双缝干涉与薄膜干涉

双缝干涉：两个独立的光源发出的光不是相干光,双缝干涉的装置使一束光通过双缝后变为两束相干光,在光屏上相干形成稳定的干涉条纹.在双缝干涉实验中,光屏上某点到双缝的路程差为半波长的偶数倍时,该点出现亮条纹;光屏上某点到双缝的路程差为半波长的奇数倍时,该点出现暗条纹.A.对干涉图样的研究可知：相邻两条明条纹（暗条纹）中心距离与屏到双缝的距离L成正比;与双缝间距离d成反比;     

Co-Pi和Cu2O共修饰TiO2薄膜及其光电化学性质研究

用阳极氧化法在Ti基片上制备出TiO2薄膜,然后通过电化学沉积法将Co-Pi和Cu2O沉积在TiO2薄膜表面.通过扫描电镜、X-射线衍射和光电化学性质测试,发现TiO2薄膜表面先沉积Co-Pi能够有效阻止Cu2O颗粒堆积,光电流显著提高.而先沉积Cu2O后沉积Co-Pi,则会使Cu2O还原为Cu,同时形貌发生改变.特别地,沉积300秒Co-Pi后再沉积Cu2O颗粒,能得到200 mA/cm2的最大光电流.     

AlSb（110）基外延生长Bi薄膜的第一性原理研究

用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了在A lS b （110）衬底表面外延生长1～6层Bi薄膜的能带结构,计算了它们的带隙。研究发现,不同厚度的Bi薄膜显示出传导性质的奇偶振荡,1层和3层显示出非金属性质,2层和4层及更高的层数转变为金属性质。     

Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2铁电薄膜的制备和性能研究

运用脉冲激光沉积方法,在Pt(111)基片上沉积制备Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜。通过对X射线衍射(XRD)分析表明,薄膜的正交相随衬底温度升高而增强,随薄膜厚度增加而减小。P-E电滞回线实验表明,提高衬底温度有助于增强薄膜铁电性能。400℃氧气中原位退火后薄膜剩余极化(2Pr)达到8μC/cm2。5V以下薄膜漏电流密度为3.2×10-6A/cm2。Hf0.5Zr0.5O2薄膜的疲劳特性测试表明,在经过2×109次反转后可参与翻转总极化值有一定下降。     

超声电子:短期均线多头排列

正超声电子(000823):从6、7月开始智能手机台湾供应链持续供给不足,半导体制造商台积电、联电订单饱满,晶圆交货期由正常的一个季度增加至五个月以上;主要封测台厂出货持续乐观,部分台厂调高今年资本支出规模;苹果iPhone6、iPad旺季出货启动在即,加上三星、小米等新厂商开始大量采用金属外壳,金属外壳产能出现严重供不应求;台湾PCB厂商7月     

分析师一致预期大幅调高个股

正~~     

半导体物理学课程教学探索

本文针对《半导体物理学》的课程特点,依据笔者在《半导体物理学》课程实际教学活动中的感受以及目前国内相关的教学研究文献,总结了适用于目前《半导体物理学》教学手段和经验,以其达到更好的提高《半导体物理学》的教学质量的目的.     

我的中国“芯”

正1月1 0日,2013年度国家科学技术奖励大会在人民大会堂隆重举行,兴奋与喜悦写在每一位与会代表的笑容里。由中芯国际吴汉明主持的"超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化"项目获得国家科学技术进步奖二等奖。该项目的完成标志着我国集成电路制造技术成功进入纳米时代,跻身于世界集成电路生产制造的先进主流行列。面对荣誉,吴汉明这样对记者说:"做产业,就是要耐得住寂寞。"这样     

半导体制造技术课程教学改革实践

随着产业转型升级,学生学习环境条件的改善,学习途径的增多,教师如何利用现有资源提高课程教学效果,培养创新型研究人才？作者以半导体制遣技术课程为例,从教学内容．教学方法,考核方式等方面进行教育教学改革。实践证明,课程教学改革后,教学效果明显提高。     

半导体物理学的教学改革初探

本文从半导体物理教学中存在的主要问题出发,将传统教学与互动教学模式进行了对比,对多媒体技术在半导体物理教学中的重要作用进行了说明,重点阐述了互动教学模式与多媒体技术在半导体物理课堂教学中的优越性和教学价值。