氩氧比对射频反应磁控溅射制备TiO2薄膜亲水性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了锐钛矿相TiO2薄膜,在基片温度、溅射功率、溅射时间以及靶材与基片间的距离等因素不变的情况下,研究不同氩氧分压比对薄膜亲水性能的影响。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射光谱(XRD)表征了薄膜的微观表面形貌和晶相组成,采用静态接触角(SCA)评估薄膜的亲水性。实验结果表明不同氩氧比制备的锐钛矿相TiO2薄膜,紫外光照12 h后,接触角降到10o左右,而氩氧比小于等于5:5的接触角都低至5o左右,达到了超亲水性。氩氧分压比为4:6时,样品薄膜的光致亲水性最佳且光照后亲水性的保持较长。     

TbCo磁化膜制备工艺对其垂直磁各向异性的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片制备TbCo非晶垂直磁化膜,采用样品振动磁强计和磁转矩测量仪测量薄膜的磁性能和磁转矩曲线．结果表明：Cr底层、TbCo磁性层组分、溅射气压、基片偏压、退火温度和TbCo磁性层厚度对薄膜的磁各向异性能都有很大影响．．     

磁控溅射TiN薄膜及其性能研究

以直流反应磁控溅射方法在Si（111）基底上制备薄膜TiN.研究发现：在保持其他工艺参数不变的条件下,溅射气压在0.3～1.3 Pa范围内,薄膜的主要成分是（111）择优取向的立方相TiN.当溅射气压为0.5 Pa时,沉积的薄膜膜层致密均匀,色泽金黄,膜厚为115.8 nm,结晶性能好.在可见光区半透明而在红外光区呈高反射,红外反射率为90%,具有良好的太阳光谱选择性.     

非晶硅薄膜电池AZO背反射电极的制备与机理研究

采用直流脉冲磁控溅射方法在非晶硅薄膜上制备AZO背反电极,比较不同制备参数对透过率及效率的影响。采用优化参数,得到效率增加了0．8％的非晶硅薄膜电池。根据实验结果,证明背反电极增反机理不是薄膜干涉增强原理,而是因为界面共振吸收减少,而导致光的吸收增强的机理。     

In－Situ Epitaxial Growth of Bi－Sr－Ca－Cu－O Superconducting Thin Films on Si（100） by rf Of－Axis Magnetron Sputering

Ｉｎ－ＳｉｔｕＥｐｉｔａｘｉａｌＧｒｏｗｔｈｏｆＢｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－ＯＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＴｈｉｎＦｉｌｍｓｏｎＳｉ（１００）ｂｙｒｆＯｆ－ＡｘｉｓＭａｇｎｅｔｒｏｎＳｐｕｔｅｒｉｎｇＱｉａｎＷｅｎｓｈｅｎｇ（钱文生）ＬｉｕＲｏｎｇ（刘...     

Fabrication and characterization of VO2 thin films by direct current facing targets magnetron sputtering and low temperature oxidation

Low valence vanadium oxide（VO2-x） thin films were prepared on SiO2/Si substrates at room temperature by direct current facing targets reactive magnetron sputtering, and then processed through rapid thermal annealing. The effects of the annealing on the structure and phase transition property of VO2 were discussed. X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray diffraction technique and Fourier transform infrared spectroscopy were employed to study the phase composition and structure of the thin films. The resistance-temperature property was measured. The results show that VO2 thin film is obtained after annealed at 320℃ for 3 h, its phase transition temperature is 56 ℃, and the resistance changes by more than 2 orders. The vanadium oxide thin films are applicable in thermochromic smart windows, and the deposition and annealing process is compatible with micro electromechanical system process.     

半导体薄膜发光谱的修正

讨论了半导体发光薄膜的光致发光谱修正要点。光致发光结果受到氙灯的光强、温度及薄膜表面的平整度等因素的限制,使得结果可比性差。采用了标准偏差的方法修正了数据,使其具有可比性。     

溅射参数对FeSiAl薄膜磁性能的影响

对在溅射状态下制得的FeSiAl薄膜的结构和磁性能随溅射工艺参数如溅射功率、溅射气压、靶间距等的变化规律进行了讨论与分析。实验结果表明,溅射态下的FeSiAl薄膜具有(220)织构bcc α无序相,其4πMs可以达到9.9×106A/m(9.9kGs)。较高的溅射功率、合适的溅射Ar气压以及靶间距都有利于降低薄膜的矫顽力Hc。     

一维GaN纳米结构的制备、表征及其特性研究

采用在石英炉中,氨化Ga2O3薄膜的方法,在Si（111）衬底上成功了制备GaN纳米结构薄膜：纳米线、纳米棒．分别用X射线衍射仪（XRD,Rigaku D／Max--rB Cu Ka）、傅立叶红外透射谱（FTIR,TENSOR27）、扫描电子显微镜（SEM,Hitachi S-570）、高分辨电镜（HRTEM,Philips TECNAIF30）和光致发光谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了测量分析．最后,简要的讨论了其生长机制．     

全自动真空磁控溅射镀膜仪研制

针对目前真空专业学生教学的需要,研制了全自动真空磁控溅射镀膜仪。详细介绍了镀膜仪6大部分的设计与制作。该镀膜仪具有占地面积小、功能齐全、功能拓展性强的特点,不仅能够服务于多门课程的教学实验,节约实验资源,而且为真空专业学生和教师提供了良好的创新实验平台,可开设多项专业实验和创新实验。