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41.
试验研究了砂率、石子级配以及搅拌与成型工艺对透水混凝土主要性能的影响。试验结果表明:砂率和石子级配对混凝土的抗压强度有利,但同时对透水系数有着负面的影响;机械成型对混凝土强度有益而对透水系数有影响,但影响不显著。合理解决这些问题能为配置高性能透水混凝土提供依据。 相似文献
42.
自我和谐是个人心理健康的标志,和谐心理能有效地激励个体发展。基于和谐理念,探讨体育专业大学生心理和谐的内涵与层次结构。采用文献资料法、归纳法、问卷调查法、专家访谈法等研究方法,定量和定性研究相结合,提出体育专业大学生心理和谐包括情绪控制力、沟通愿景、自尊与支持、忠诚亲密、心灵自我等五个因素,反映体育大学生心理和谐的系统特征,并开发体育专业大学生心理和谐的测量工具,构建专业体育大学生心理和谐测评工具,完善大学生心理健康的引导、咨询与指导,将有助于推动我国大学生心理健康的评价研究。 相似文献
43.
合成了一种芘取代的自由卟啉,配制了其浓度为10-4mol/L的三氯甲烷溶液.采用Z-扫描技术测试了该样品溶液在波长为1064 nm,脉宽为20 ps条件下的非线性光学特性.结果表明,与单体芘和卟啉相比,芘取代的自由卟啉在皮秒光强下既存在非线性折射,又存在非线性吸收.其中非线性吸收性质表现出双光子吸收,吸收系数为7.377×10-13 m/W.结果表明,该共轭体系在1064 nm的三阶非线性性质明显优于普通卟啉和芘的单体,这为开发和探索新型非线性光学材料及研究卟啉的功能提供一条新的参考途径. 相似文献
44.
使用5-D-谷氨酰-D-半胱氨酰甘氨酸(D-谷胱甘肽)及其同分异构体1-L-谷氨酰-D-半胱氨酰甘氨酸作为稳定剂,在水溶液中合成了碲化镉(CdTe)量子点.通过控制反应回流时间,研究了在不同的反应时间内由2种同分异构体稳定的CdTe量子点的紫外光谱,发现分子结构的细微差别能够引起量子点的表面状态不同,进而导致制备的量子点荧光性质不同.通过荧光光谱研究了2种分子稳定CdTe纳米粒子荧光性质的差异,并结合紫外-可见光谱,讨论了引起2种CdTe量子点荧光性质不同的原因. 相似文献
45.
HA—凸函数及其Jsensen不等式 总被引:1,自引:0,他引:1
针对凸性及其广义凸性问题,提出了HA—凸函数的概念,给出了HA—凸函数的判定定理及其运算性质,建立了HA—凸函数的Jensen型不等式,列举了HA—凸函数的应用实例. 相似文献
46.
采用基于密度泛函(DFT)理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,对Zn2SiO4∶Mn2+的电子结构(能结构、态密度)和光学性质进行了理论计算。计算结果表明,Zn2SiO4∶Mn2+是一种间接带隙半导体,禁带宽度为2.934 eV;其能态密度主要由Zn-3d,O-2p和Si-3p决定;静态介电函数ε1(0)=2.82;折射率n0=1.75;吸收系数最大峰值为7.37×104cm-1;利用计算的能带结构和态密度分析了Zn2SiO4∶Mn2+材料的介电函数、反射谱、复折射率以及消光系数等光学性质,为Zn2SiO4∶Mn2+发光材料的设计与应用提供了理论依据。 相似文献
47.
ZnO纳米颗粒可以明显提高固化后环氧树脂的性能.本研究制备了ZnO量子点/环氧树脂复合材料,环氧树脂使用聚酰胺固化剂,在低温下短时间固化.合成过程中,使用正己烷取代丙酮作为溶剂,从而提高复合材料的机械性能.随后,使用紫外-可见透过光谱、荧光发射光谱和硬度等研究了不同制备工艺下ZnO/环氧树脂复合材料的光学性能和机械性能.结果表明,通过原位固化法将ZnO量子点与聚酰胺固化剂混合得到复合固化剂,将树脂与该固化剂混合后,可以在低温下固化得到具有较好机械性能和光学性能的ZnO/环氧树脂纳米复合材料. 相似文献
48.
以普通Al粉、LiAlH4和Li3AlH6作为Al源,分别与LiBH4进行球磨复合,通过对LiBH4/Al、LiBH4/LiAlH4和LiBH4/Li3AlH6复合物吸放氢过程的物相分析、放氢性能分析和吸氢性能分析,系统研究不同Al源对LiBH4储氢性能的影响,发现Li3AlH6分解提供的活性Al促进LiBH4放氢作用明显,并且其放氢产物的可逆吸氢动力学性能也最好。 相似文献
49.
用阳极氧化法在Ti基片上制备出TiO2薄膜,然后通过电化学沉积法将Co-Pi和Cu2O沉积在TiO2薄膜表面.通过扫描电镜、X-射线衍射和光电化学性质测试,发现TiO2薄膜表面先沉积Co-Pi能够有效阻止Cu2O颗粒堆积,光电流显著提高.而先沉积Cu2O后沉积Co-Pi,则会使Cu2O还原为Cu,同时形貌发生改变.特别地,沉积300秒Co-Pi后再沉积Cu2O颗粒,能得到200 mA/cm2的最大光电流. 相似文献
50.
基于第一性原理密度泛函理论,采用局域密度近似的赝势平面波方法计算了掺硫元素红外光学材料Ga Se晶体的物性,包括晶体结构参数优化、微观电子结构和宏观光学性质.计算的纯Ga Se晶格常数的结果与其他实验值较吻合,随着硫含量的增加Ga Se1-xSx晶格常数呈减小趋势.计算得到的电子带结构表明,Ga Se1-xSx是直接带隙半导体材料,能带带隙宽带随着硫含量增加而逐步增加.通过分析计算所得的Ga Se1-xSx光吸收曲线发现该系列晶体具有良好的光学质量,随组分比增加,固溶体Ga Se1-xSx吸收曲线低能端光吸收限蓝移. 相似文献