康佳股价狂飙幕后的资本想象

表面上看,康佳集团近期股价异动与"销售1亿颗芯片"有关,深层次原因则是该公司战略转型给资本市场提供了巨大想象空间。1月20日,有媒体报道,康佳半导体首款存储主控芯片KS6581A首批10万颗量产出货,1月23日深康佳A涨停,由此拉开多次涨停大幕。     

意味

缝隙我买了新房子,请人搞装修。给卫生间贴墙砖时,我看到瓦匠在瓷砖与瓷砖之间留下了一条明显的缝隙。这缝隙看上去很不美观。于是     

不同沉积气压制备微晶硅薄膜的表面粗糙度标度行为研究

采用VHF-PECVD技术制备了两个气压系列不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明：沉积气压Pg=70 Pa时,生长指数β=0.22±0.023,对应有限扩散生长模式;Pg=300 Pa时,β=0.81±0.099,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为,表明：在微晶硅薄膜生长中还要考虑其它粗糙化因素（如阴影作用会增加薄膜表面的粗糙化程度,使生长指数β增大）.     

TiO_2涂层与化学镀Ni—P用于铸件表面处理的研究

本文采用溶胶—凝胶法先在铸件表面涂覆一层TiO2薄膜,再对铸件进行化学镀Ni—P处理。研究表明,TiO2涂层可以有效减小铸件表面的孔隙率,弥补了Ni—P镀层直接覆盖在铸件表面易产生针孔的缺陷。与现有的铸件表面处理方法相比,本工艺改善了铸件的耐腐蚀性,而且较大地提高了沉积速率。在不增加过多成本的情况下,还节约了能源。     

溅射法在不同O2／Ar比例下制备HfO2薄膜

作为一种性能稳定的绝缘体,HfO2在电子、光学以及能量相关的领域中有着重要的应用。在本工作中,我们使用反应溅射方法在不同O2／Ar比例下制备了HfO2薄膜。XRD结果显示,O2／At比例并不能明显的影响样品的结构。通过Debye—Schener公式估计,样品由纳米晶粒组成。在O2／Ar比例为0．06（功率12W）时制备的样品最接近化学配比。在可见光区域,样品具有很好的透光率,T〉85％。明显的吸收发生在波长小于220nm时。通过Tauc公式可以估算出,样品的带隙在5．051到5．547eV范围内变化。     

椭偏法测定TiO2薄膜的光学常数

详细介绍了使用椭偏仪测定薄膜的光学常数的原理,采用溶胶一凝胶法在普通载玻片上制备了均匀透明的TiO2薄膜,借助椭偏仪测量了薄膜的光学特性．     

溶胶-凝胶法制备BiFO3薄膜的结构研究

运用溶胶-凝胶（sol-gel）法,在SiO2／Si衬底上制备了BiFeO3薄膜．研究表明,退火温度、退火时间分别为500％、1h的条件下,并且运用XRD及表面扫描电镜（SEM）分析,可制备出纯相的BiFeO3薄膜,R3m点群．     

“师生双主体—灯塔模式”课程思政教学探索——以“半导体材料与器件导论”改革为例

高等教育在坚持落实立德树人根本任务的前提下,如何为党和为国培养“四有”新人成为高等学校不断探索改革和思考的问题。通过分析“师生双主体-灯塔模式”课程思政教学的必要性与重要性,以“半导体材料与器件导论”课程思政改革为范例,设计基于“师生双主体-灯塔模式”的课程思政教学形式,实现课堂改革的思想引领和价值引领,帮助学生树立正确的世界观、人生观和价值观,课堂教学中处处融入家国情怀理念,为国家培养复兴栋梁、强国先锋的半导体行业人才,起到了良好的课程思政教学效果。     

日美半导体摩擦与中美半导体摩擦对比和启示

自2018年美国对中国发起贸易战以来,半导体产业一直成为两国矛盾的核心焦点。文章通过对比20世纪70—90年代日美半导体摩擦的经验,发现美国对这两个国家半导体产业的冲击有着共同的根本原因：维护其在经济和科技领域的全球领先地位,并对华囿于更为复杂的涉及国际社会阵营、意识形态及军事实力等因素的考虑。并且从日本的历史经验中,获得了关于中国半导体产业发展的启示：政府有必要引领推动企业与大学等科研机构之间的紧密合作;同时,国际层面上应反对美国与其他国家合谋对华实施的“脱钩”行动,坚决阻止这种排斥态势的形成;最后,需要完善本国半导体产业供应链,降低对其他国家的依赖程度。通过这些举措,中国半导体产业方能迈向更加独立、可持续的发展。