半导体薄层、超薄层异质外延技术新进展

近20年来,半导体薄层、超薄层异质外延技术如分子束外延、金属有机物化学汽相淀积等得到了巨大发展,用这种技术生长的AlGaAs/GaAs,InGaAsP/InP材料和异质结构已成功地制备出了高性能的电子和光电子器件,引起了世界上物理学家和工程技术专家们的极大兴趣。本文将简要地综述近几年来半导体材料异质外延技术的新进展。并对目前存在的问题及其进一步发展做初步讨论。     

西安电子科技大学“宽禁带半导体材料与器件”教育部重点实验室

西安电子科技大学“宽禁带半导体材料与器件”教育部重点实验室2003年11月批准立项建设，2007年7月通过教育部验收，拥有博士学位授予权，是国家重点学科，“长江学者奖励计划”特聘教授设岗学科和国家“211”工程重点建设学科，设有“国家集成电路人才培养基地”。实验室在编固定人员57名，非在编固定人员20名，客座人员9名，其中教授17人，副教授12人。学术委员会主任由副校长、“863”计划VLSI重大专项专家组副组长郝跃教授扫任；实验室主任为副校长、中国青年科技奖获得者杨银堂教授；微电子学院院长庄奕琪教授等为学术骨干。主要研究…     

比较优势发展战略与中国半导体产业的发展

针对当前我国半导体产业界对于未来发展战略的选择持有的两种不同观点,本文提出遵循“比较优势发展战略”发展我国半导体产业的观点。文章首先介绍了“比较优势”理论及其在后进地区半导体产业发展中的动态应用演变模式;然后具体分析了全球半导体产业分工发展及要素禀赋结构在产业中的演变以及由此带来的产业升级过程;并以我国台湾半导体产业30年来成功发展为例,说明遵循“比较优势发展战略”有利于半导体产业成功崛起;文章最后对我国大陆如何利用“比较优势”理论发展半导体产业做了一定探讨。     

薄膜滤波器的研制

光学滤波器被广泛地应用于光纤通信，民用高科技产品中的光电显示，航空航天以及军事技术当中。是一类非常重要的光无源器件，由于它的功能不可替代，而且用量较大，所以已形成了一个新兴产业。     

铝在氧气中燃烧实验的改进

铝是性质活泼的金属,常温下即能与空气中的氧气反应,因生成的氧化物薄膜致密而坚硬,且熔点很高,阻碍了反应的顺利发生,很好地保护了内部金属铝。对初次认识铝的性质的学生来说,会错误地认为铝难与氧气反应。因此,铝在氧气中燃烧的实验是认识铝的性质的重要基础实验。人教版化学第二册2007版(P71)关于这一性质实验的操作,实验很难成功。新课改教材化学《必修1》中,铝在酒精灯火焰上加热的实验也不能从现象上很好地说明铝与氧气反应的活动性。若能在教学中补充并成功完成铝在氧气中燃烧的实验,无疑会对教学产     

高分子薄膜去润湿诱导有序图案构筑取得系列成果

中科院长春应化所高分子化学与物理国家重点实验室韩艳春课题组围绕“高分子薄膜去润湿诱导有序图案构筑”这一重要主题展开了多年研究,取得了系列研究成果。近期,该课题组为Progress in Polymer Science撰写了相关综述文章。     

Sm3+掺杂SnO2半导体的制备及其光学特性

以四氯化锡(SnCl<,4>·5H<,2>O)、氧化钐(Sm<,2>O<,3>)和乙醇为主要原料,采用溶剂热法制备Sm<;3+>离子掺杂的SnO<,2>纳米粉体.应用XRD、Fr-IR、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等手段对所获得粉体进行了表征.结果表明,溶剂热过程实现了氧化锡的直接晶化,产物为金红石结构...     

国际科技信息

New’FeTRAM’ is promising computer memory technology Researchers are developing a new type of computer memory that could be faster than the existing commercial memory and use far lesspower than fash memory devices.