具有特殊形貌的氧化锌纳米结构材料

ZnO作为一种重要的半导体和压电材料，具有异常丰富的形貌。本文主要对具有特殊形貌的氧化锌结构材料的研究进展进行评述。     

薄膜干涉中一个结论的应用

全日制普通高级中学物理教材第三册，对薄膜干涉内容只作了简单介绍，学生解决此类问题时常感到困惑．尽管有资料对这方面内容作了介绍，但并不全面．笔者根据教学体验，比较全面而简洁地总结了这一问题，收效显著．     

软控半导体制冷技术在CPU散热器上的应用

利用珀尔帖原理,在一种由N型和P型半导体所组成的电偶对中通以直流电,在电偶对的不同结点处会产生吸热和放热的现象,再将该半导体制冷片应用于CPU上.因其具有实时性好、可控性高、体积小、寿命长等优点,非常适合于CPU的散热领域.     

真空退火对La0.7Ca0.3MnO3外延薄膜输运特性的影响

在温度300-600℃及2×10-4-1×10-3Torr的氧压下,对脉冲激光烧蚀生成的La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)薄膜进行退火.无论是经原位或异位退火处理后的LCMO薄膜,其金属-半导体电阻-温度(R-T)特性曲线及转变温度均会发生明显的改变.薄膜氧含量对其输运特性有突出的影响.     

基于Mathematica的半导体物理与器件实验仿真平台开发

利用Mathematica软件开发了半导体物理与器件实验仿真平台。该实验仿真平台设置了10个仿真实验项目。以PN结能带图、双极结型晶体管输出特性、理想MOS电容C-V特性等3个仿真项目为例,说明模块的界面设计、仿真的理论依据和实现的具体功能。该仿真平台具有交互性强、图形动态连续输出和特征参数跟踪显示等特点,可作为课堂理论教学的有效补充,并且解决了实验教学仪器设备不足的问题。     

动态膜压仪在有序分子薄膜体系研究中的应用

应用动态膜压仪测定单分子膜在亚相上的表面压π,表面张力γ以及膜的崩溃压。研究两亲分子在亚相上铺展成膜的状态及其规律,为有序单分子薄膜的制备及成膜过程的研究提供了依据。     

薄膜结构最优化裁剪分析

用最优化理论提出一种新的薄膜结构裁剪方法，并用Ｂ样条曲线对裁剪图边界进行光滑处理，提高了裁剪分析的精度．最后给出了一个张拉式薄膜结构裁剪分析实例．     

Ti-50．9at％Ni薄膜组织和相转变的研究

采用磁控溅射方法在Si片沉积了Ti-50．9at％Ni形状记忆合金薄膜,并将薄膜分别在不同温度下进行退火．利用示差扫描量热方法（DSC）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）研究了薄膜退火前后形貌、相变特征及应力随退火温度的变化．实验结果表明：溅射态薄膜为非晶态,其晶化温度范围为430℃-535℃,晶化同时伴随着Ti3Ni4相的析出;退火后的薄膜随着退火温度的升高,Rs、Af、Ms均呈上升趋势．薄膜的残余应力随着退火温度的增加而逐渐减少．     

基于Matlab GUI的薄膜干涉仿真

为动态反映薄膜干涉图样随波长和干涉装置的几何参数的改变而产生的变化,利用Matlab图形用户界面的设计和开发功能,结合真实的可见光谱,制作了劈尖干涉、牛顿环干涉以及迈克尔逊干涉的交互式图形仿真界面.仿真结果图形细致逼真,使该过程的物理规律直观形象,有助于学生理解这几种典型薄膜干涉过程中的物理规律.     

超薄膜Si外延生长过程的动力学蒙特卡罗模拟

建立超薄膜Si外延生长的晶格一动力学蒙特卡罗模型,并应用该模型模拟了Si原子在Si（111）基底上外延生长的过程．系统研究了沉积时间、基片温度对于薄膜初始生长形貌的影响,如影响粒子的扩散与凝聚、岛的生长等微观过程．