首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   823篇
  免费   13篇
  国内免费   16篇
教育   548篇
科学研究   237篇
各国文化   1篇
体育   5篇
综合类   21篇
文化理论   1篇
信息传播   39篇
  2023年   4篇
  2022年   5篇
  2021年   3篇
  2020年   6篇
  2019年   5篇
  2018年   3篇
  2017年   11篇
  2016年   7篇
  2015年   13篇
  2014年   46篇
  2013年   44篇
  2012年   66篇
  2011年   41篇
  2010年   55篇
  2009年   74篇
  2008年   69篇
  2007年   52篇
  2006年   43篇
  2005年   39篇
  2004年   43篇
  2003年   51篇
  2002年   39篇
  2001年   26篇
  2000年   25篇
  1999年   15篇
  1998年   8篇
  1997年   16篇
  1996年   12篇
  1995年   10篇
  1994年   5篇
  1993年   4篇
  1992年   5篇
  1990年   3篇
  1989年   3篇
  1986年   1篇
排序方式: 共有852条查询结果,搜索用时 15 毫秒
801.
802.
803.
1Introduction Theone atommicromaserhasattractedconsiderable interestsinceitwasrealizedexperimentallyin1985[1]. BecauseitdirectlyapprovestheJaynes Cummings modeloftwo level atominteractionwithasinglemode oftheelectromagneticfieldandexhibitsanumberof quantumfeaturesincludinggenerationofphotonnum bertrappingstates[2,3],highlypureFockstatesof cavityfieldsandPoissonian,sub Poissonianphoton distribution[4,5],etc.Itisatrulyquantum mechanical fieldandprovidesausefulapproachtothestudyofin teraction…  相似文献   
804.
碳纳米管场发射显示器是平板显示器中极具发展潜力的新型显示器件,是在碳纳米管及纳米工艺研究基础上发展起来的.它采用印刷碳纳米管来代替微锥形发射尖端,简化了制作工艺.另外,在碳纳米管平板显示器中,控制系统及驱动电路尤其是阴极高压驱动电路在整个显示系统中占有非常重要的地位,该高压驱动电路的设计优化和制作不但直接影响显示效果,甚至决定着整机的价格,本文结合碳纳米管显示器研制过程中对高压驱动电路的需要,对比分析了已有几种高压驱动电路的结构特点,设计了基于CMOS电路结构的高压驱动电路,电路全部由高压和低压MOSFET组成,从而达到降低功耗、提高速度、并利于实现单片集成的目的.用SPICE电路仿真软件验证所设计电路具有正确的逻辑功能,并对电路结构和器件参数进行优化.在此基础上,通过制作电路板,并实测电路的频率响应符合设计要求.用所制作电路板驱动系统驱动我们制作的5英寸单色碳纳米管阴极场发射平板显示屏,显示效果良好.  相似文献   
805.
An addition scheme applicable to time-delay integration (TDI) CMOS image sensor is proposed,which adds signals in the charge domain in the pixel array.A two-shared pixel structure adopting two-stage charge transfer is introduced,together with the rolling shutter with an undersampling readout timing.Compared with the conventional TDI addition methods,the proposed scheme can reduce the addition operations by half in the pixel array,which decreases the power consumption of addition circuits outside the pixel array.The timing arrangement and pixel structure are analyzed in detail.The simulation results show that the proposed pixel structure can achieve the charge addition with negligible nonlinearity,therefore the power consumption of the periphery addition circuits can be reduced by half theoretically.  相似文献   
806.
利用06微米CMOS技术设计了一种新型的CMOS分布放大器。介绍了分布放大器的原理。利用HP—ADS软件仿真和设计了一个四级CMOS分布放大器。设计中使用了一系列片上螺旋电感。测量了分布放大器的S参数。对实验结果进行了分析和讨论。  相似文献   
807.
《科技新时代》2006,(9):35-35
HDR-UX1E是世界上第一款使用AVCHD高清规格的DVD数码摄像机,采用8厘米DVD光盘作为存储介质,搭载1/3英寸ClearVID CMOS传感器,总像素210万(16:9模式下有效像素为143万,4:3模式下有效像素为108万,10倍光学变焦的卡尔·蔡司T^*镜头,  相似文献   
808.
《科技新时代》2005,(1):6-6
我最近看到富士公司新上市的数字相机FinePix S3 Pro的像素为:617万S像素,617万R像素,共1234万像素。请问:什么是S像素,什么是R像素?为什么富士的相机的像素标明S和R像素.而其它品牌的数字相机没有这样标明.富士相机的Super CCD SR传感器与其他品牌数字相机的CCD传感器相比,有什么特点?为什么总像素1234万像素;而有效像素却只有610万像素?另外。数字相机用的CMOS传感器与CCD传感器有什么异同?  相似文献   
809.
通过向光子晶体发射激光束,改变激光在光子晶体中经过的路程,经过上百次实验,成功实现了多普勒效应逆转现象。4月30日,上海理工大学召开了光学工程学科团队科研成果信息发布会,会上公布了该校光学工程学科团队的研究进展——他们在国际上首次观察到了负折射材料中的光的逆多普勒现象,学术成果刊登在世界知名学术期刊《自然·光子学》今年最新的第4期上,实现了该校在世界顶级杂志发表科研成果零的突破。  相似文献   
810.
A high speed column-parallel CDS/ADC circuit with nonlinearity compensation is proposed in this paper.The correlated double sampling (CDS) and analog-to-digital converter (ADC) functions are integrated in a threephase column-parallel circuit based on two floating gate inverters and switched-capacitor network.The conversion rate of traditional single-slope ADC is speeded up by dividing quantization to coarse step and fine step.A storage capacitor is used to store the result of coarse step and locate the section of ramp signal of fine step,which can reduce the clock step from 2 n to 2 (n/2+1).The floating gate inverters are implemented to reduce the power consumption.Its induced nonlinear offset is cancelled by introducing a compensation module to the input of inverter,which can equalize the coupling path in three phases of the proposed circuit.This circuit is designed and simulated for CMOS image sensor with 640×480 pixel array using Chartered 0.18μm process.Simulation results indicate that the resolution can reach 10-bit and the maximum frame rate can reach 200 frames/s with a main clock of 10MHz.The power consumption of this circuit is less than 36.5μW with a 3.3V power supply.The proposed CDS/ADC circuit is suitable for high resolution and high speed image sensors.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号