管串联稳压电源有机地结合在一起、输出电压连续可调的高压大功率直流稳压电源。该电源不仅具有输出纹波小、输出特性好、瞬时响应快等线性电源的优点,还具有调整管的管压降小、可靠性高、使用方便等特点,可作为高压铝电解电容器充电测试的高性能电源而用于自动分选机中。     

一株脱硅胶质芽孢杆菌的分离与初步鉴定

本文利用无氮铝硅酸盐矿物选择性培养基，从土壤、铝土矿等样品中分离得到10株产荚膜的芽孢杆菌。对其中编号为GSY-1的菌株的生物脱硅试验结果表明：在pH7．2，30℃，200r／min后，矿浆含量5％，浸出时间7d，铝土矿矿样的A／S从10．30提高到13．48，增幅达30．87％，差异显著，由此确定该菌株具有一定的铝土矿脱硅能力。通过对GSY-1菌株的细胞形态、培养条件及生理生化特征的测定并与模式株对照，可初步鉴定为硅酸盐胶质芽孢杆菌。     

以硅酸钠为硅源原位生成SiO2增强橡胶

采用溶胶-凝胶技术，以硅酸钠为原料制得活性硅醇的THF溶液，再与天然橡胶及少量偶联剂混合，原位生成二氧化硅（SiO2）增强橡胶。论述了在酸性条件下制备特性聚硅酸的最佳反应条件，对温度，pH值及硅酸钠浓度的影响进行了研究。同时用热重分析（TG）测试材料的热性能，电子拉力机测量SiO2含量对材料的力学性能的影响。为弹性体杂化材料的制备提供了一种更具实用价值的新方法。     

硅钢纵剪剪边毛刺产生原因及处理方法探讨

剪边毛刺缺陷严重影响硅钢产品的出厂质量。如何降低剪边毛刺量一直以来都是生产现场的重要研究课题。现标准要求将硅钢带剪边毛刺量控制在0.015mm以内,给现场生产带来巨大挑战。从现有生产设备和硅钢带材料特性入手,探索了剪边毛刺产生的原因,探索了剪刃锁紧方式、剪刃磨削方式、圆盘剪入口导位板调整等处理方法。     

Effects of parameters in femtosecond laser micromachining on ablation of silicon

A series of ablation experiments on silicon surface by femtosecond laser system of 775 nm and 150 fs duration pulses were carried out.The morphological characteristics and the associated effect in the ablation were tested by atomic force microscope (AFM),scanning electron microscope (SEM),focused ion beam (FIB),and the optic microscope.The single pulse threshold can be obtained directly.For the multiple pulses,the ablation threshold varies with the number of pulses applied to the surface due to the incubation effect.By analyzing the experimental data,the thresholds of laser fluences under various laser pulse numbers were obtained,and the relationships between ablation area and laser energy and laser pulse number were concluded.Meanwhile,the periodic ripple structure on silicon surface was found.Under the condition of certain laser power,the number of laser pulse can influence the formation of ripples.